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電源管理

基于MSP430的直流接地檢測(cè)系統(tǒng)

直流電源系統(tǒng)主要負(fù)責(zé)為電力生產(chǎn)過(guò)程中的控制設(shè)備、保護(hù)設(shè)備等供電。絕緣性能下降和直流母線接地是直流電源系統(tǒng)常見的故障。一旦直流電源發(fā)生故障后，會(huì)影響控制設(shè)備和保護(hù)設(shè)備的正常工作，故障嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)?dǎo)致控制設(shè)備的錯(cuò)誤控制和保護(hù)設(shè)備的拒保護(hù)，從而引發(fā)生產(chǎn)事故。

2011-11-22

直流檢測(cè) MSP430 負(fù)載

LinkSwitch-PH：PI推出超薄封裝 LED驅(qū)動(dòng)器IC用于熒光燈管替代

高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的世界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司近日宣布已可供應(yīng)采用eSIP?-7F（L封裝）的LinkSwitch-PH LED驅(qū)動(dòng)器IC，封裝高度僅為2 mm。這種新封裝針對(duì)熒光燈管的LED替換燈（只有超薄封裝才能裝入LED電路板后面非常狹小的空間內(nèi)）以及電路板高度受限的其他應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

2011-11-22

LED LinkSwitch-PH PI IC LED驅(qū)動(dòng)器

自適應(yīng)太陽(yáng)能路燈控制器的設(shè)計(jì)

基于改善季節(jié)性負(fù)載光伏太陽(yáng)能路燈運(yùn)行可靠性的目的，采用新一代自適應(yīng)單純太陽(yáng)能供電路燈控制器設(shè)計(jì)的方法，通過(guò)功率調(diào)節(jié)，電量檢測(cè)和剩余電量計(jì)算、組網(wǎng)功能等對(duì)蓄電池的充、放電以及路燈的開、關(guān)、最大功率跟蹤等智能控制，提高了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率，延長(zhǎng)了蓄電池的使用壽命，降低產(chǎn)品造價(jià)。...

2011-11-22

太陽(yáng)能控制器 MPPT 電路保護(hù)

提高同步整流應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度

基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢(shì)示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務(wù)器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實(shí)現(xiàn)的呢？它主要是通過(guò)嘗試新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，引進(jìn)新技術(shù)高性能的功率器件，同時(shí)通過(guò)良好的系統(tǒng)設(shè)計(jì)來(lái)保證，以上幾點(diǎn)我們會(huì)在接下...

2011-11-21

同步整流屏蔽整流 RDS(ON) MOSFET

充電電池容量自動(dòng)測(cè)試儀設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

電池容量是衡量電池質(zhì)量的重要指標(biāo)。最可靠最準(zhǔn)確無(wú)誤的還是以標(biāo)準(zhǔn)電流放電，全程測(cè)量實(shí)際放電時(shí)間的方式。本文介紹采用89S51作為控制芯片的充電電池容量自動(dòng)測(cè)試儀設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

2011-11-21

充電電池電池容量測(cè)試儀

SiT530x：SiTime推出Stratum 3解決方案用于高精密恒溫晶振時(shí)鐘

模擬半導(dǎo)體公司SiTime Corporation近日推出SiT530x系列全硅MEMS三級(jí)時(shí)鐘(Stratum 3)解決方案，以替代傳統(tǒng)的恒溫晶振和溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品。SiT5301和SiT5302定位于電信和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施，如基于同步光纖網(wǎng)（SONET）和同步以太網(wǎng)的核心及邊緣路由器、無(wú)線基站、IP時(shí)鐘和智能電網(wǎng)等應(yīng)用。

2011-11-21

SiT530x SiTime Stratum 3 晶振恒溫晶振

AON7423：AOS推出高功率密度、高能效的功率MOSFET用于便攜式應(yīng)用

日前，集設(shè)計(jì)，開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。

2011-11-21

AOS MOSFET

2011半導(dǎo)體發(fā)展趨緩，逆變器前景最好

據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)研究報(bào)告，由于消費(fèi)者支出整體走軟以及日本3月地震導(dǎo)致供應(yīng)鏈中斷，2011年電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)速度將慢于預(yù)期。

2011-11-21

半導(dǎo)體逆變器

光伏并網(wǎng)微逆變器關(guān)鍵技術(shù)分析

2011-11-21

光伏并網(wǎng) 微逆變器傳統(tǒng)逆變器

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