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技術文章

電力電子中的傳導性ＥＭＩ噪聲源測量與分析

電力電子設備由于電磁兼容性能差而影響了其廣泛應用，因此提高EMC性能，降低電磁干擾就顯得十分重要，而其中EMI傳導噪聲濾波是有效方法之一，特別是EMI噪聲源的測定與分析是設計EMI濾波器的前提條件，本文詳細分析了電力電子設備中傳導電磁干擾噪聲產生的機理，然后分析討論了幾種主要EMI噪聲源建模...

2008-10-12

ＥＭＩ電力電子噪聲

電磁兼容EMC中的屏蔽技術分析

電磁場的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內容、物理條件、屏蔽作用等以及它們之間的聯(lián)系。

2008-10-12

靜電屏蔽靜磁電磁

RFID 技術原理及其射頻天線設計

首先簡要介紹RFID 技術的基本工作原理,然后介紹了幾種基本的RFID 射頻天線及其工作原理,并針對普遍使用的偶極子天線在RFID 系統(tǒng)中方向性上的不足提出改進,最后,給出一個具有全向收發(fā)功能的RFID 天線設計.

2008-10-12

RFID 技術天線偶極子

1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實現(xiàn)研究

本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設計。E-pHEMT管的低噪聲系數(shù)和高OIP3使它在高動態(tài)范圍電路設計上具有很大的優(yōu)勢,并且該放大器的技術指標達到了CDMA基站的接收前端對低噪聲放大器的規(guī)范要求,具有很好的應用前景。

2008-10-12

截點 E-pHEMT 平衡結構 LNA 仿真

阻抗匹配

本文詳細討論了傳輸線的阻抗匹配問題。重點介紹了串聯(lián)終端匹配和并聯(lián)終端匹配，提出將訊號的傳輸看成軟管送水澆花和傳輸線之終端控管技術。

2008-10-12

傳輸線阻抗匹配訊號特性阻抗

RF功率MOSFET產品及其工藝開發(fā)

本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結構特征，設計出RF 功率 LDMOSFET器件結構，通過工藝和器件模擬確定了關鍵參數(shù)，并設計了一套符合6寸芯片生產線的制造工藝流程，對工藝中的難點提出了解決方案。

2008-10-12

RF MOSFET 性能工藝

運放式射頻放大器

本文詳細介紹了放大器的基本拓撲和參數(shù)，如果價格可以接受的話，運放，特別是CFB運放非常適合射頻設計。

2008-10-12

運放射頻 CFB

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