-
使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優(yōu)化
額定功率75W以下的適配器可細分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡化轉(zhuǎn)換器方面已經(jīng)取得了長足的進步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計上，以減小磁性元件的尺寸。然而，輸入大容量電容器占據(jù)與適配器內(nèi)的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
-
測試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動電壓范圍。然而，電路設(shè)計人員發(fā)現(xiàn)該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。
2024-04-07
-
雙脈沖測試（DPT）的方法解析
雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結(jié)束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
-
談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應(yīng)用，如電機驅(qū)動，有時會出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數(shù)據(jù)手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標稱短路時間是2us。
2024-02-01
-
I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測試方法
雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結(jié)束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。DPT結(jié)果量化了功率器件的開關(guān)性能，并為功率變換器的設(shè)計（如開關(guān)頻率和死區(qū)時間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據(jù)，那么對于三電平電路，雙脈沖測試需要怎么做呢？
2024-01-24
-
?碳化硅助力實現(xiàn) PFC 技術(shù)的變革
碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來，汽車行業(yè)向電力驅(qū)動的轉(zhuǎn)變推動了碳化硅（SiC）應(yīng)用的增長， 也使設(shè)計工程師更加關(guān)注該技術(shù)的優(yōu)勢，并拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。
2024-01-03
-
泰克助力汽車測試及質(zhì)量監(jiān)控實現(xiàn)效率和創(chuàng)新最大化
對于功率器件工程師而言，最大限度降低開關(guān)損耗是一項嚴峻挑戰(zhàn)，尤其對于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的復(fù)雜性。測量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關(guān)參數(shù)，并評估其動態(tài)行為的標準方法是雙脈沖測試 (DPT)。
2023-12-05
-
從 L1~L5 自動駕駛芯片發(fā)生了哪些變化？
汽車芯片主要分為功能芯片、功率器件和傳感器三大類。在傳統(tǒng)燃油車中，平均芯片搭載量約為 500-600 顆/輛，而隨著前面提到的汽車電動化、智能化的演進，平均芯片搭載量已提升至 1000 顆/輛，在新能源車中更是超過了 2000 顆/輛，未來隨著電車智能化的升級，還有望提升至 3000 顆/輛，甚至更多。
2023-12-04
-
OBC PFC車規(guī)功率器件結(jié)溫波動與功率循環(huán)壽命分析
隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升，車載充電機(OBC)作為電網(wǎng)與車載電池之間的單向充電或雙向補能的車載電源設(shè)備，也得到了非常廣泛的應(yīng)用。相比車載主驅(qū)電控逆變器， 電源類OBC產(chǎn)品復(fù)雜度高，如何實現(xiàn)其高功率密度、高可靠性、高效率、高性價比等核心指標的優(yōu)化與平衡，一直是OBC不斷技術(shù)迭代與產(chǎn)品革新的方向。
2023-11-26
-
上海貝嶺車載逆變電源功率器件解決方案
作為一種電源轉(zhuǎn)換器，車載逆變電源能夠?qū)δ茈姵刂绷麟娹D(zhuǎn)換為220V的交流電，給筆記本電腦、數(shù)碼相機、無人機等設(shè)備提供電能。其輸出波形包括修正弦波和純正弦波兩種類型，修正弦波車載逆變電源價格便宜，但輸出波形質(zhì)量較差，適用于小功率用電設(shè)備；純正弦波車載逆變電源可提供高質(zhì)量交流電，適用于大部分用電設(shè)備，工作穩(wěn)定，但價格較貴。
2023-11-23
-
商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛應(yīng)用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接
今天，功率半導(dǎo)體為很多應(yīng)用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發(fā)熱充分散出去是解決高功率密度設(shè)計的關(guān)鍵。通過使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統(tǒng)的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。
2023-11-21
-
氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？
在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對于三種產(chǎn)品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點及優(yōu)勢。
2023-11-16
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
- 貿(mào)澤電子自動化資源中心上線：工程師必備技術(shù)寶庫
- 隔離變壓器全球競爭圖譜：從安全隔離到能源革命的智能屏障
- 芯?？萍急R國建：用“芯片+AI+數(shù)據(jù)”重新定義健康管理
- Nordic nRF5 SDK與Softdevice深度解析：開發(fā)BLE應(yīng)用的底層邏輯與避坑指南
- VW-102A振弦讀數(shù)儀接線誤區(qū)揭秘：錯接不會燒傳感器，但這些風(fēng)險更致命
- 氮化鎵電源IC U8726AHE：用Boost技術(shù)破解寬電壓供電難題
- 塑封工藝：微電子封裝的“保護鎧甲”與“成型魔術(shù)師”
- KiCad膠水層揭秘：SMT紅膠工藝的“隱形固定師”
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
