-
第1講：三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史。
2024-08-01
-
觀眾登記開(kāi)啟｜elexcon2024深圳國(guó)際電子展8月27-29日約您來(lái)見(jiàn)，20+重磅活動(dòng)與數(shù)千新品引爆AI+技術(shù)生態(tài)
elexcon2024深圳國(guó)際電子展將于2024年8月27日至29日在深圳會(huì)展中心（福田）開(kāi)幕。展會(huì)為電子產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇以及AI時(shí)代到來(lái)準(zhǔn)備好了全棧技術(shù)和產(chǎn)品展示，包括AI芯片、嵌入式處理器/MCU/MPU、存儲(chǔ)、智能傳感、RISC-V技術(shù)與生態(tài)、AIoT方案、無(wú)源器件/分立器件、PMIC與功率器件、Chiplet和SiP先進(jìn)封裝等。
2024-07-18
-
功率器件模塊：一種滿(mǎn)足 EMI 規(guī)范的捷徑
相鄰或共用導(dǎo)電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過(guò)程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運(yùn)行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導(dǎo)體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開(kāi)關(guān)，因此通常會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)型 EMI。在開(kāi)關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過(guò)程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會(huì)迅速改變狀態(tài)。開(kāi)、關(guān)狀態(tài)間變化會(huì)產(chǎn)生 dv/dt 和 di/dt，從而在開(kāi)關(guān)頻率的諧波頻率上產(chǎn)生 EMI。
2024-07-08
-
意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics, 簡(jiǎn)稱(chēng)ST; 紐約證券交易所代碼: STM)，宣布將在意大利卡塔尼亞打造一座集8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊制造、封裝、測(cè)試于一體的綜合性大型制造基地。通過(guò)整合同一地點(diǎn)現(xiàn)有的碳化硅襯底制造廠，意法半導(dǎo)體將打造一個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)園，實(shí)現(xiàn)公司在同一個(gè)園區(qū)內(nèi)全面垂直整合制造及量產(chǎn)碳化硅的愿景。新碳化硅產(chǎn)業(yè)園的落地是意法半導(dǎo)體的一個(gè)重要里程碑，將幫助客戶(hù)借助碳化硅在汽車(chē)、工業(yè)和云基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域加速電氣化，提高能效。
2024-06-08
-
吉利汽車(chē)與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，深化新能源汽車(chē)轉(zhuǎn)型，推動(dòng)雙方創(chuàng)新合作
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團(tuán)(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(zhǎng)續(xù)航里程，深化新能源汽車(chē)轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車(chē)載信息娛樂(lè)、智能座艙系統(tǒng)）、高級(jí)駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車(chē)等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。
2024-06-06
-
使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優(yōu)化
額定功率75W以下的適配器可細(xì)分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡(jiǎn)化轉(zhuǎn)換器方面已經(jīng)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級(jí)。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)上，以減小磁性元件的尺寸。然而，輸入大容量電容器占據(jù)與適配器內(nèi)的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
-
測(cè)試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類(lèi)型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而，電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易，因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測(cè)量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運(yùn)行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢(shì)。
2024-04-07
-
雙脈沖測(cè)試（DPT）的方法解析
雙脈沖測(cè)試（DPT）是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到被測(cè)器件在任何所需的電壓和電流條件下的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
-
談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì)在數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒(méi) 有 標(biāo) 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱(chēng)短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標(biāo)稱(chēng)短路時(shí)間是2us。
2024-02-01
-
I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測(cè)試方法
雙脈沖測(cè)試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到被測(cè)器件在任何所需的電壓和電流條件下的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)行為。DPT結(jié)果量化了功率器件的開(kāi)關(guān)性能，并為功率變換器的設(shè)計(jì)（如開(kāi)關(guān)頻率和死區(qū)時(shí)間的確定、熱管理和效率評(píng)估）提供了參考依據(jù)，那么對(duì)于三電平電路，雙脈沖測(cè)試需要怎么做呢？
2024-01-24
-
?碳化硅助力實(shí)現(xiàn) PFC 技術(shù)的變革
碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來(lái)，汽車(chē)行業(yè)向電力驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)變推動(dòng)了碳化硅（SiC）應(yīng)用的增長(zhǎng)， 也使設(shè)計(jì)工程師更加關(guān)注該技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，并拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。
2024-01-03
-
泰克助力汽車(chē)測(cè)試及質(zhì)量監(jiān)控實(shí)現(xiàn)效率和創(chuàng)新最大化
對(duì)于功率器件工程師而言，最大限度降低開(kāi)關(guān)損耗是一項(xiàng)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，尤其對(duì)于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進(jìn)材料有望提高效率，但也有其自身的復(fù)雜性。測(cè)量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開(kāi)關(guān)參數(shù)，并評(píng)估其動(dòng)態(tài)行為的標(biāo)準(zhǔn)方法是雙脈沖測(cè)試 (DPT)。
2023-12-05
- 權(quán)威認(rèn)證！貿(mào)澤電子斬獲Amphenol SV Microwave全球代理商年度大獎(jiǎng)
- 光電傳感器：智能時(shí)代的“感知神經(jīng)元”
- 能效革命 智控未來(lái)，LED照明產(chǎn)業(yè)駛向千億級(jí)快車(chē)道
- 革命性突破！iToF技術(shù)讓3D測(cè)量觸手可及
- ST 推出 STM32MP23高性?xún)r(jià)比MPU，搭載兩個(gè)Arm Cortex-A35處理器核心
- 意法半導(dǎo)體推出車(chē)規(guī)衛(wèi)星導(dǎo)航芯片跨界賦能賽格威智能割草機(jī)
- SiC MOSFET技術(shù)賦能AI數(shù)據(jù)中心，實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換能效質(zhì)的飛躍
- 瑞典克薩KVASER閃耀全國(guó)農(nóng)機(jī)展與重慶智電展
- 貼片保險(xiǎn)絲技術(shù)解析：熔斷型與自恢復(fù)型的設(shè)計(jì)權(quán)衡與原廠選型指南
- 意法半導(dǎo)體監(jiān)事會(huì)聲明
- 第五屆大灣區(qū)膠粘劑展5月廣州啟幕，新增實(shí)驗(yàn)室儀器和有機(jī)硅材料展區(qū)構(gòu)建創(chuàng)新生態(tài)圈
- 電源模塊在伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中起到動(dòng)力心臟與性能基石的作用
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
