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高精度低噪聲 or 大功率強(qiáng)驅(qū)動？儀表放大器與功率放大器選型指南
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)的精密舞臺上，兩類關(guān)鍵“演員”——儀表放大器（In-Amp）與功率放大器（Power Amp）——扮演著截然不同卻都不可或缺的角色。它們雖共享“放大”之名，但設(shè)計(jì)哲學(xué)、核心任務(wù)與應(yīng)用疆域存在本質(zhì)差異。理解這種差異，是工程師為系統(tǒng)挑選“最佳配角”的關(guān)鍵。
2025-06-20
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預(yù)補(bǔ)償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲
如今，Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。然而，在放大器啟動或關(guān)閉時，以及在靜音/取消靜音切換期間，揚(yáng)聲器中經(jīng)常會出現(xiàn)爆裂聲或點(diǎn)擊聲。這些噪音可能會被聽到，并使用戶感到不適。在音頻系統(tǒng)中靜音功率放大器是避免在啟動或關(guān)閉期間出現(xiàn)爆裂聲的有效方法。此外，音頻系統(tǒng)有時播放音樂，有時停止播放，這需要頻繁地靜音或取消靜音放大器。因此，爆裂聲是頻繁靜音和取消靜音控制的關(guān)鍵問題。本文討論了靜音/取消靜音過渡期間爆裂聲的發(fā)生原因，并設(shè)計(jì)了相應(yīng)的方法來抑制這些噪音。
2024-09-29
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從4個到256個通道，GaN技術(shù)如何創(chuàng)新5G基站系統(tǒng)的緊湊設(shè)計(jì)
電子系統(tǒng)工程師們正在適應(yīng)5G基站設(shè)計(jì)領(lǐng)域的重大變革；包括發(fā)射/接收通道的數(shù)量從4個激增至高達(dá)256個。同時，這些基站的頻率范圍也有所提升，從原先的1GHz擴(kuò)展到現(xiàn)在的3-4GHz，并有望達(dá)到7GHz。隨著更多通道的引入（如上述256個收發(fā)通道這樣的配置），對既高效又具備精確信號能力的功率放大器的需求也愈發(fā)迫切。此外，推動構(gòu)建更緊湊的蜂窩網(wǎng)絡(luò)還涉及集成大規(guī)模多入多出（mMIMO）波束成形、小型基站和毫米波基站等先進(jìn)技術(shù)。
2024-05-17
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電子應(yīng)用中的潛在熱源及各種熱管理方法
電子元器件不喜歡在高溫下運(yùn)行。任何表現(xiàn)出內(nèi)部自發(fā)熱效應(yīng)的元器件，都會導(dǎo)致自身和周圍其他元器件的可靠性降低，長期過熱甚至還可能導(dǎo)致印刷電路板（PCB）變形，降低與其他元器件的連接完整性，并影響走線阻抗。通常情況下，容易產(chǎn)生廢熱的元器件包括電源和各種形式的功率放大器［音頻或射頻（RF）］，但現(xiàn)代片上系統(tǒng)（SoC）、電源轉(zhuǎn)換模塊和高性能微處理器也會產(chǎn)生大量內(nèi)部熱量。
2024-02-20
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詳解多路復(fù)用器濾波器
多路復(fù)用器是一組射頻(RF)濾波器，它們組合在一起，但不會彼此加載，可以在輸出之間實(shí)現(xiàn)高度隔離。多路復(fù)用器被用于RF前端中靠近功率放大器(PA)的位置，對于載波聚合(CA)產(chǎn)生很大影響；天線復(fù)用器被用在射頻前端后面，以簡化與天線之間的路由。
2024-01-25
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基于RT9119 的家庭版高效能音效放大器設(shè)計(jì)
隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展，功率放大器的性能對產(chǎn)品質(zhì)量有著重要的影響。傳統(tǒng)的線性功放（A、B、AB類）雖然有良好的線性度和THD等性能，但都有共同的缺陷，如效率都低于50%、功耗大，制約其在可攜式產(chǎn)品上的應(yīng)用［1］，而高效率、節(jié)能、低失真、體積小的D類功放應(yīng)用日益廣泛。
2024-01-11
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功率放大器模塊及其在5G設(shè)計(jì)中的作用
5G是無線通信領(lǐng)域有史以來最重要、最強(qiáng)大的技術(shù)之一。與4G相比，5G在數(shù)據(jù)傳輸速率、延遲和容量方面均實(shí)現(xiàn)了顯著提升，有望成為影響業(yè)界乃至全球的真正變革性技術(shù)。
2024-01-03
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自主創(chuàng)新無止境 探索電磁新未來——王路會長一行走訪調(diào)研南京納特通信電子有限公司
2023年11月30日，上海市計(jì)量協(xié)會會長王路一行，攜秘書處和電磁兼容專委會成員赴南京納特通信電子有限公司（以下簡稱“納特通信”）開展主題為“國產(chǎn)功率放大器研發(fā)現(xiàn)狀和前景”的調(diào)研學(xué)習(xí)。
2023-12-14
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pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案
假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。
2023-11-22
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面向GaN功率放大器的電源解決方案
RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計(jì)上有別于其它技術(shù)，有時設(shè)計(jì)具有一定挑戰(zhàn)性；但它的性能在許多應(yīng)用中是獨(dú)特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。
2023-11-22
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諧波失真的五大類型
任何模擬信號只要存在一定程度的非線性，都會產(chǎn)生諧波失真。模擬信號失真時，信號在時域中的外觀會發(fā)生變化，表現(xiàn)為波形壓縮或完全偏移。諧波模擬信號中的諧波失真已是老生常談，但調(diào)制信號或方波/鋸齒波中也明顯存在各類諧波失真，其中一個常見的例子是功率放大器，它們在運(yùn)行時通常接近飽和點(diǎn)。
2023-11-04
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設(shè)計(jì)一款具有過溫管理功能的USB供電RF功率放大器
國際電信聯(lián)盟(ITU)將433.92 MHz工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)(ISM)頻段分配給1區(qū)使用，該區(qū)域在地理上由歐洲、非洲、俄羅斯、蒙古和阿拉伯半島組成。盡管最初旨在用于無線電通信之外的應(yīng)用，但多年來無線技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)步使得ISM頻段在短距離無線通信系統(tǒng)中頗受歡迎。
2023-10-24
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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