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一文秒懂功率器件,從小白變大神的進階之路
功率器件,也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是具有處理高電壓、大電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面,因此得名“電力電子器件”。
2020-02-25
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談?wù)劤Y(jié)功率半導(dǎo)體器件
超結(jié)功率半導(dǎo)體器件是一類具有超結(jié)耐壓層的重要器件,超結(jié)將PN結(jié)引入到常規(guī)“電阻型”耐壓層中,使之質(zhì)變?yōu)椤敖Y(jié)型耐壓層”,這種質(zhì)變突破傳統(tǒng)功率器件比導(dǎo)通電阻和耐壓之間的Ron,sp ∝VB2.5“硅極限”關(guān)系,使之降低到Ron,sp ∝VB1.32,甚至 Ron,sp ∝VB1.03,超結(jié)器件也因此被譽為功率半導(dǎo)體器件的“里程碑”。從耐壓層角度回顧功率半導(dǎo)體40年發(fā)展的3個里程碑,綜述了超結(jié)的發(fā)明、概念與機理、技術(shù)與新結(jié)構(gòu),并總結(jié)超結(jié)發(fā)展歷程與趨勢。
2020-02-19
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降低開關(guān)電源輸出 “紋波與噪聲” 10大招!
紋波主要在五個方面:輸入低頻紋波、高頻紋波、寄生參數(shù)引起的共模紋波噪聲、功率器件開關(guān)過程中產(chǎn)生的超高頻諧振噪聲和閉環(huán)調(diào)節(jié)控制引起的紋波噪聲。
2020-02-11
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一文解讀碳化硅功率器件的特點
功率半導(dǎo)體器件作為功率變換系統(tǒng)的核心器件,目前應(yīng)用最多的仍舊是 IGBT,在很多時候還需要搭配合適的反向并聯(lián)二極管。
2020-01-08
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最小負載電流工作 — 零負載工作
作為一名應(yīng)用工程師,我經(jīng)常被問及有關(guān)穩(wěn)壓器空載工作的問題。大多數(shù)現(xiàn)代 LDO 和開關(guān)穩(wěn)壓器均能在空載的情況下穩(wěn)定工作,那么,人們?yōu)槭裁催€要再三詢問呢?一些老式的功率器件要求具有最小的負載以保證穩(wěn)定性,因為其中一個必須得到補償?shù)碾姌O受有效負載電阻的影響,如“低壓降穩(wěn)壓器(詢問應(yīng)用工程師—37)中所述。”例如,圖 A 顯示,LM1117 至少需要 1.7 mA 的負載電流(最大 5 mA)。
2019-12-28
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三相固態(tài)繼電器工作原理
三相固態(tài)繼電器(Solid State Relay,縮寫SSR),是由微電子電路,分立電子器件,電力電子功率器件組成的無觸點開關(guān);是一種兩個接線端為輸入端,另兩個接線端為輸出端的四端器件,中間采用隔離器件實現(xiàn)輸入輸出的電隔離。固態(tài)繼電器的輸入端用微小的控制信號,達到直接驅(qū)動大電流負載。
2019-11-11
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數(shù)據(jù)中心和通信機房,需要這樣的功率器件……
GaN的理論優(yōu)勢正在主流設(shè)計中得以實現(xiàn),尤其是在數(shù)據(jù)中心和通信機房電源兩個應(yīng)用領(lǐng)域,與硅器件相比較,GaN的優(yōu)勢更明顯。采用GaN進行產(chǎn)品設(shè)計,廠家和用戶都將能享受到系統(tǒng)成本和運營方面的好處。
2019-09-16
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【干貨】元器件插裝注意點及基本原則
要根據(jù)產(chǎn)品的特點和企業(yè)的設(shè)備條件安排裝配的順序。如果是手工插裝、焊接,應(yīng)該先安裝那些需要機械固定的元器件,如功率器件的散熱器、支架、卡子等,然后再安裝靠焊接固定的元器件。
2019-09-02
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SBC基礎(chǔ)課程——CAN/LIN SBC初學(xué)者指南
SBC是純粹的集成電路,它將控制器局域網(wǎng)絡(luò)(CAN)或本地互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)(LIN)收發(fā)器與內(nèi)部/外部“功率器件”集成在一起。該功率器件可以是低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)、DC/DC轉(zhuǎn)換器或兩者兼有。
2019-06-24
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12種模式全面解析移相全橋
人們在硬開關(guān)全橋的基礎(chǔ)上,開發(fā)出了一種軟開關(guān)的全橋拓撲——移相全橋,利用功率器件的結(jié)電容與變壓器的漏感作為諧振元件,使全橋電源的4個開關(guān)管依次在零電壓下導(dǎo)通,來實現(xiàn)恒頻軟開關(guān),提升電源的整體效率與EMI性能,當(dāng)然還可以提高電源的功率密度。以下講解移相全橋的12種工作模式。
2019-02-27
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基于GaN HEMT的S波段的功率放大器設(shè)計
近年來,寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料作為第三代半導(dǎo)體的典型代表,具有很多優(yōu)異的特性,如禁帶寬度寬、擊穿場強高、熱傳導(dǎo)率高和峰值電子漂移速度高,所以GaN材料可以很好地滿足高溫、高頻和高功率等工作要求。
2019-01-21
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SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法
針對目前雜散電感提取方法存在的問題,本文提出了一種適用于SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法,并基于SiC功率器件的開關(guān)瞬態(tài)特性測試平臺對本文所提雜散電感提取方法的可行性進行了驗證。與現(xiàn)有的間接測量方法不同,該方法是基于SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)振蕩頻率求解換流回路雜散電感。
2018-11-29
- 從噪聲抑制到功耗優(yōu)化:CTSD如何重塑現(xiàn)代信號鏈架構(gòu)
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