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技術(shù)文章

安森美智能感知技術(shù)和方案助力工業(yè)自動(dòng)化創(chuàng)新

智能感知是賦能機(jī)器視覺(jué)、機(jī)器人、掃描和檢測(cè)等工業(yè)自動(dòng)化的關(guān)鍵技術(shù)之一。安森美(onsemi)在成像領(lǐng)域有超過(guò)40年的豐富經(jīng)驗(yàn)，在激光雷達(dá)(LiDAR)等深度感知領(lǐng)域也領(lǐng)先行業(yè)，提供各種先進(jìn)的智能感知方案，采用高度差異化的成像技術(shù)如高動(dòng)態(tài)范圍、全局快門(mén)、近紅外、RGB-IR及深度感知技術(shù)如硅光電倍增管...

2022-01-18

安森美智能感知技術(shù) 工業(yè)自動(dòng)化

SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）帶來(lái)的影響時(shí),需要在包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路的寄生分量在內(nèi)的等效電路基礎(chǔ)上進(jìn)行考量。

2022-01-17

SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。

2022-01-17

SiC MOSFET 橋式結(jié)構(gòu)

思特威與加速科技正式簽署合作協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高速圖像采集測(cè)試系統(tǒng)！

2022年1月17日，中國(guó)上海 — 技術(shù)先進(jìn)的CMOS圖像傳感器供應(yīng)商思特威（SmartSens）將與杭州加速科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“加速科技”）展開(kāi)進(jìn)一步深入合作，共同開(kāi)發(fā)用于超高分辨率和超高幀率圖像傳感器高速接口測(cè)試的高速圖像采集測(cè)試系統(tǒng)。該高速圖像采集測(cè)試系統(tǒng)預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸速率將達(dá)到3.5Gsps，有助...

2022-01-17

思特威加速科技圖像采集

基于LM5036的半橋DC／DC電源非恒定電流限制

同時(shí)，LM5306在過(guò)流保護(hù)時(shí)可以進(jìn)入打嗝模式。其周期可由RES引腳上的外接電容進(jìn)行配置。除了傳統(tǒng)的過(guò)流打嗝模式，LM5036還支持倒灌電流的嗝模式保護(hù) 。當(dāng)?shù)构嚯娏鞣磸?fù)出現(xiàn)時(shí)，LM5036也可進(jìn)入打嗝模式。打嗝重啟電容器處設(shè)置15μA電流源。

2022-01-17

LM5036 半橋DC／DC電源非恒定電流限制

ScaleFlux為高性能數(shù)據(jù)庫(kù)提供超密集的計(jì)算存儲(chǔ)解決方案

作為大規(guī)模部署計(jì)算存儲(chǔ)的領(lǐng)導(dǎo)者，ScaleFlux于近日宣布其旗艦CSD 2000解決方案與Supermicro的FatTwin?（一種高密度4U多節(jié)點(diǎn)系統(tǒng)）相契合——提供了一個(gè)完全集成的高性能、經(jīng)濟(jì)高效的平臺(tái)，非常適合部署Redis on Flash (RoF)。

2022-01-17

ScaleFlux 數(shù)據(jù)庫(kù) 存儲(chǔ)方案

電路板的電磁兼容問(wèn)題如何處理？

隨著信息化社會(huì)的發(fā)展，各種電子產(chǎn)品經(jīng)常在一起工作，它們之間的干擾越來(lái)越嚴(yán)重，所以，電磁兼容問(wèn)題也就成為一個(gè)電子系統(tǒng)能否正常工作的關(guān)鍵。

2022-01-17

電路板電磁兼容

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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

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