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工業(yè)充電器能效革命：碳化硅技術(shù)選型與拓?fù)鋬?yōu)化實(shí)戰(zhàn)
隨著800V高壓平臺(tái)在電動(dòng)汽車與工業(yè)儲(chǔ)能領(lǐng)域加速滲透，傳統(tǒng)硅基功率器件正面臨開(kāi)關(guān)損耗與散熱設(shè)計(jì)的雙重瓶頸。以碳化硅（SiC）MOSFET為代表的新型半導(dǎo)體，憑借10倍于IGBT的開(kāi)關(guān)頻率和85%的能效提升率，正推動(dòng)工業(yè)充電器架構(gòu)向高頻化、集成化躍遷。本文深度解析SiC技術(shù)賦能的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選型策略，揭曉如何在LLC諧振、圖騰柱PFC等創(chuàng)新方案中精準(zhǔn)匹配功率器件參數(shù)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)成本與性能的黃金平衡點(diǎn)。
2025-08-19
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工業(yè)充電器PFC拓?fù)溥M(jìn)化論：SiC如何重塑高效電源設(shè)計(jì)？
在工業(yè)4.0時(shí)代，從便攜式電動(dòng)工具到重型AGV（自動(dòng)導(dǎo)引車），電池供電設(shè)備正加速滲透制造業(yè)、倉(cāng)儲(chǔ)物流和建筑領(lǐng)域。然而，工業(yè)級(jí)充電器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)重重：既要承受嚴(yán)苛環(huán)境（如高溫、震動(dòng)、粉塵），又需在120V~480V寬輸入電壓下保持高效穩(wěn)定，同時(shí)滿足輕量化、無(wú)風(fēng)扇散熱的需求。碳化硅（SiC）功率器件的崛起，正為這一難題提供破局關(guān)鍵——其超快開(kāi)關(guān)速度和低損耗特性，不僅提升了功率密度，更解鎖了傳統(tǒng)IGBT難以實(shí)現(xiàn)的新型PFC（功率因數(shù)校正）拓?fù)?。本文將深入解析工業(yè)充電器的PFC級(jí)設(shè)計(jì)策略，助您精準(zhǔn)選型。
2025-08-18
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光伏充電控制器升級(jí)首選？TI GaN 的高效小型化低成本之道
德州儀器最新研究揭示：采用其先進(jìn)的氮化鎵 (GaN) 功率器件，光伏充電控制器的性能與設(shè)計(jì)迎來(lái)顯著躍升。相較于傳統(tǒng)硅基MOSFET方案，GaN技術(shù)不僅大幅提升系統(tǒng)效率，更能有效縮減電路板面積，且關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于——實(shí)現(xiàn)這些突破的同時(shí)，系統(tǒng)物料成本 (BOM) 可維持不變。
2025-08-04
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意法半導(dǎo)體1600V IGBT新品發(fā)布：精準(zhǔn)適配大功率節(jié)能家電需求
針對(duì)高性價(jià)比節(jié)能家電市場(chǎng)對(duì)高效、可靠功率器件的迫切需求，意法半導(dǎo)體近日推出STGWA30IH160DF2 IGBT，該產(chǎn)品以1600V額定擊穿電壓為核心，融合優(yōu)異熱性能與軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涓咝н\(yùn)行特性，專為電磁爐、微波爐、電飯煲等大功率家電設(shè)計(jì)，尤其適配需并聯(lián)使用的場(chǎng)景，助力家電產(chǎn)品在節(jié)能與性能間實(shí)現(xiàn)平衡。
2025-07-16
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驅(qū)動(dòng)器技術(shù)全景圖：從原理到國(guó)產(chǎn)替代的破局之路
驅(qū)動(dòng)器作為電子系統(tǒng)中的能量調(diào)度中樞，通過(guò)將微控制器的低功率信號(hào)轉(zhuǎn)換為高功率驅(qū)動(dòng)信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)、功率器件、LED等負(fù)載的精確控制。其核心價(jià)值在于解決控制單元與執(zhí)行單元間的能量鴻溝——在保障電氣安全隔離的同時(shí)，提升能效與可靠性。隨著工業(yè)4.0與電動(dòng)汽車的爆發(fā)式增長(zhǎng)，驅(qū)動(dòng)器技術(shù)正經(jīng)歷從“單一功能”向“智能集成”的范式躍遷。
2025-07-08
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從實(shí)驗(yàn)室到市場(chǎng)：碳化硅功率器件如何突破可靠性瓶頸
從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。
2025-05-16
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功率器件新突破！氮化鎵實(shí)現(xiàn)單片集成雙向開(kāi)關(guān)
氮化鎵（GaN）單片雙向開(kāi)關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動(dòng)導(dǎo)通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實(shí)現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動(dòng)式反向?qū)ú粌H缺乏門(mén)極控制能力，更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實(shí)現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo)，工程師常采用背對(duì)背（B2B）拓?fù)浼?jí)聯(lián)兩個(gè)器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復(fù)雜度。
2025-05-11
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迎刃而解——華大九天Polas利器應(yīng)對(duì)功率設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
電源管理集成電路（PMIC）設(shè)計(jì)涉及電源轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)、電流管理等核心領(lǐng)域。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)，功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴(yán)苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯(lián)層的電阻在整體導(dǎo)通電阻中的占比越來(lái)越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對(duì)參數(shù)提取的準(zhǔn)確性造成了影響；封裝對(duì)芯片內(nèi)電氣特性的影響亦愈發(fā)顯著。這些因素共同對(duì)功率設(shè)計(jì)在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導(dǎo)通電阻（RDSon）等可靠性方面帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。此外，如何高效地驅(qū)動(dòng)具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開(kāi)關(guān)切換過(guò)程中的穿通漏電現(xiàn)象，也成為功率設(shè)計(jì)領(lǐng)域的核心難題。
2025-02-13
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使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進(jìn)行功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測(cè)試
SiC器件的快速開(kāi)關(guān)特性包括高頻率，要求測(cè)量信號(hào)的精度至少達(dá)到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應(yīng)商Qorvo與Tektronix合作，基于實(shí)際的SiC被測(cè)器件 (DUT)，描述了實(shí)用的解決方案。
2025-01-26
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-14
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
在功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章《功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法》和《功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法》分別講了功率半導(dǎo)體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測(cè)試方法，用的測(cè)溫儀器是熱電偶、紅外成像儀和模塊中的NTC和芯片上的二極管。
2024-12-31
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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