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電源管理

安森美SiC技術(shù)賦能AI數(shù)據(jù)中心，助力高能效電源方案

緊跟人工智能的算力步伐，全球數(shù)據(jù)中心正面臨前所未有的能耗挑戰(zhàn)。面對(duì)大模型訓(xùn)練、實(shí)時(shí)推理等場(chǎng)景帶來(lái)的指數(shù)級(jí)能耗增長(zhǎng)，全球領(lǐng)先的智能電源與感知技術(shù)供應(yīng)商安森美（onsemi）正式推出《AI數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案指南》，首次系統(tǒng)性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技術(shù)的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中...

2025-06-25

安森美碳化硅數(shù)據(jù)中心電源 AI服務(wù)器供電方案 SiC技術(shù) 數(shù)據(jù)中心能效提升系統(tǒng)方案指南

破局電動(dòng)車?yán)m(xù)航！羅姆第4代SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)助力豐田bZ5性能躍遷

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡(jiǎn)稱“豐田”）面向中國(guó)市場(chǎng)的全新跨界純電動(dòng)汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。

2025-06-24

羅姆豐田bZ5 電驅(qū)技術(shù) 第四代SiC MOSFET 車規(guī)級(jí)碳化硅模塊電動(dòng)車牽引逆變器

羅姆助力英偉達(dá)800V HVDC重塑AI數(shù)據(jù)中心能源架構(gòu)

隨著人工智能算力需求爆發(fā)性增長(zhǎng)的浪潮下，支撐其運(yùn)行的底層能源架構(gòu)正經(jīng)歷顛覆性升級(jí)。羅姆（ROHM）以其先進(jìn)的功率半導(dǎo)體技術(shù)，成為英偉達(dá)（NVIDIA）全新800V高壓直流（HVDC）數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的核心方案提供者。這一合作聚焦于提升兆瓦級(jí)AI工廠的能量轉(zhuǎn)換效率與功率密度，為下一代超大規(guī)模計(jì)算...

2025-06-23

羅姆英偉達(dá) 800V HVDC NVIDIA 800V 電源方案 AI數(shù)據(jù)中心電源

高壓BMS：電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的安全守護(hù)者與壽命延長(zhǎng)引擎

在能源轉(zhuǎn)型的浪潮中，電池儲(chǔ)能系統(tǒng)（BESS）已成為住宅、商業(yè)、工業(yè)和電網(wǎng)級(jí)應(yīng)用的核心基礎(chǔ)設(shè)施。而高達(dá)數(shù)百伏甚至上千伏的高壓電池系統(tǒng)，因其能量密度高、系統(tǒng)效率高、電流損耗小的優(yōu)勢(shì)，正成為大規(guī)模儲(chǔ)能的主流選擇。然而，高壓意味著高風(fēng)險(xiǎn)，也對(duì)電池管理提出了前所未有的挑戰(zhàn)。高壓電池管理系統(tǒng)...

2025-06-20

高壓BMS 電池管理系統(tǒng) 電池儲(chǔ)能系統(tǒng) 電池安全電池健康狀態(tài)SOH

破解工業(yè)電池充電器難題：升壓or圖騰柱？SiC PFC拓?fù)溥x擇策略

工業(yè)設(shè)備電動(dòng)化浪潮下，電池充電器面臨嚴(yán)苛挑戰(zhàn)：需兼容120-480V寬壓輸入，在震動(dòng)/粉塵/溫變等惡劣條件下實(shí)現(xiàn)高效供電，同時(shí)滿足尺寸重量極限壓縮與無(wú)風(fēng)扇散熱需求。本文聚焦PFC級(jí)核心設(shè)計(jì)，對(duì)比升壓與圖騰柱拓?fù)涞膶?shí)戰(zhàn)優(yōu)劣，解析SiC MOSFET如何重構(gòu)工業(yè)充電器性能邊界。

2025-06-19

工業(yè)電池充電器 PFC拓?fù)鋵?duì)比升壓PFC 圖騰柱PFC SiC MOSFET應(yīng)用

高頻時(shí)代的電源革命：GaN技術(shù)如何顛覆傳統(tǒng)開關(guān)電源架構(gòu)？

在電力電子系統(tǒng)對(duì)能效和功率密度要求日益嚴(yán)苛的背景下，氮化鎵（GaN）技術(shù)已成為推動(dòng)開關(guān)模式電源（SMPS）發(fā)展的核心動(dòng)力。相較于傳統(tǒng)硅基器件，GaN憑借其3.4eV的寬禁帶特性、更高的電子遷移率（990-2000 cm2/V·s）及更低的導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)），可將開關(guān)頻率提升至兆赫級(jí)，同時(shí)減少30%...

2025-06-09

電力電子系統(tǒng) 氮化鎵 GaN 開關(guān)模式電源

薄膜電容在新能源領(lǐng)域的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)：技術(shù)革新與市場(chǎng)機(jī)遇

隨著全球能源轉(zhuǎn)型加速，新能源產(chǎn)業(yè)（光伏、風(fēng)電、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車等）的爆發(fā)式增長(zhǎng)，對(duì)薄膜電容的需求持續(xù)攀升。薄膜電容憑借其高耐壓、低損耗、長(zhǎng)壽命等特性，成為新能源設(shè)備中不可或缺的核心元件。未來(lái)，其發(fā)展將圍繞材料創(chuàng)新、高功率密度設(shè)計(jì)、智能化集成等方向展開，同時(shí)面臨成本優(yōu)化與環(huán)保升級(jí)...

2025-06-05

薄膜電容

Spectrum儀器推出帶寬高達(dá)3.9 GHz的全新旗艦任意波形發(fā)生器

Spectrum儀器公司今日宣布推出四款高性能任意波形發(fā)生器（AWG），這也成為了公司發(fā)展的重要里程碑。新產(chǎn)品的輸出速率高達(dá)10GS/s，垂直分辨率為16位，帶寬最高更是可達(dá)3.9GHz，為射頻（RF）與微波信號(hào)生成提供了可靠的保障。

2025-06-04

Spectrum儀器

英飛凌推出全新緊湊型CoolSET封裝系統(tǒng)（SiP）

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSET?封裝系統(tǒng)（SiP）。這款緊湊的全集成式系統(tǒng)功率控制器可在85 - 305 VAC通用輸入電壓范圍內(nèi)提供最高60 W高效功率輸出。

2025-06-03

英飛凌

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