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從光伏到充電樁，線繞電阻破解新能源設(shè)備浪涌防護(hù)難題
線繞電阻憑借高可靠性、耐脈沖電流及寬溫域性能，成為新能源與交通領(lǐng)域關(guān)鍵電子元件。在光伏逆變器中限制直流側(cè)電容充電電流，于風(fēng)電變流器Crowbar電路吸收電網(wǎng)故障能量，為電動(dòng)汽車BMS提供±0.1%精度的四線制電流檢測，并在快充樁中實(shí)現(xiàn)緊急泄放儲(chǔ)能。其抗震設(shè)計(jì)（10G加速度）、10萬小時(shí)壽命及-55℃~175℃耐溫特性，保障極端工況下的系統(tǒng)安全，成為新能源設(shè)備抵御浪涌沖擊、延長服役周期的核心防護(hù)器件，助力綠色能源轉(zhuǎn)型。
2025-05-22
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800V牽引逆變器：解鎖電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航與性能躍升的工程密鑰
在全球電動(dòng)汽車年銷量突破3000萬輛的產(chǎn)業(yè)拐點(diǎn)（據(jù)BloombergNEF 2025年數(shù)據(jù)），續(xù)航焦慮與性能衰減仍是制約市場滲透率的核心痛點(diǎn)。作為電驅(qū)系統(tǒng)的"心臟"，牽引逆變器正通過材料革命與架構(gòu)創(chuàng)新，推動(dòng)電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)NEDC工況下750km續(xù)航與百萬公里級(jí)耐久性的雙重突破。這場由800V高壓平臺(tái)引領(lǐng)的技術(shù)變革，正在重構(gòu)電動(dòng)汽車的價(jià)值鏈競爭力。
2025-05-12
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一文讀懂運(yùn)動(dòng)控制驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)邏輯
電動(dòng)驅(qū)動(dòng)器是一種通過控制設(shè)備來調(diào)節(jié)電動(dòng)機(jī)操作的系統(tǒng)。驅(qū)動(dòng)器的主要任務(wù)是管理電能（以及氣動(dòng)和氣動(dòng)）轉(zhuǎn)換為機(jī)械能（線性，旋轉(zhuǎn)，振蕩或其他類型的運(yùn)動(dòng)），并針對特定應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它們由幾個(gè)組件組成，包括電動(dòng)機(jī)，伺服電動(dòng)機(jī)，步進(jìn)電動(dòng)機(jī)，逆變器，傳感器和控制系統(tǒng)。
2025-05-09
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金海迪電子攜0.5mm超薄貼片器件亮相深圳電子展 定義新能源磁性元件新標(biāo)桿
2025年4月10日，深圳會(huì)展中心9號(hào)館內(nèi)，濰坊金海迪電子有限公司（展位9C515）以全球首發(fā)姿態(tài)引爆第105屆中國電子展。作為高頻貼片磁性器件領(lǐng)域的隱形冠軍，這家國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)重磅推出厚度僅0.5mm的SMD-8015型超薄貼片電流互感器，其突破性的±0.3%檢測精度和125℃高溫耐受性能，直擊微型逆變器與儲(chǔ)能設(shè)備微型化痛點(diǎn)。展臺(tái)上，由全自動(dòng)化產(chǎn)線打造的PT-3200系列貼片變壓器同步亮相，以30%的體積壓縮比和醫(yī)療級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)，向全球客商演繹中國精密電子元件的"硬核科技"進(jìn)階之路。
2025-04-10
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為什么碳化硅Cascode JFET?可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。
2025-03-11
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傳輸晶體管邏輯簡介
流經(jīng)通道的電流問題會(huì)導(dǎo)致典型 CMOS 功能的一個(gè)更微妙但至關(guān)重要的方面。 CMOS 反相器確保輸出節(jié)點(diǎn)與電源軌或地具有低電阻連接；反相器總是NMOS導(dǎo)通、PMOS截止或PMOS導(dǎo)通、NMOS截止。這就是為什么我們可以說 CMOS 電路驅(qū)動(dòng)邏輯低或邏輯高。這也是為什么圍繞逆變器拓?fù)錁?gòu)建的邏輯電路如此可靠的“數(shù)字”——所有節(jié)點(diǎn)都具有明確定義的二進(jìn)制狀態(tài)，因?yàn)樗鼈兪冀K具有通向電源電壓或接地的低電阻路徑。
2025-02-11
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用第三代 SiC MOSFET設(shè)計(jì)電源性能和能效表現(xiàn)驚人！
在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴(yán)苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生。
2025-01-17
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機(jī)從1997年開始將DIPIPM產(chǎn)品化，廣泛應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結(jié)構(gòu)，由功率芯片和具有驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能的控制IC芯片組成。通過優(yōu)化功率芯片和控制IC，預(yù)先調(diào)整了開關(guān)速度等特性。搭載驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路、電平轉(zhuǎn)換電路的HVIC（High Voltage IC），可通過CPU或微機(jī)的輸入信號(hào)直接控制，通過單電源化和消除光耦來減小電路板尺寸，并實(shí)現(xiàn)高可靠性。另外，內(nèi)置BSD（Bootstrap Diode），可減少外圍元件數(shù)量。因此，DIPIPM使逆變器外圍電路的設(shè)計(jì)變得更加容易，有助于客戶逆變器電路板的小型化和縮短設(shè)計(jì)時(shí)間。
2025-01-09
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IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
制造商和消費(fèi)者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護(hù)環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動(dòng)汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅(qū)動(dòng)。
2025-01-08
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準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計(jì)
qZSI 旨在解決與可再生能源中電壓范圍受限相關(guān)的挑戰(zhàn)，與 CSI 和 VSI 等傳統(tǒng)逆變器拓?fù)洳煌?，qZSI 可以處理功率波動(dòng)。qZSI 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)了對突然電壓尖峰等故障的容忍度，從而提高了電壓轉(zhuǎn)換的整體效率和可靠性。QZSI 是從 Z 源逆變器 （ZSI） 拓?fù)溲葑兌鴣淼?，允許在一個(gè)階段進(jìn)行升壓和降壓操作。
2024-12-22
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貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲(chǔ)能解決方案
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 攜手安森美 (onsemi) 和 Würth Elektronik為持續(xù)增長的太陽能逆變器市場提供豐富的解決方案。
2024-12-09
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雷諾旗下安培與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議，合作開發(fā)電動(dòng)汽車電源控制系統(tǒng)
雷諾集團(tuán)旗下純智能電動(dòng)汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動(dòng)，雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體簽署了一份從 2026 年開始為安培長期供應(yīng)碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協(xié)議，該協(xié)議是雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體為安培超高效電動(dòng)汽車逆變器開發(fā)電源控制系統(tǒng) (powerbox) 的合作計(jì)劃的一部分。功率模塊是電源控制系統(tǒng)的關(guān)鍵元件，安培和意法半導(dǎo)體合作優(yōu)化功率模塊，確保電驅(qū)系統(tǒng)具有很強(qiáng)的性能和競爭力，同時(shí)充分發(fā)揮安培在電動(dòng)汽車技術(shù)方面的特長和意法半導(dǎo)體在先進(jìn)功率元器件研制領(lǐng)域的獨(dú)到之處。
2024-12-05
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