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針對(duì)高壓應(yīng)用優(yōu)化寬帶隙半導(dǎo)體器件
自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實(shí)現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導(dǎo)通電阻來控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對(duì)于功率 MOSFET，導(dǎo)通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù)。電導(dǎo)率的主要行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是材料技術(shù)中的特定導(dǎo)通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。
2023-04-13
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知名半導(dǎo)體芯片制造企業(yè)——揚(yáng)州晶新微電子參展CITE2023
揚(yáng)州晶新微電子有限公司是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)與制造的企業(yè)，在功率器件和高頻小信號(hào)芯片生產(chǎn)制造方面深耕多年，具有悠久的歷史，前身可追溯到60年代成立的國營“揚(yáng)州晶體管廠”，在半導(dǎo)體行業(yè)具有廣泛的影響力。
2023-03-21
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功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)選型避坑指南
“ 動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測(cè)試進(jìn)行。”
2023-03-03
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第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車上的應(yīng)用
目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用，在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用，當(dāng)然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因?yàn)镾iC的襯底良率還有長晶的速度很慢導(dǎo)致成本偏高。隨著工藝的改進(jìn)，這些都會(huì)得到解決。
2023-02-21
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RS瑞森半導(dǎo)體LLC恒流方案的應(yīng)用市場(chǎng)
首先介紹芯片具有的特性：RSC6105S系列芯片是適用于LLC諧振拓?fù)?，帶有半橋?qū)動(dòng)恒流控制電路的芯片，最高工作頻率在130KHZ。其中內(nèi)部集成的模塊包括：邏輯輸入信號(hào)處理電路、欠壓檢測(cè)電路、過壓保護(hù)電路、過溫保護(hù)電路、CS反饋信號(hào)整流電路、誤差放大器電路、壓控振蕩電路、電流過零檢測(cè)電路（ZCD）、電平位移電路等模塊，可以自動(dòng)設(shè)置死區(qū)時(shí)間，防止高端和低端輸出功率管的同時(shí)導(dǎo)通，使方案設(shè)計(jì)更簡單可靠，同時(shí)對(duì)功率器件的選擇精度放寬，便于備料。該系列芯片還具備開路保護(hù)、短路保護(hù)、過溫保護(hù)等保護(hù)功能。
2023-02-17
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有源鉗位技術(shù)解析
在風(fēng)電、光伏、新能源汽車、工業(yè)變頻等大功率應(yīng)用場(chǎng)合，主電路中母線電容到功率器件間存在較大雜散電感 (幾十到幾百nH)。功率器件在關(guān)斷時(shí)，由于雜散電感Ls的存在，通過Ls*di/dt感應(yīng)產(chǎn)生浪涌電壓，此感應(yīng)高電壓與前端母線電容電壓方向一致，因此功率器件兩端疊加的電壓尖峰會(huì)超過母線電壓，在過流或短路發(fā)生時(shí)甚至可能會(huì)超過功率器件的耐受電壓而導(dǎo)致?lián)p壞。功率器件保護(hù)方式有RC吸收回路、軟開關(guān)以及飽和壓降檢測(cè)限流等，其中RC吸收回路具有以犧牲回路效率為代價(jià)，同時(shí)可能帶來吸收回路溫度過高的風(fēng)險(xiǎn)。有源鉗位可以直接加在驅(qū)動(dòng)回路里面，通過延緩驅(qū)動(dòng)關(guān)斷來吸收浪涌能量，能夠有效減小尖峰電壓起到保護(hù)作用，因此有源鉗位方案具有占用面積小、成本低、響應(yīng)速度快、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
2023-01-13
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碳化硅器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試技術(shù)剖析
提到動(dòng)態(tài)特性，大家的第一反應(yīng)一定是開關(guān)特性，這確實(shí)是功率器件的傳統(tǒng)核心動(dòng)態(tài)特性。由于其是受到器件自身參數(shù)影響的，故器件研發(fā)人員可以根據(jù)開關(guān)波形評(píng)估器件的特性，并有針對(duì)性地進(jìn)行優(yōu)化。另外，電源工程師還可以基于測(cè)試結(jié)果對(duì)驅(qū)動(dòng)電路和功率電路設(shè)計(jì)進(jìn)行評(píng)估和優(yōu)化。
2023-01-10
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車規(guī)碳化硅功率模塊 - 襯底和外延篇
中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)最新數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍，市場(chǎng)占有率達(dá)到25%。由此可見新能源汽車的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了快車道。在這里我們注意到，由于里程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線系統(tǒng)獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線系統(tǒng)，讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊，由于碳化硅得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)，使得它非常適合用來制造高耐壓、高結(jié)溫、高速的MOSFET，這三高恰好契合了800V母線系統(tǒng)對(duì)于核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非?？春?00V母線系統(tǒng)的發(fā)展，有一些研究機(jī)構(gòu)，預(yù)測(cè)截至到2026年，SiC在整個(gè)功率器件市場(chǎng)的占比將達(dá)到12%以上。
2023-01-10
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電動(dòng)車快速直流充電：常見的系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率器件
直流快速充電（以下簡稱“DCFC”）在消除電動(dòng)車采用障礙方面的作用是顯而易見的。對(duì)更短充電時(shí)間的需求推動(dòng)近400千瓦的高功率電動(dòng)車快充進(jìn)入市場(chǎng)。本博客將講述典型的電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和用于DCFC的AC-DC和DC-DC的功率器件的概況。
2023-01-06
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)選型及供電設(shè)計(jì)要點(diǎn)
新能源汽車動(dòng)力域高壓化、小型化、輕型化是大勢(shì)所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)，更適合車載充電機(jī)OBC、直流變換器 DC/DC、電機(jī)控制器等應(yīng)用場(chǎng)景高頻驅(qū)動(dòng)和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。本文主要針對(duì)SiC MOSFET的應(yīng)用特點(diǎn)，介紹了車載充電機(jī)OBC和直流變換器DC/DC應(yīng)用中的SiC MOSFET的典型使用場(chǎng)景，并針對(duì)SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動(dòng)芯片方案。最后，本文根據(jù)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)對(duì)供電的特殊要求，對(duì)不同供電設(shè)計(jì)方案的優(yōu)劣勢(shì)進(jìn)行了分析。
2023-01-05
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RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢(shì)是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
2022-12-30
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氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強(qiáng)型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對(duì)于其柵極驅(qū)動(dòng)IC，如上期所介紹的，英飛凌對(duì)其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請(qǐng)了不少專利，其中就包括采用RC電路的負(fù)壓關(guān)斷方案。
2022-12-22
- 機(jī)構(gòu)預(yù)警：DRAM價(jià)格壓力恐持續(xù)至2027年，存儲(chǔ)原廠加速擴(kuò)產(chǎn)供應(yīng)HBM
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