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通信廣電

控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解

在電源設計中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運行的關(guān)鍵。一個設計不當?shù)目刂苹芈房赡軐е码娫凑袷?、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應速度直接影響到電源對負載變化和輸入電壓波動的適應能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。

2025-06-25

LTspice 波特圖分析控制回路仿真開關(guān)穩(wěn)壓器電源穩(wěn)定性優(yōu)化相位裕度增益帶寬

EA電池模擬器：重構(gòu)電池研發(fā)全流程的技術(shù)引擎

在新能源產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長的背景下，電池技術(shù)已成為制約電動汽車續(xù)航里程、消費電子產(chǎn)品體驗、可再生能源儲能效率的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)電池研發(fā)模式依賴大量物理原型迭代，不僅面臨周期長、成本高的挑戰(zhàn)，更難以覆蓋極端工況下的性能驗證。EA電池模擬器的出現(xiàn)，通過構(gòu)建電池的數(shù)字孿生模型，為工程師提供...

2025-06-25

EA電池模擬器電池仿真技術(shù) 雙向直流電源電池內(nèi)阻測試電池模擬軟件

破局電動車續(xù)航！羅姆第4代SiC MOSFET驅(qū)動助力豐田bZ5性能躍遷

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。

2025-06-24

羅姆豐田bZ5 電驅(qū)技術(shù) 第四代SiC MOSFET 車規(guī)級碳化硅模塊電動車牽引逆變器

羅姆助力英偉達800V HVDC重塑AI數(shù)據(jù)中心能源架構(gòu)

隨著人工智能算力需求爆發(fā)性增長的浪潮下，支撐其運行的底層能源架構(gòu)正經(jīng)歷顛覆性升級。羅姆（ROHM）以其先進的功率半導體技術(shù)，成為英偉達（NVIDIA）全新800V高壓直流（HVDC）數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的核心方案提供者。這一合作聚焦于提升兆瓦級AI工廠的能量轉(zhuǎn)換效率與功率密度，為下一代超大規(guī)模計算...

2025-06-23

羅姆英偉達 800V HVDC NVIDIA 800V 電源方案 AI數(shù)據(jù)中心電源

攻克次諧波振蕩：CCM反激斜坡補償?shù)墓β史旨壷改?/span>

在CCM反激式轉(zhuǎn)換器設計中，峰值電流模式控制（Peak Current Mode Control）因其優(yōu)異的輸入電壓抑制能力、固有的逐周期限流保護和相對簡化的環(huán)路補償而備受青睞。然而，當占空比超過50%時，系統(tǒng)會出現(xiàn)固有的次諧波振蕩不穩(wěn)定性問題。斜坡補償技術(shù)正是攻克這一難題的核心手段，其設計策略需隨功率等級...

2025-06-23

CCM反激斜坡補償反激轉(zhuǎn)換器次諧波振蕩斜坡補償設計

高精度低噪聲 or 大功率強驅(qū)動？儀表放大器與功率放大器選型指南

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)的精密舞臺上，兩類關(guān)鍵“演員”——儀表放大器（In-Amp）與功率放大器（Power Amp）——扮演著截然不同卻都不可或缺的角色。它們雖共享“放大”之名，但設計哲學、核心任務與應用疆域存在本質(zhì)差異。理解這種差異，是工程師為系統(tǒng)挑選“最佳配角”的關(guān)鍵。

2025-06-20

儀表放大器功率放大器高精度放大器功率驅(qū)動電路

μV級精度保衛(wèi)戰(zhàn)：信號鏈電源噪聲抑制架構(gòu)全解，拒絕LSB丟失！

在精密測量、醫(yī)療儀器及工業(yè)傳感系統(tǒng)中，信號鏈的μV級精度直接決定系統(tǒng)性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態(tài)吞噬ADC/DAC的有效位數(shù)——當1mV電源紋波可導致12位ADC丟失4個LSB時，電源架構(gòu)選型便成為精度保衛(wèi)戰(zhàn)的核心戰(zhàn)場。本文從噪聲頻譜與拓撲本質(zhì)出發(fā)，拆解LDO、開關(guān)電源及混合架構(gòu)的噪聲基因...

2025-06-19

電源噪聲 ADC精度 PSRR優(yōu)化信號鏈噪聲抑制 LDO選型開關(guān)電源濾波

從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴展實戰(zhàn)指南

在10kW-50kW中高功率應用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯(lián)擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。

2025-06-19

SiC MOSFET并聯(lián) 高功率設計分立器件優(yōu)勢功率擴展熱管理設計并聯(lián)可靠性

雙核驅(qū)動新質(zhì)生產(chǎn)力：西部電博會聚焦四川雙萬億電子集群

在數(shù)字經(jīng)濟浪潮中，西部電博會已成為展現(xiàn)雙萬億產(chǎn)業(yè)集群實力的核心舞臺。作為四川首個突破萬億規(guī)模的支柱產(chǎn)業(yè)，電子信息產(chǎn)業(yè)2024年產(chǎn)值達1.8萬億元，構(gòu)建起涵蓋集成電路、新型顯示、智能終端等領(lǐng)域的全鏈條生態(tài)。依托成都、綿陽兩大創(chuàng)新極，四川不僅坐擁英特爾、京東方、華為等全球巨頭，更在柔性顯...

2025-06-18

西部電博會四川電子信息產(chǎn)業(yè) 成都AMOLED產(chǎn)線京東方 8.6代AMOLED 雙萬億產(chǎn)業(yè)集群

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