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電源管理

干貨：電路設(shè)計(jì)的全過程（含原理圖）

開關(guān)電源的設(shè)計(jì)是一份非常耗時(shí)費(fèi)力的苦差事，需要不斷地修正多個(gè)設(shè)計(jì)變量，直到性能達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)為止。本文step-by-step 介紹反激變換器的設(shè)計(jì)步驟，并以一個(gè)6.5W 隔離雙路輸出的反激變換器設(shè)計(jì)為例，主控芯片采用NCP1015。

2019-09-03

電路設(shè)計(jì) 原理

一文帶你認(rèn)識(shí)全類型“電阻”！

電阻（Resistance，通常用“R”表示），是一個(gè)物理量，在物理學(xué)中表示導(dǎo)體對(duì)電流阻礙作用的大小。導(dǎo)體的電阻越大，表示導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙作用越大。不同的導(dǎo)體，電阻一般不同，電阻是導(dǎo)體本身的一種特性。電阻將會(huì)導(dǎo)致電子流通量的變化，電阻越小，電子流通量越大，反之亦然。而超導(dǎo)體則沒有電阻。

2019-09-02

電阻分類原理

如何提高晶體管的開關(guān)速度

晶體管的開關(guān)速度即由其開關(guān)時(shí)間來表征，開關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)速度就越快。BJT的開關(guān)過程包含有開啟和關(guān)斷兩個(gè)過程，相應(yīng)地就有開啟時(shí)間ton和關(guān)斷時(shí)間toff，晶體管的總開關(guān)時(shí)間就是ton與toff之和。

2019-09-02

晶體管開關(guān)速度

開關(guān)電源為啥有時(shí)候會(huì)叫？如何消除？

穩(wěn)壓電源電路輸出的開關(guān)電流的頻率，或周期性脈沖群的周期頻率，或毛刺的周期頻率落入20~20kHz的音頻范圍，且周期性變化的電流經(jīng)過電感線圈而產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，使得該電感線圈在交變磁場(chǎng)作用下像“喇叭”一樣在幾乎固定的頻率上產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)而發(fā)出嘯叫。

2019-09-02

開關(guān)電源嘯叫

以實(shí)例分析FPGA電源設(shè)計(jì)的特性及規(guī)范約束

作為一種復(fù)雜的集成電路，F(xiàn)PGA系統(tǒng)供電的電源的設(shè)計(jì)與一般的電子系統(tǒng)相比，要求也更高，需要具備高精度、高密度、可控性、高效及小型化等的特點(diǎn)。本文系統(tǒng)介紹了FPGA電源的不同特性，同時(shí)會(huì)通過實(shí)例，讓工程師更深入地了解各特性的意義，以及FPGA規(guī)范約束及其對(duì)電源設(shè)計(jì)的影響，以便快速完成FPGA系...

2019-08-30

FPGA 電源設(shè)計(jì)

關(guān)于“陶瓷電容”的秘密！

1900年意大利L.隆巴迪發(fā)明陶瓷介質(zhì)電容器。30年代末人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數(shù)成倍增長,因而制造出較便宜的瓷介質(zhì)電容器。

2019-08-29

陶瓷電容分類

收藏！5V轉(zhuǎn)3.3V電平的19種方法技巧

標(biāo)準(zhǔn)三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地轉(zhuǎn)換為 3.3V，就不能使用它們。壓差為幾百個(gè)毫伏的低壓降（Low Dropout， LDO）穩(wěn)壓器，是此類應(yīng)用的理想選擇。圖 1-1 是基本LDO 系統(tǒng)的框圖，標(biāo)注了相應(yīng)的電流。從圖中可以看出， LDO 由四個(gè)主要部分組成：

2019-08-29

LDO穩(wěn)壓器齊納二極管

利用三極管設(shè)計(jì)開關(guān)電路

很多工程師在上學(xué)時(shí)被老師講的三極管的各種電路接法，和小信號(hào)模型分析給繞暈了。而且大學(xué)的課本大多數(shù)都是在講三極管的放大特性。其實(shí)在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)中，三極管的很多應(yīng)用場(chǎng)景只是利用三級(jí)管的開關(guān)特性，我們往往是運(yùn)用三極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)電路，做一些電平轉(zhuǎn)換的功能。

2019-08-28

三極管設(shè)計(jì) 開關(guān)電路

光耦傳輸比對(duì)開關(guān)電源的影響

光耦的技術(shù)參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級(jí)與輸出級(jí)之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V（BR）CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE（sat）。此外，在傳輸數(shù)字信號(hào)時(shí)還需考慮上升時(shí)間、下降時(shí)間、延遲時(shí)間和存儲(chǔ)時(shí)間等參數(shù)。

2019-08-28

光耦傳輸比開關(guān)電源

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