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技術(shù)文章

向連接器高頻高速輕薄化進(jìn)階!——對(duì)話優(yōu)群科技

世界領(lǐng)先的電子制造設(shè)備展會(huì)——慕尼黑上海電子展在2023年7月11-13日于國(guó)家會(huì)展中心正式拉開(kāi)帷幕, 各大連接器企業(yè)在展會(huì)中紛紛攜帶特色電子產(chǎn)品亮相。

2023-09-19

連接器高頻優(yōu)群科技

IO Link在工業(yè)的應(yīng)用及國(guó)產(chǎn)過(guò)壓保護(hù)設(shè)計(jì)

目前ST的IO Link應(yīng)用廣泛，ST使用的是型號(hào)為STM32F76的MCU?？梢岳盟鼇?lái)支持以太網(wǎng)或者現(xiàn)場(chǎng)的工業(yè)網(wǎng)絡(luò)總線。這個(gè)板上還有USB口，它可以連接電腦，使用TEConcept的IO-Link tool、IO-Link control Tool進(jìn)行測(cè)試和配置。同時(shí)，這板上還有ST的L6360芯片。

2023-09-19

IO Link 工業(yè)應(yīng)用過(guò)壓保護(hù)

485隔離模塊應(yīng)用遇到問(wèn)題無(wú)法解決？看這一篇就夠了！

在使用總線通訊模塊時(shí)，工程師常常會(huì)遇到產(chǎn)品失效的情況，無(wú)法找到對(duì)應(yīng)的解決方案。本文將對(duì)隔離收發(fā)模塊應(yīng)用時(shí)可能遇到的常見(jiàn)問(wèn)題進(jìn)行梳理，進(jìn)行原因分析并提供對(duì)應(yīng)解決方案。

2023-09-19

485 隔離模塊應(yīng)用

IGBT驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)入可編程時(shí)代，英飛凌新品X3有何玄機(jī)？

俗話說(shuō)，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動(dòng)IC。一顆好的驅(qū)動(dòng)不僅要提供足夠的驅(qū)動(dòng)功率，最好還要有完善的保護(hù)功能，例如退飽和保護(hù)、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護(hù)等，為IGBT的安全運(yùn)行保駕護(hù)航。

2023-09-19

IGBT驅(qū)動(dòng)芯片可編程英飛凌

X-FAB最新的無(wú)源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力

中國(guó)北京，2023年9月14日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，新增集成無(wú)源器件（IPD）制造能力，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員（...

2023-09-18

X-FAB 無(wú)源器件集成技術(shù)

如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！

SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來(lái)最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動(dòng)裝配的便利性，同時(shí)減少了元件尺寸，并達(dá)成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。

2023-09-18

高性能 RDS(On) 表面貼裝

如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET

碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護(hù)航。

2023-09-18

英飛凌 IC SiC MOSFET

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