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技術(shù)文章

要上天的RISC-V到底落地了哪些應(yīng)用？躍昉攜合作伙伴秀出案例

中國，深圳——近日，美國國家航空航天局（NASA）宣布基于RISC-V架構(gòu)打造下一代高性能航天計算芯片的消息瞬間出圈，一時將RISC-V再次推向聚光燈下。事實上，在上天之前，基于自身低功耗、低成本、靈活可擴展、安全可靠等優(yōu)勢的RISC-V就已在較多領(lǐng)域落地。前不久，RISC-V生態(tài)的積極共建者，高端工業(yè)物...

2022-09-14

RISC-V 躍昉案例

ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列

變頻器是各行業(yè)中至關(guān)重要的節(jié)能設(shè)備，ABB傳動一直致力于用先進的產(chǎn)品和技術(shù)，創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價值，提高生產(chǎn)效能水平，助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級。

2022-09-14

ABB IGBT7 變頻器

電源應(yīng)用問題之應(yīng)用環(huán)境分析

本文簡述開關(guān)電源常見的應(yīng)用環(huán)境，分析各種典型環(huán)境因素對電源產(chǎn)品的主要影響機理，推薦與應(yīng)用環(huán)境相匹配的金升陽電源產(chǎn)品，提升電源在不同應(yīng)用環(huán)境中的可靠性。

2022-09-14

開關(guān)電源應(yīng)用環(huán)境金升陽

開啟大功率無線充電新時代

無線充電技術(shù)包括感應(yīng)、磁諧振、電容、射頻輻射、激光、聲波和其他新興技術(shù)。感應(yīng)耦合技術(shù)處于領(lǐng)先地位 [1]，因此，其相關(guān)標準 Qi 在無線充電領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛。

2022-09-14

無線充電 WLC1115 發(fā)射器

碳化硅MOS 四引腳封裝在應(yīng)用中的優(yōu)勢

瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場和客戶認可，廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機驅(qū)動、儲能、充電樁等領(lǐng)域。

2022-09-14

碳化硅 MOS TO-247封裝

深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為

本文探討了影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關(guān)性能。

2022-09-13

SiC MOSFET 開關(guān)

巧用LC濾波器額，改善高速DAC電源相位噪聲！

對于高速DAC供電電源的選擇，LDO是久經(jīng)考驗的穩(wěn)壓器，尤其適合用來實現(xiàn)優(yōu)質(zhì)噪聲性能。相關(guān)技術(shù)資訊，可參閱文章：選擇超低噪聲的LDO來改善相位噪聲。

2022-09-13

LC濾波器 DAC 相位噪聲

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