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技術文章

電源設計器件布局和布線要點

在電源設計中，精心的布局和布線對于能否實現(xiàn)出色設計至關重要，要為尺寸、精度、效率留出足夠空間，以避免在生產(chǎn)中出現(xiàn)問題。我們可以利用多年的測試經(jīng)驗，以及布局工程師具備的專業(yè)知識，最終完成電路板生產(chǎn)。

2022-09-26

電源設計布局

如何設計最安全的CAN總線拓撲？

CAN總線的應用越來越廣泛，工程師在各種不同工況下，如何選擇最合適的網(wǎng)絡拓撲方式呢？本篇文章將介紹主流的幾種總線拓撲方式，以及如何解決CAN總線故障。

2022-09-23

CAN總線拓撲

在電機旋轉的世界里，如何探索出一種更優(yōu)雅的運動姿勢？

從中國大唐王朝盛行的胡旋舞，到今天全球共賞、傾倒世界幾個世紀的芭蕾舞，旋轉都是舞蹈美學與藝術的重要組成部分。舞者衣袂飄飄，旋轉中姿態(tài)萬千百媚竟生，提高了整個舞蹈的審美性、觀賞性。舞者的旋轉讓這個物理世界的基本運動狀態(tài)帶來藝術的升華?，F(xiàn)代科學對旋轉運動的研究，則為動力學和運動學...

2022-09-23

電機旋轉 ADI

整流電容濾波負載實例

六期連載，整流電路AC/DC變換應用非常廣泛，其中二極管整流在電機驅動中是主流的方案，而且功率范圍很廣，所以了解二極管整流工程設計非常重要。

2022-09-23

整流電容濾波負載

功率放大器模塊及其在5G設計中的作用

許多射頻設計人員都對 Franklin Douglass 的名言深有同感：“沒有斗爭就沒有進步?！痹跒?5G 進行設計時，尤其如此?？萍加型淖儫o線通信，但也會帶來設計難題。利用功率放大器模塊 (PAM) 來化解。以下是你需要知道的一切。

2022-09-23

功率放大器模塊 5G

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發(fā)生失效...

2022-09-22

dV/dt失效 MOSFET

什么是雪崩失效

當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發(fā)生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪...

2022-09-22

MOSFET 失效機理雪崩擊穿

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