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技術(shù)文章

IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？

提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching）和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時(shí)，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔...

2022-10-11

IGBT ZVS ZCS

噪聲是什么？EMC是什么？噪聲損害是電子社會(huì)的現(xiàn)代病

電腦的通信錯(cuò)誤、手機(jī)通話突然斷開……您有過類似的經(jīng)驗(yàn)嗎？我們周圍充斥著噪聲，它們會(huì)通過各種線路侵入電子設(shè)備，引發(fā)故障。那么，這些看不見的噪聲的真身是什么？本周為您帶來3篇關(guān)于電子噪音及EMC對策的科普文章，希望有助于您了解其基礎(chǔ)知識(shí)。

2022-10-11

噪聲 EMC 噪聲損害

測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以Si...

2022-10-11

測試測量 SiC MOSFET 柵-源電壓

安森美在羅馬尼亞設(shè)立新研發(fā)中心，提升全球設(shè)計(jì)能力

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，近日宣布在羅馬尼亞布加勒斯特設(shè)立一個(gè)全新的研發(fā)中心，以進(jìn)一步提升安森美的全球設(shè)計(jì)能力。該研發(fā)中心將致力于開發(fā)耐高溫和經(jīng)久耐用的產(chǎn)品，用于汽車隔離驅(qū)動(dòng)以及用于智能感知的高精度器件，以進(jìn)一步順應(yīng)汽車和工業(yè)發(fā)展...

2022-10-10

安森美研發(fā)中心智能感知

如何使用AT32F407以太網(wǎng)通信接口實(shí)現(xiàn)在應(yīng)用中編程(IAP)

在應(yīng)用中編程(IAP)是一種在現(xiàn)場通過 MCU 通信接口（例如 USART、USB、CAN 和以太網(wǎng)）進(jìn)行固件升級的方式。無論是IAP代碼還是應(yīng)用程序代碼都位于微控制器的內(nèi)置FLASH中，IAP代碼通常存儲(chǔ)在MCU FLASH的第一頁，而用戶應(yīng)用程序代碼則占據(jù)剩余的FLASH區(qū)域。

2022-10-10

AT32F407 以太網(wǎng) 通信接口編程

電源線噪聲：共模干擾、差模干擾

電源線噪聲是電網(wǎng)中各種用電設(shè)備產(chǎn)生的電磁騷擾沿著電源線傳播所造成的。電源線噪聲分為兩大類：共模干擾、差模干擾。

2022-10-10

電源線噪聲共模干擾差模干擾

IQE宣布與MICLEDI合作，開發(fā)用于AR產(chǎn)品的微型LED

IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團(tuán)”），全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品和先進(jìn)材料解決方案提供商，近日鄭重宣布與 MICLEDI Microdisplays（以下簡稱“MICLEDI”）達(dá)成合作，專注實(shí)現(xiàn) microLED 技術(shù)的大規(guī)模商用。

2022-10-10

IQE MICLEDI LED

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