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SpectrumView跨域分析加速EMI診斷
在電源管理芯片、隔離芯片等模擬集成電路中，很多電路元件之間(如變壓器、功率管等)以及導(dǎo)線(xiàn)上都會(huì)不斷地產(chǎn)生各種電流電壓的變化(即dv/dt 節(jié)點(diǎn)和高 dI/dt 環(huán)路)，以及受高頻寄生參數(shù)的影響，這些元件通過(guò)電磁感應(yīng)效應(yīng)不斷地產(chǎn)生各種電磁波，經(jīng)電源線(xiàn)傳導(dǎo)或形成天線(xiàn)效應(yīng)對(duì)外輻射，影響到正常的電路功能，導(dǎo)致設(shè)備性能下降、通訊中斷或故障，甚至對(duì)周?chē)渌舾须娮釉O(shè)備正常工作造成嚴(yán)重干擾，重則會(huì)引發(fā)事故。如電源管理芯片等模擬IC器件，因其高靈敏度、系統(tǒng)集成度及布線(xiàn)布局設(shè)計(jì)等因素，極易受到EMI(電磁干擾)的影響。
2024-06-16
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Transphorm氮化鎵器件將DAH Solar SolarUnit的傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到極致
DAH Solar的世界首個(gè)集成型光伏（PV）系統(tǒng)采用了Transphorm氮化鎵平臺(tái)，該集成型光伏系統(tǒng)已應(yīng)用在大恒能源的最新SolarUnit 產(chǎn)品。使用了Transphorm的功率器件不僅能夠生產(chǎn)出更小、更輕、更可靠的太陽(yáng)能電池板系統(tǒng)，同時(shí)還能以更低的能耗提供更高的總發(fā)電量。與目前常用的硅基解決方案相比，氮化鎵器件能做到更高的開(kāi)關(guān)頻率和功率密度。更值得一提的是，系統(tǒng)中使用的這兩款氮化鎵功率管均采用 PQFN88 高性能封裝，可與常用柵極驅(qū)動(dòng)器配對(duì)，從而幫助 DAH Solar 縮短了設(shè)計(jì)時(shí)間。
2023-10-16
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RS瑞森半導(dǎo)體LLC恒流方案的應(yīng)用市場(chǎng)
首先介紹芯片具有的特性：RSC6105S系列芯片是適用于LLC諧振拓?fù)?，帶有半橋?qū)動(dòng)恒流控制電路的芯片，最高工作頻率在130KHZ。其中內(nèi)部集成的模塊包括：邏輯輸入信號(hào)處理電路、欠壓檢測(cè)電路、過(guò)壓保護(hù)電路、過(guò)溫保護(hù)電路、CS反饋信號(hào)整流電路、誤差放大器電路、壓控振蕩電路、電流過(guò)零檢測(cè)電路（ZCD）、電平位移電路等模塊，可以自動(dòng)設(shè)置死區(qū)時(shí)間，防止高端和低端輸出功率管的同時(shí)導(dǎo)通，使方案設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單可靠，同時(shí)對(duì)功率器件的選擇精度放寬，便于備料。該系列芯片還具備開(kāi)路保護(hù)、短路保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)等保護(hù)功能。
2023-02-17
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Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評(píng)估數(shù)據(jù)
加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日發(fā)布了針對(duì)其氮化鎵功率管的最新可靠性評(píng)估數(shù)據(jù)。評(píng)估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用中失效的器件數(shù)。迄今為止，基于超過(guò)850億小時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用數(shù)據(jù)，該公司全系列產(chǎn)品的平均失效率(FIT)小于0.1?，F(xiàn)有氮化鎵功率解決方案的全功率可靠性評(píng)估中，這一失效率是業(yè)界報(bào)道過(guò)的最好的評(píng)估結(jié)果之一。
2022-12-20
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IGBT和MOSFET該用誰(shuí)？你選對(duì)了嗎？
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開(kāi)關(guān)器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢(shì)。IGBT全稱(chēng)是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式半導(dǎo)體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。隨著新能源汽車(chē)、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起，MOSFET和IGBT也迎來(lái)了發(fā)展的春天。
2022-01-26
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4個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)的全橋電路原理
電路首先，單片機(jī)能夠輸出直流信號(hào)，但是它的驅(qū)動(dòng)才能也是有限的，所以單片機(jī)普通做驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)大的功率管如MOS管，來(lái)產(chǎn)生大電流從而驅(qū)動(dòng)電機(jī)，且占空比大小能夠經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)芯片控制加在電機(jī)上的均勻電壓到達(dá)轉(zhuǎn)速調(diào)理的目的。
2021-11-24
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簡(jiǎn)單智能的高密度電源芯片
隨著效率優(yōu)化及高端處理器、FPGA和ASIC等復(fù)雜電源的需求呼聲越來(lái)越高,有源功率管理逐漸成為數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、電信系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備應(yīng)用中的關(guān)鍵設(shè)計(jì)要求。同時(shí)還希望電源設(shè)計(jì)工程師能夠不斷縮短開(kāi)發(fā)周期,減小電路板尺寸。
2021-03-09
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數(shù)字電源的兩種調(diào)制方式分析
數(shù)字電源的調(diào)制方式可以分為脈沖寬度調(diào)制和脈沖頻率調(diào)制模式。脈沖寬度調(diào)制（簡(jiǎn)稱(chēng)脈寬調(diào)制）是在不改變頻率的情況下，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖的占空比來(lái)調(diào)節(jié)功率管的開(kāi)關(guān)時(shí)間；而脈沖頻率調(diào)制（脈頻調(diào)制）模式是在不改變脈沖占空比的情況下，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖頻率來(lái)控制開(kāi)管的開(kāi)啟時(shí)間。兩種調(diào)制模式各有其優(yōu)缺點(diǎn)。
2020-12-28
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反激拓?fù)銻CD吸收之變壓器漏感
反激電源的RCD吸收，對(duì)電源研發(fā)行業(yè)從業(yè)者來(lái)說(shuō)是非常常見(jiàn)的電路，一般認(rèn)為為了處理反激電源變壓器漏感帶來(lái)的功率管電壓尖峰，需要通過(guò)RCD電路進(jìn)行處理。
2020-12-11
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開(kāi)關(guān)電源Buck電路CCM與DCM工作模式有什么區(qū)別？
CCM（Continuous Conduction Mode），連續(xù)導(dǎo)通模式：在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)，電感電流從不會(huì)到0?；蛘哒f(shuō)電感從不“復(fù)位”，意味著在開(kāi)關(guān)周期內(nèi)電感磁通從不回到0，功率管閉合時(shí)，線(xiàn)圈中還有電流流過(guò)。
2020-01-22
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DDR5插槽連接器助力下一代技術(shù)
對(duì)于許多的數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商來(lái)說(shuō)，降低功耗都是他們的首當(dāng)要?jiǎng)?wù)，從而降低運(yùn)營(yíng)費(fèi)用。雙數(shù)據(jù)速率 5內(nèi)存，其官方簡(jiǎn)稱(chēng)為 DDR5，目標(biāo)就是提供數(shù)據(jù)中心所需的增強(qiáng)性能以及功率管理功能，為400GE的網(wǎng)絡(luò)速度提供良好支持。
2019-10-25
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為什么有些變頻器負(fù)載要加制動(dòng)電阻？
對(duì)于提升負(fù)載、頻繁啟停及快速制動(dòng)的場(chǎng)合，例如電梯、收放卷機(jī)、離心機(jī)等，需要配置制動(dòng)電阻，這樣可將電動(dòng)機(jī)在負(fù)載下降及制動(dòng)過(guò)程中產(chǎn)生的電能通過(guò)調(diào)速系統(tǒng)中的制動(dòng)電阻或制動(dòng)單元消耗掉(稱(chēng)為能耗制動(dòng))。制動(dòng)單元作為接通制動(dòng)電阻的“開(kāi)關(guān)”，由功率管、電壓采樣比較電路和驅(qū)動(dòng)電路等組成。
2019-05-17
- ROHM新型接近傳感器面世：VCSEL技術(shù)賦能工業(yè)自動(dòng)化精準(zhǔn)感知
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