-
線性LED驅(qū)動IC對比：盤點幾款大功率LED線性驅(qū)動
如果你認(rèn)為線性功率IC功耗太大，不好用，技術(shù)落后，那么你就錯了！本文將幾款I(lǐng)C與高速轉(zhuǎn)換型DC-DC類型IC進行對比分析，講解線性功率器件IC設(shè)計的一些注意要點，并盤點了幾款線性恒流IC以方便大家選型。
2013-11-20
-
隔離驅(qū)動IGBT功率器件設(shè)計技巧八大問
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
-
富士通推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品，品質(zhì)因數(shù)降半
富士通半導(dǎo)體日前宣布，推出可耐壓150 V的基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半?；诟皇客ㄐ滦虶aN功率器件，用戶可以設(shè)計出體積更小，效率更高的電源組件。
2013-07-23
-
SiC和GaN，新興功率器件如何選？
新興的SiC和GaN功率器件市場未來10年預(yù)計增長18倍，主要需求市場是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現(xiàn)，GaN功率器件更是剛剛才在市場上出現(xiàn)。他們誰會成為未來新興功率器件市場的主角？我們現(xiàn)在應(yīng)該選用他們嗎？
2013-06-19
-
孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認(rèn)為當(dāng)應(yīng)用需要更高電壓時，使用氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是，如果只是考慮開關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽本文細(xì)細(xì)分解。
2013-05-16
-
電源轉(zhuǎn)換新時代的來臨：IR開始商業(yè)裝運GaN器件
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當(dāng)今最先進的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻?yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
-
硅功率MOSFET前景堪憂？
30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場快速接受開關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期；然而與此同時，增強型GaN HEMT器件在開關(guān)性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？
2013-05-15
-
第三講：基于MOSFET的高能效電源設(shè)計
通過結(jié)合改進的電源電路拓?fù)浜透拍钆c改進的低損耗功率器件，開關(guān)電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應(yīng)用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導(dǎo)通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能效。
2013-05-14
-
通過建立優(yōu)化模型和目標(biāo)函數(shù)實現(xiàn)電化學(xué)整流電源電聯(lián)接
電化學(xué)整流電源是一種高耗能設(shè)備，提高整流效率、降低額外損耗是這類電力電子變換裝置的一個重要的課題。隨著大功率器件制造水平的提高以及壓接工藝技術(shù)的改進，均流問題也不再突出，所以從效率、損耗方面進行優(yōu)化設(shè)計是必要的。
2013-01-07
-
無Y電容的充電器變壓器補償設(shè)計方法
在開關(guān)電源中，功率器件高頻導(dǎo)通/關(guān)斷的操作導(dǎo)致的電流和電壓的快速變化而產(chǎn)生較高的電壓及電流尖峰是產(chǎn)生EMI的主要原因。通常情況下，系統(tǒng)前端要加濾除器和Y電容，Y電容的存在會使輸入和輸出線間產(chǎn)生漏電流，具有Y電容的金屬殼手機充電器會讓使用者有觸電的危險，因此，一些手機制造商開始采用無Y電容的充電器，然而，去除Y電容會給EMI的設(shè)計帶來困難，本文將介紹無Y電容的充電器變壓器補償設(shè)計方法。
2012-12-18
-
GaN壓力來襲，降低成本是SiC器件大規(guī)模商用的前提
受限于價格過高等因素，迄今為止各種SiC功率器件產(chǎn)品系列的實際應(yīng)用都很少。隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，傳統(tǒng)Si材料功率器件的局限性越來越突出。新一代材料SiC功率器件具有體積小、高效率、高耐溫等優(yōu)點，受到越來越多的重視，研發(fā)生產(chǎn)日益活躍。然而，SiC器件何時才會實現(xiàn)大規(guī)模商用，成為業(yè)界關(guān)注的焦點。
2012-12-13
-
MOS晶體管
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。MOS柵極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態(tài)特性、優(yōu)良的開通和關(guān)斷特性，可望具有優(yōu)良的自關(guān)斷動態(tài)特性、非常低的通態(tài)電壓降和耐高壓，成為將來在電力裝置和電力系統(tǒng)中有發(fā)展前途的高壓大功率器件。目前世界上有十幾家公司在積極開展對MCT的研究。 MOS柵控晶閘管主要有三種結(jié)構(gòu)：MOS場控晶閘管（MCT）、基極電阻控制晶閘管(BRT)及射極開關(guān)晶閘管(EST)。
2012-12-13
- 貿(mào)澤電子上線機器人資源中心：賦能工程師探索智能自動化未來
- 工程師必知的振蕩器動態(tài)相位噪聲優(yōu)化四重奏
- 利用智能監(jiān)測技術(shù)提高電機能效與可持續(xù)性
- 高/低電平復(fù)位電路的底層邏輯與實戰(zhàn)陷阱
- 戰(zhàn)略升級！胡祖忻兼任福迪威亞太總裁與福祿克國際業(yè)務(wù)全球副總裁
- 云母電容技術(shù)解析與產(chǎn)業(yè)格局深度研究
- Qorvo推出全新QPG6200系列三款系統(tǒng)級芯片（SoC）正式量產(chǎn)
- ST&高通ST67W611M1模塊量產(chǎn)：Siana案例驗證交鑰匙方案提速無線開發(fā)
- 薄膜電容選型指南：解鎖高頻與長壽命的核心優(yōu)勢
- 艾邁斯歐司朗OSP協(xié)議，用光解鎖座艙照明交互新維度
- 瑞典森爾(Senseair)以免接觸檢測技術(shù)，賦能交通執(zhí)法、工業(yè)安防等領(lǐng)域應(yīng)用
- 元器件江湖群英會！西部電博會暗藏國產(chǎn)替代新戰(zhàn)局
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
