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從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求
隨著新能源汽車(chē)和電動(dòng)飛機(jī)概念的興起，在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)里，電能都將會(huì)是人類(lèi)社會(huì)發(fā)展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升，每年全社會(huì)對(duì)電能的消耗量都是一個(gè)天文數(shù)字。比如在中國(guó)，根據(jù)國(guó)家能源局發(fā)布的數(shù)據(jù)，2022年全社會(huì)用電量86,372億千瓦時(shí)，同比增長(zhǎng)3.6%；其中，高速發(fā)展的新能源汽車(chē)在整車(chē)制造方面，用電量大幅增長(zhǎng)71.1%。
2023-10-09
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半導(dǎo)體功率器件的無(wú)鉛回流焊
半導(dǎo)體器件與 PCB 的焊接歷來(lái)使用錫/鉛焊料，但根據(jù)環(huán)境法規(guī)的要求，越來(lái)越多地使用無(wú)鉛焊料來(lái)消除鉛。大多數(shù)適合這些應(yīng)用的無(wú)鉛焊料是具有較高熔點(diǎn)的錫/銀合金，相應(yīng)地具有較高的焊料回流溫度。
2023-10-09
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多元融合高彈性電網(wǎng)初落地，電源和功率器件迎行業(yè)風(fēng)口
每到盛夏，我國(guó)江浙沿海一帶就會(huì)出現(xiàn)電力緊張問(wèn)題。因此，“高溫下保供電”便成為各地的主要方針。同時(shí)，隨著新能源汽車(chē)滲透率提升，電能供應(yīng)的挑戰(zhàn)會(huì)越來(lái)越大。為了能夠更好地解決供電難題，多元融合高彈性電網(wǎng)成為電力能源領(lǐng)域的熱門(mén)概念，并已經(jīng)得到了初步的落實(shí)。
2023-09-22
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET
碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護(hù)航。
2023-09-18
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如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！
SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來(lái)最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動(dòng)裝配的便利性，同時(shí)減少了元件尺寸，并達(dá)成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。
2023-09-18
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SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，如何才能成為頭部玩家？
在功率電子領(lǐng)域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說(shuō)是第二，就沒(méi)有人敢說(shuō)第一了。隨著原有的Si基功率半導(dǎo)體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來(lái)沖刺更高的性能，已經(jīng)是大勢(shì)所趨。
2023-09-15
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如何選擇和開(kāi)始使用功率器件驅(qū)動(dòng)器
所有的分立式開(kāi)關(guān)功率器件都需要驅(qū)動(dòng)器，無(wú)論這些器件是分立式金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅(qū)動(dòng)器是系統(tǒng)處理器的低電壓、低電流輸出端與開(kāi)關(guān)器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環(huán)境中運(yùn)行，而后者則在惡劣條件下工作，對(duì)電流、電壓和定時(shí)有著嚴(yán)格的要求。
2023-09-14
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適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
隨著設(shè)備變得越來(lái)越小，電源也需要跟上步伐。因此，當(dāng)今的設(shè)計(jì)人員有一個(gè)優(yōu)先目標(biāo)：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開(kāi)關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計(jì)劃來(lái)提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設(shè)計(jì)需要在設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。
2023-08-21
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析——下
IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶(hù)可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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派恩杰半導(dǎo)體將于11月亮相 AUTO TECH 2023 廣州國(guó)際汽車(chē)技術(shù)展覽會(huì)
11月1日-3日，中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌--派恩杰半導(dǎo)體將于廣州保利世貿(mào)博覽館，亮相 AUTO TECH 2023 廣州國(guó)際汽車(chē)技術(shù)展覽會(huì)。
2023-07-31
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安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作， 協(xié)議總價(jià)值超10億美元
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車(chē)行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(zhǎng)期以來(lái)，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開(kāi)展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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實(shí)測(cè)案例：1200V GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試
氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開(kāi)關(guān)速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時(shí)，極快的開(kāi)關(guān)速度又對(duì)其動(dòng)態(tài)特性的測(cè)試提出了更高的要求，稍有不慎就會(huì)得到錯(cuò)誤結(jié)果。
2023-07-18
- 機(jī)構(gòu)預(yù)警：DRAM價(jià)格壓力恐持續(xù)至2027年，存儲(chǔ)原廠加速擴(kuò)產(chǎn)供應(yīng)HBM
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