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美高森美推出用于線(xiàn)性照明燈具的超快速啟動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)器
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)推出一款針對(duì)全球各地住宅、商業(yè)和工業(yè)照明燈具而優(yōu)化的新型可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器模塊。
2012-05-14
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Microsemi推出用于有線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)通信應(yīng)用的系統(tǒng)管理設(shè)計(jì)工具
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出一套用于高可用性有線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的系統(tǒng)與功率管理設(shè)計(jì)工具。新設(shè)計(jì)工具包括美高森美混合信號(hào)功率管理工具(Mixed Signal Power Manager，MPM) 4.0參考設(shè)計(jì)，支持多達(dá)64個(gè)電源軌和混合模擬與數(shù)字負(fù)載點(diǎn)(point-of-loads，POL)，以及基于PMBus?的通信。美高森美還提供了可用于Microsemi SmartFusion?可定制系統(tǒng)級(jí)芯片(customizable system-on-chip solution，cSoC)解決方案的評(píng)測(cè)工具套件，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品功能的快速評(píng)測(cè)。
2012-05-10
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Microsemi擴(kuò)展軍用溫度半導(dǎo)體產(chǎn)品涵蓋SmartFusion? cSoC
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布，已經(jīng)對(duì)SmartFusion?可定制系統(tǒng)級(jí)芯片(customizable system-on-chip，cSoC) 器件進(jìn)行完全篩選，以滿(mǎn)足-55℃到125℃的嚴(yán)格的軍用工作溫度范圍要求。這些器件集成了基于ARM? Cortex?-M3的處理器，并針對(duì)軍用工作溫度范圍進(jìn)行了完全測(cè)試，瞄準(zhǔn)各種確保高可靠性性能至關(guān)重要的應(yīng)用，包括航空電子系統(tǒng)和火箭，以及無(wú)人操縱的軍用系統(tǒng)，這些裝置必須在嚴(yán)苛的地面和大氣環(huán)境中連續(xù)且可靠地運(yùn)作。
2012-04-19
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SmartFusion?：Microsemi發(fā)布SmartFusion cSoC參考設(shè)計(jì)
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布提供基于SmartFusion?可定制系統(tǒng)級(jí)芯片(customizable system-on-chip，cSoC) 的工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用LCD顯示器參考設(shè)計(jì)。靈活的cSoC架構(gòu)使得產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人員能夠支持種類(lèi)繁多的LCD面板配置選項(xiàng)，而且能夠以具有成本效益的遠(yuǎn)程方式改變LCD驅(qū)動(dòng)器功能，支持產(chǎn)品升級(jí)。此外，新平臺(tái)支持開(kāi)放式圖形庫(kù)安全關(guān)鍵性應(yīng)用版本(Open Graphic Library Safety Critical，OpenGL SC)，這是開(kāi)發(fā)安全關(guān)鍵性嵌入式顯示系統(tǒng)的相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2012-04-17
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FAN5904：飛兆半導(dǎo)體推出高效大功率降壓轉(zhuǎn)換器
便攜產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員面對(duì)不斷變化的標(biāo)準(zhǔn)、增加電池壽命，以及延長(zhǎng)通話(huà)和數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間的需求。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出一種用于手機(jī)和平板電腦射頻部分的功率管理產(chǎn)品。
2012-03-31
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ZL30150：Microsemi推出用于移動(dòng)多媒體的高集成度SyncE器件
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 發(fā)布用于移動(dòng)多媒體和基于封包的運(yùn)營(yíng)級(jí)以太網(wǎng)應(yīng)用的單芯片ZL30150線(xiàn)路卡(line card) 器件，擴(kuò)展其業(yè)界最大型同步以太網(wǎng)(synchronous Ethernet，SyncE) 產(chǎn)品系列。Microsemi的ZL30150具有兩個(gè)集成數(shù)字鎖相環(huán)(digital phase lock loop，DPLL)，能夠支持多達(dá)四個(gè)輸入，用于發(fā)送和接收時(shí)鐘需要單獨(dú)的應(yīng)用場(chǎng)景。新的線(xiàn)路卡器件還集成了兩個(gè)數(shù)控振蕩器(numerically controlled oscillator，NCO)，適合用于GSM、WCDMA和LTE應(yīng)用的網(wǎng)絡(luò)測(cè)量和控制系統(tǒng)。三家大型電信設(shè)備制造商已經(jīng)選擇ZL30150用于下一代路由器和交換機(jī)。
2012-03-30
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RF功率管的輸入輸出阻抗測(cè)量
在設(shè)計(jì)射頻放大電路的工作中，一般都要涉及到輸入輸出阻抗匹配的問(wèn)題，而匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)是解決問(wèn)題的關(guān)鍵，如果知道網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)需要的阻抗，那么就可以利用射頻電路設(shè)計(jì)軟件(如RFSim99)自動(dòng)設(shè)計(jì)出匹配網(wǎng)絡(luò)，非常方便。
2012-01-27
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射頻功率管的輸入輸出阻抗測(cè)量方法
有時(shí)候?yàn)榱私档彤a(chǎn)品的功耗，必須設(shè)計(jì)出匹配良好和高效率的射頻功率放大器，這時(shí)就有必要測(cè)量功率管在特定工作條件下的輸入輸出阻抗。在測(cè)定的過(guò)程中，首選的儀器是昂貴的網(wǎng)絡(luò)分析儀，但是在不具備網(wǎng)絡(luò)分析儀的情況下，可以尋求用普通的儀器(如示波器、阻抗測(cè)試儀等)進(jìn)行測(cè)量。下面介紹一種用普通測(cè)量?jī)x器測(cè)量射頻功率管在實(shí)際工作條件下的輸入輸出阻抗的方法。
2012-01-06
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低功耗制造測(cè)試技術(shù)
本文將首先介紹動(dòng)態(tài)功耗與測(cè)試之間的關(guān)系，以說(shuō)明為何功率管理現(xiàn)在比以往任何時(shí)候都迫切；然后介紹兩種獨(dú)特的DFT技術(shù)，它們利用了ATPG技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，以自動(dòng)生成低功率制造性測(cè)試。
2011-12-29
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DC/DC電源技術(shù)研究
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，很多場(chǎng)合需要大功率大電流的直流電源。EAST的磁約束核聚變裝置使用的直流快控電源即是一種大功率直流電源，其技術(shù)要求為：電壓響應(yīng)時(shí)間1ms峰值電壓50V；最大電流20kA，能實(shí)現(xiàn)4個(gè)象限的運(yùn)行。針對(duì)此要求，不可避免地需采用電源并聯(lián)技術(shù)，即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對(duì)于20kA直流電源，若采用功率管IGBT并聯(lián)，每個(gè)橋臂則至少需15只功率管并聯(lián)，這不但給驅(qū)動(dòng)帶來(lái)很大困難，而且，在一般情況下，電流容量較大的功率管的電壓容量也較大，在實(shí)際電壓只有50V 的情況下，對(duì)功率管的電壓容量而言，這是極大的浪費(fèi)。因此，提出采用多米諾結(jié)構(gòu)的DC/DC電源裝置并聯(lián)技術(shù)思路。
2011-12-27
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LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)5大關(guān)鍵點(diǎn)
這主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡(jiǎn)單一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧。
2011-11-11
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面向2G至3.5G蜂窩移動(dòng)設(shè)備的高效RF功率管理解決方案
大家是否注意到人們對(duì)移動(dòng)設(shè)備，尤其是對(duì)智能手機(jī)的著迷程度到了何種地步？人們?cè)谟弥悄苁謾C(jī)進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)沖浪、查收和編寫(xiě)電子郵件、玩網(wǎng)絡(luò)游戲或者更新社交網(wǎng)絡(luò)等活動(dòng)。所有這些活動(dòng)，外加撥打語(yǔ)音電話(huà)，都要消耗電池的能量，從功率放大器(PA)到顯示器和內(nèi)核芯片組，它們要消耗大量的能量。最終，鋰離子電池的體積也只能適當(dāng)增加，以保證智能手機(jī)不至于過(guò)于笨重。
2011-10-31
- 機(jī)構(gòu)預(yù)警：DRAM價(jià)格壓力恐持續(xù)至2027年，存儲(chǔ)原廠(chǎng)加速擴(kuò)產(chǎn)供應(yīng)HBM
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