-
完美結(jié)合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管
為了滿足市場(chǎng)對(duì)射頻功率器件增強(qiáng)耐用性和在廣泛的頻率范圍進(jìn)行寬帶運(yùn)行的需求，飛思卡爾半導(dǎo)體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級(jí)別的線性和耐用性。
2012-10-23
-
TE針對(duì)HEV/EV的電路保護(hù)方案
汽車設(shè)計(jì)中越來(lái)越多的功率器件和高數(shù)據(jù)速率連接使得人們更加迫切地需要可靠、具有成本效益的電路保護(hù)解決方案。TE針對(duì)HEV|EV的電路保護(hù)方案系統(tǒng)從功率電子、可替代的電源系統(tǒng) 、汽車聯(lián)網(wǎng)進(jìn)行分享。
2012-06-05
-
車用MOSFET如何尋求性能與保護(hù)的最佳組合
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)?span id="n9rxzn1" class='red'>功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在極端環(huán)境下(如引擎蓋下面的汽車電子應(yīng)用)，溫度的迅速上升會(huì)使MOSFET意外導(dǎo)通，致使閾值電壓接近零伏。
2012-05-29
-
提供更低成本的完全自保護(hù)的MOSFET功率器件
汽車電子系統(tǒng)中使用的功率器件必須能抵受極為嚴(yán)峻環(huán)境的考驗(yàn)：它們必須能承受關(guān)閉瞬流和負(fù)載切斷電源故障引起的高壓毛刺；若環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃，器件結(jié)溫則將隨之而來(lái)升高；線束中的眾多連接器位于方便組裝和維修的位置，這可能造成器件電氣連接的間斷。由于新的負(fù)載需要的功率越來(lái)越大，所以即使在正常的條件下工作，器件承受的壓力也明顯加大。
2012-05-16
-
Vishay PowerPAIR? MOSFET榮獲2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)。
2012-04-28
-
IPD:瑞薩電子推出14款具有增強(qiáng)保護(hù)功能的新款智能功率器件
全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社近日宣布推出14個(gè)針對(duì)汽車應(yīng)用的新型智能功率器件，包括μPD166023在內(nèi)的該系列產(chǎn)品面向外部車燈驅(qū)動(dòng)(如頭燈和霧燈)，電加熱座椅和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等典型車身應(yīng)用。
2012-04-26
-
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆亮相“第十一屆慕尼黑上海電子展”
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM）于2012年3月20日-22日參加了業(yè)內(nèi)最具影響力的綜合性電子展覽會(huì)“慕尼黑上海電子展”。此次，羅姆在“相乘戰(zhàn)略”注1、“功率器件戰(zhàn)略”注2、“LED戰(zhàn)略”注3、“傳感器戰(zhàn)略”注4這四大戰(zhàn)略的立足點(diǎn)上展示了符合中國(guó)市場(chǎng)的、滿足客戶需求的眾多產(chǎn)品與技術(shù)，展現(xiàn)了羅姆集團(tuán)強(qiáng)大的綜合技術(shù)實(shí)力。
2012-03-22
-
高壓變頻器的散熱與通風(fēng)設(shè)計(jì)
高壓變頻器在正常工作時(shí)，熱量來(lái)源主要是隔離變壓器、電抗器、功率單元、控制系統(tǒng)等，其中作為主電路電子開(kāi)關(guān)的功率器件的散熱、功率單元的散熱設(shè)計(jì)、及功率柜的散熱與通風(fēng)設(shè)計(jì)最為重要。
2012-02-21
-
RJQ6020/1/2DPM:瑞薩電子宣布推出低損耗SiC功率器件系列
全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電（如空調(diào)）、PC服務(wù)器和太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
2012-02-13
-
三菱電機(jī)獎(jiǎng)學(xué)金頒獎(jiǎng)禮暨三菱功率器件研討會(huì)在四大高校舉行
2011年12月12日至17日，三菱電機(jī)分別走訪了清華大學(xué)、浙江大學(xué)、合肥工業(yè)大學(xué)以及華中科技大學(xué)，聯(lián)合各大高校舉行了三菱電機(jī)獎(jiǎng)學(xué)金頒獎(jiǎng)儀式和三菱電機(jī)功率模塊技術(shù)研討會(huì)，引起了各大高校的熱烈反響。
2012-01-18
-
提高同步整流應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度
基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢(shì)示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務(wù)器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實(shí)現(xiàn)的呢？它主要是通過(guò)嘗試新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，引進(jìn)新技術(shù)高性能的功率器件，同時(shí)通過(guò)良好的系統(tǒng)設(shè)計(jì)來(lái)保證，以上幾點(diǎn)我們會(huì)在接下來(lái)的內(nèi)容中給出進(jìn)一步的討論
2011-11-21
-
恩智浦與華為攜手成立射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)中心
恩智浦半導(dǎo)體與華為技術(shù)有限公司攜手成立的首個(gè)射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)中心正式落戶上海。恩智浦射頻功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Reiner Beltman 和華為技術(shù)有限公司無(wú)線產(chǎn)品線中射頻與基站平臺(tái)部部長(zhǎng)酈舟劍出席了實(shí)驗(yàn)中心的開(kāi)幕慶典，宣布即日起實(shí)驗(yàn)中心正式投入使用。這標(biāo)志著恩智浦和華為技術(shù)有限公司的業(yè)務(wù)聯(lián)系與技術(shù)合作進(jìn)入了新的階段，恩智浦在射頻功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位獲得廣泛認(rèn)可。
2011-10-08
- 機(jī)構(gòu)預(yù)警：DRAM價(jià)格壓力恐持續(xù)至2027年，存儲(chǔ)原廠加速擴(kuò)產(chǎn)供應(yīng)HBM
- IDC發(fā)出預(yù)警：存儲(chǔ)芯片暴漲，明年DIY電腦成本恐大幅攀升
- 2025年全球智能手表市場(chǎng)觸底反彈，出貨量將增長(zhǎng)7%
- 從集成到獨(dú)立！三星首款2nm芯片Exynos 2600將不集成5G基帶
- AI熱潮的連鎖反應(yīng)：三星、SK海力士上調(diào)HBM3E合約價(jià)
- Alleima 合瑞邁Hiflex?壓縮機(jī)閥片鋼助力空調(diào)能效提升超18%
- 杰克科技車王爭(zhēng)霸賽落幕 2025經(jīng)銷商年會(huì)燃動(dòng)百億征程
- 破解散熱與開(kāi)關(guān)性能兩難，T2PAK 封裝重塑電氣化核心器件格局
- 自動(dòng)駕駛視覺(jué)系統(tǒng)：異常物體識(shí)別的技術(shù)邏輯與安全價(jià)值
- 邁向電氣化時(shí)代：貿(mào)澤聯(lián)手國(guó)巨，以電子書共繪汽車電子新藍(lán)圖
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
