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電路保護

一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應(yīng)用場景。

2025-06-26

安森美 SiC JFET并聯(lián)技術(shù) 固態(tài)斷路器解決方案大電流SiC JFET Combo JFET結(jié)構(gòu)

控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解

在電源設(shè)計中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運行的關(guān)鍵。一個設(shè)計不當?shù)目刂苹芈房赡軐е码娫凑袷?、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對負載變化和輸入電壓波動的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。

2025-06-25

LTspice 波特圖分析控制回路仿真開關(guān)穩(wěn)壓器電源穩(wěn)定性優(yōu)化相位裕度增益帶寬

馴服電源幽靈：為敏感器件打造超低噪聲供電方案

在射頻通信、精密測量、高分辨率數(shù)據(jù)采集等尖端領(lǐng)域，毫伏級的電源噪聲都可能成為性能的致命殺手。鎖相環(huán)（PLL）的相位噪聲惡化、壓控振蕩器（VCO）的輸出頻率漂移、高分辨率模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的有效位數(shù)（ENOB）下降——這些敏感電路的卓越性能，無一不建立在超低噪聲、超高純凈度的電源基礎(chǔ)之上。本...

2025-06-24

超低噪聲電源設(shè)計射頻電源解決方案 μV級電源噪聲低噪聲LDO 低噪聲電源模塊

攻克次諧波振蕩：CCM反激斜坡補償?shù)墓β史旨壷改?/span>

在CCM反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計中，峰值電流模式控制（Peak Current Mode Control）因其優(yōu)異的輸入電壓抑制能力、固有的逐周期限流保護和相對簡化的環(huán)路補償而備受青睞。然而，當占空比超過50%時，系統(tǒng)會出現(xiàn)固有的次諧波振蕩不穩(wěn)定性問題。斜坡補償技術(shù)正是攻克這一難題的核心手段，其設(shè)計策略需隨功率等級...

2025-06-23

CCM反激斜坡補償反激轉(zhuǎn)換器次諧波振蕩斜坡補償設(shè)計

高精度低噪聲 or 大功率強驅(qū)動？儀表放大器與功率放大器選型指南

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)的精密舞臺上，兩類關(guān)鍵“演員”——儀表放大器（In-Amp）與功率放大器（Power Amp）——扮演著截然不同卻都不可或缺的角色。它們雖共享“放大”之名，但設(shè)計哲學、核心任務(wù)與應(yīng)用疆域存在本質(zhì)差異。理解這種差異，是工程師為系統(tǒng)挑選“最佳配角”的關(guān)鍵。

2025-06-20

儀表放大器功率放大器高精度放大器功率驅(qū)動電路

戰(zhàn)略布局再進一步：意法半導體2025股東大會關(guān)鍵決議全票通過

意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股東大會于荷蘭阿姆斯特丹圓滿落幕，大會全票通過所有決議案。作為全球多重電子應(yīng)用領(lǐng)域領(lǐng)導者，此次決議將為公司戰(zhàn)略布局注入新動能。

2025-06-20

意法半導體股東大會

μV級精度保衛(wèi)戰(zhàn)：信號鏈電源噪聲抑制架構(gòu)全解，拒絕LSB丟失！

在精密測量、醫(yī)療儀器及工業(yè)傳感系統(tǒng)中，信號鏈的μV級精度直接決定系統(tǒng)性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態(tài)吞噬ADC/DAC的有效位數(shù)——當1mV電源紋波可導致12位ADC丟失4個LSB時，電源架構(gòu)選型便成為精度保衛(wèi)戰(zhàn)的核心戰(zhàn)場。本文從噪聲頻譜與拓撲本質(zhì)出發(fā)，拆解LDO、開關(guān)電源及混合架構(gòu)的噪聲基因...

2025-06-19

電源噪聲 ADC精度 PSRR優(yōu)化信號鏈噪聲抑制 LDO選型開關(guān)電源濾波

從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴展實戰(zhàn)指南

在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設(shè)計自由度和靈活并聯(lián)擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。

2025-06-19

SiC MOSFET并聯(lián) 高功率設(shè)計分立器件優(yōu)勢功率擴展熱管理設(shè)計并聯(lián)可靠性

如何選擇正確的工業(yè)自動化應(yīng)用的儀表放大器？

在自動化程度日益提升的工廠環(huán)境中，儀表放大器作為微弱信號采集的“感知末梢”，其性能穩(wěn)定性直接關(guān)乎設(shè)備運行狀態(tài)與生產(chǎn)效率。如何正確選擇一款堅固耐用、高精可靠的工業(yè)級儀表放大器？本文將揭秘工業(yè)級儀表放大器的五維選型矩陣與三大致命場景破解方案，助您筑起工業(yè)信號鏈的銅墻鐵壁。

2025-06-19

工業(yè)自動化應(yīng)用儀表放大器選型工業(yè)傳感器接口抗干擾信號調(diào)理

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