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ADALM2000實驗指南:有源混頻器設(shè)計與轉(zhuǎn)換增益分析

發(fā)布時間:2025-10-28 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】本實驗將借助ADALM2000平臺深入探索有源混頻器的核心原理與應(yīng)用特性。作為具備頻率轉(zhuǎn)換功能的三端口電路,有源混頻器通過內(nèi)置晶體管等有源元件,在實現(xiàn)射頻與中頻信號變換的同時提供顯著的轉(zhuǎn)換增益,這一特性使其在通信收發(fā)系統(tǒng)中具有關(guān)鍵價值。


目標(biāo)


本實驗的目標(biāo)是幫助理解有源混頻器的基本概念。


背景知識


本實驗將借助ADALM2000平臺深入探索有源混頻器的核心原理與應(yīng)用特性。作為具備頻率轉(zhuǎn)換功能的三端口電路,有源混頻器通過內(nèi)置晶體管等有源元件,在實現(xiàn)射頻與中頻信號變換的同時提供顯著的轉(zhuǎn)換增益,這一特性使其在通信收發(fā)系統(tǒng)中具有關(guān)鍵價值。


ADALM2000實驗指南:有源混頻器設(shè)計與轉(zhuǎn)換增益分析

圖1.混頻器的符號表示


如圖1所示,混頻器的輸出有兩種形式?;祛l器接收兩個不同頻率的輸入信號,輸出一個頻率信號;從圖中可見,輸出頻率既可以是兩個輸入頻率的和頻,也可以是兩者的差頻。這些頻率分別與如下之一對應(yīng):本地振蕩器頻率(LO)、射頻頻率(RF)和中頻頻率(IF)。


混頻器的主要用途是實現(xiàn)頻率轉(zhuǎn)換,轉(zhuǎn)換過程可分為上變頻和下變頻兩類。其中,LO端口始終為輸入端口;而RF端口和IF端口的角色則取決于具體應(yīng)用場景,既可作為輸入端口,也可作為輸出端口。在下變頻混頻器中,另一個輸入端口為RF端口,輸出則是頻率更低的IF信號(如圖2a所示)。


ADALM2000實驗指南:有源混頻器設(shè)計與轉(zhuǎn)換增益分析

圖2.(a)下變頻混頻器示意圖;(b)上變頻混頻器示意圖


在上變頻混頻器中,另一個輸入是IF,輸出則是RF信號,如圖2b所示。


材料


?ADALM2000主動學(xué)習(xí)模塊

?無焊試驗板和跳線套件

?兩個1 kΩ電阻

?兩個6.8 kΩ電阻

?一個OP37精密運算放大器

?一個LTC1043精密開關(guān)電容模塊

?三個N通道MOSFET(2-ZVN3310,1-ZVN2210A)


單平衡有源混頻器


混頻器還可分為單平衡混頻器與雙平衡混頻器,兩者各有優(yōu)缺點。


單平衡混頻器常稱為“平衡混頻器”,這種混頻器類型僅能抑制LO信號或RF信號中的一種,而非同時抑制這兩種信號。這種混頻器的應(yīng)用較為少見,因為它對輸入LO信號中的噪聲較為敏感。主要缺點是存在IF-LO串?dāng)_現(xiàn)象,即當(dāng)IF信號頻率與LO信號頻率相差不大時,LO信號可能會泄漏到IF信號中。單平衡混頻器的簡易電路如圖3所示。


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圖3.單平衡混頻器


硬件設(shè)置


按照圖4所示,構(gòu)建以下試驗板連接。


程序步驟


使用信號發(fā)生器W1和W2作為混頻器的頻率輸入。對于LO頻率,使用W1并將其設(shè)置為5 V、210 kHz的正弦波。對于RF輸入,則使用W2。在進(jìn)行上變頻混頻時,


ADALM2000實驗指南:有源混頻器設(shè)計與轉(zhuǎn)換增益分析

圖4.單平衡混頻器試驗板連接


W2的頻率應(yīng)低于LO頻率,因此將W2設(shè)置為5 V、25 kHz的正弦波。預(yù)期輸出頻率為185 kHz和235 kHz。模擬通道Ch2用于監(jiān)測RF輸入信號W2,而Ch1則通過頻譜分析儀監(jiān)測IF輸出信號。結(jié)果如圖5a所示。


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圖5.(a)上變頻頻譜圖;(b)下變頻頻譜圖


進(jìn)行下變頻混頻時,將W2設(shè)置為5 V、260 kHz的正弦波;這將作為混頻器的RF輸入。預(yù)期輸出頻率為50 kHz,頻譜結(jié)果應(yīng)類似于如圖5b所示。


基于LTC1043實現(xiàn)的單平衡有源混頻器


背景知識


理想情況下,若要實現(xiàn)混頻器低噪聲、高線性度的目標(biāo),需要設(shè)計一個能響應(yīng)LO輸入信號、實現(xiàn)極性切換功能的電路。因此,混頻器可以簡化為圖6所示形式:RF信號被分為同相(0°)分量與反相(180°)分量;一個由LO信號驅(qū)動的轉(zhuǎn)換開關(guān),會交替選擇同相信號與反相信號輸出。因此,從本質(zhì)上簡化來看,理想的混頻器可建模為一個符號開關(guān)。


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圖6.理想的開關(guān)混頻器


仿真


為演示混頻原理,可采用圖6所示的理想開關(guān)混頻器。該混頻器可通過LTC1043 CMOS模擬開關(guān)構(gòu)建,這是一款單芯片、電荷平衡的雙通道開關(guān)電容儀表級構(gòu)建模塊。其內(nèi)部的一對開關(guān)會交替執(zhí)行兩個動作:先將外部電容連接至輸入電壓,再將充好電的電容連接至輸出端口?;祛l器內(nèi)置了一個時鐘,其頻率可通過外接電容調(diào)節(jié):若未在引腳Cosc連接電容,內(nèi)部振蕩器頻率將為210 kHz;若外接39 pF電容(元件套件中最小容量的電容),LTC1043內(nèi)部振蕩器頻率則會變?yōu)?0 kHz。本次仿真基于“Cosc引腳未接電容”的結(jié)構(gòu)進(jìn)行。


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圖7.基于LTC1043的開關(guān)混頻器


圖7展示了LTspice?中的電路,該電路也可通過硬件元件在試驗板上實現(xiàn)。我們使用LTC1043第一組開關(guān)的輸入端。輸入信號將由信號發(fā)生器的通道1生成,并連接至引腳S1A。為獲取該輸入信號的反相版本,我們構(gòu)建了一個簡單的單位增益反相放大器,并將其輸出連接至引腳S2A。輸出可在引腳CA+處觀測,需通過示波器的通道2正極進(jìn)行監(jiān)測。若要實現(xiàn)下變頻混頻器,需將信號發(fā)生器通道1的頻率設(shè)置為高于振蕩器的頻率(例如250 kHz)。此時輸出頻率為這兩個頻率的差值,即40 kHz。參見圖8。


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圖8.下變頻混頻器的FFT分析圖


若將信號發(fā)生器通道1的頻率設(shè)置為60 kHz,混頻器輸出將包含兩個頻率分量:一個為和頻(fLo + fin = 270 kHz),另一個為差頻(fLo–fin = 150 kHz)。上變頻混頻器的FFT分析圖可參見圖9。


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圖9.上變頻混頻器的FFT分析圖


雙平衡混頻器或吉爾伯特單元


雙平衡混頻器主要用于避免輸出信號中出現(xiàn)LO產(chǎn)物。這種結(jié)構(gòu)需包含兩個單平衡混頻器電路,配備兩個并聯(lián)連接的差分RF晶體管,形成一對反向并聯(lián)的開關(guān)對。LO產(chǎn)物項會被抵消,且輸出信號中的RF信號幅度也會加倍。這種結(jié)構(gòu)的LO與IF之間具有高隔離度,有助于降低混頻后信號濾波環(huán)節(jié)的性能要求。在噪聲方面,由于采用了差分RF信號,這類混頻器比單平衡混頻器的抗噪聲能力更強(qiáng)。該類型混頻器也被稱為吉爾伯特單元。參見圖10。


ADALM2000實驗指南:有源混頻器設(shè)計與轉(zhuǎn)換增益分析

圖10.吉爾伯特單元結(jié)構(gòu)


從電路中可觀察到,吉爾伯特單元混頻器具有高度對稱性。這種對稱性不僅能實現(xiàn)電路平衡,還能在輸出端抑制LO和RF信號。在使用分立元件的系統(tǒng)中,吉爾伯特單元的應(yīng)用并不廣泛,原因是其所需的元件數(shù)量較多;但對于集成電路而言,吉爾伯特單元混頻器是理想之選。因為在集成電路中,元件數(shù)量并非關(guān)鍵考量因素,且這種混頻器無需變壓器或其他電感器等繞制元件,同時還能提供高水平的性能。


LTspice仿真


由于元件套件中提供的元件數(shù)量不足以構(gòu)建該電路,因此我們轉(zhuǎn)而在LTspice軟件中對電路進(jìn)行仿真。仿真所需的LTspice文件可從GitHub上的LTspice教育工具下載。圖11展示了該電路的IF輸出信號,此結(jié)果由IF正、負(fù)輸出差值計算得出。


ADALM2000實驗指南:有源混頻器設(shè)計與轉(zhuǎn)換增益分析

圖11.吉爾伯特單元的LTspice仿真圖。


基于LTC1043實現(xiàn)的雙平衡有源混頻器。


雙平衡混頻器結(jié)構(gòu)需要兩個單平衡電路。我們可以利用LTC1043構(gòu)建這種結(jié)構(gòu),因為它包含多個開關(guān),能夠提供所需的反向并聯(lián)開關(guān)對。圖12所示為該電路的原理圖。電路及其連接方式基本相同,僅第二組開關(guān)(S3A、S4A)的輸入端與第一組開關(guān)(S1A、S2A)的輸入端反向連接。在這種情況下,可通過示波器的通道2正極(連接至CA+引腳)和通道2負(fù)極(連接至CA–引腳)觀測輸出信號。


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圖12.基于LTC1043的雙平衡混頻器


為分析下變頻結(jié)構(gòu),需將信號發(fā)生器通道1設(shè)置為頻率250 kHz、峰峰值1 V的正弦波。下變頻的FFT分析結(jié)果如圖13所示。


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圖13.下變頻FFT分析圖


對于上變頻,信號發(fā)生器通道1生成的正弦波頻率需低于LTC1043內(nèi)部振蕩器的頻率(例如50 kHz)。該頻率下的FFT分析結(jié)果如圖14所示。


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圖14.上變頻FFT分析圖


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