
MCU去耦和供電要如何進(jìn)行?
發(fā)布時(shí)間:2017-07-14 責(zé)任編輯:susan
【導(dǎo)讀】建議在印制電路板中,VDD和GND分別由電源層和地層實(shí)現(xiàn)。連接到AVDD和AGND引腳的模擬電源應(yīng)直接布線到電源層和地層,它們不能和任何一個(gè)數(shù)字電源共享線路連接。

1、建議在印制電路板中,VDD和GND分別由電源層和地層實(shí)現(xiàn)。連接到AVDD和AGND引腳的模擬電源應(yīng)直接布線到電源層和地層,它們不能和任何一個(gè)數(shù)字電源共享線路連接。
2、數(shù)字和模擬電源端都必須安放退藕電容。 數(shù)字電源連線上的每?jī)蓚€(gè)電源引腳必須至少接有一個(gè)100nF電容,并盡量靠近這些引腳。較為理想的是每個(gè)電源引腳都有一個(gè)10nF或100nF的退藕電容。模擬電源應(yīng)單獨(dú)使用100nF和1nF電容并聯(lián)去藕,并盡量靠近AVDD和AGND引腳。所有這些退藕電容都應(yīng)是低ESR的陶瓷電容。
3、在硬件設(shè)計(jì)的某些地方需要附加大量的退藕電容。在供電電源上至少需要一個(gè)10uF、低ESR的鉭或鋁電解電容,通常位于電源輸入端或電源穩(wěn)壓器的輸出端。 對(duì)于大多數(shù)的設(shè)計(jì),推薦安放多個(gè)電容,它們應(yīng)分布在電路板的四周。
4、為對(duì)模擬電源進(jìn)一步濾波,在模擬電源輸入端的電源層和退藕電容之間串入一個(gè)磁珠。一個(gè)合適的表面安裝磁珠規(guī)格可以是,電感量為10nH,500mA,直流阻抗為0.3?,封裝為0603。
5、對(duì)于目標(biāo)系統(tǒng), 如果多層電路板的成本太高,無(wú)法實(shí)現(xiàn)電源層和地層,那么應(yīng)仔細(xì)地盡可能減小電源和地之間連接的串聯(lián)阻抗。 保持電源和地的導(dǎo)線盡可能短而粗,退藕電容盡可能靠近封裝的電源引腳。 對(duì)于模擬供電的電源和地的引腳AVDD和AGND,分別布電源和地導(dǎo)線,從供電輸入端接到磁珠,然后再接到退藕電容,并保證這些退藕電容盡可能靠近這些引腳.
特別推薦
- 成本與性能的平衡:振蕩線圈技術(shù)深度解析與選型建議
- 十一月上海見(jiàn)!106屆中國(guó)電子展預(yù)登記開(kāi)啟,共探產(chǎn)業(yè)新機(jī)遇
- 清潔電器智能化升級(jí):MCU芯片性能成差異化競(jìng)爭(zhēng)核心
- Cadence與NVIDIA強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,數(shù)字孿生平臺(tái)新模型助推AI數(shù)據(jù)中心高效部署
- 偏轉(zhuǎn)線圈技術(shù)解析:從基礎(chǔ)原理到選型要?jiǎng)t的全景指南
技術(shù)文章更多>>
- Spectrum推出多通道GHz數(shù)字化儀,最高支持12通道
- 安森美破解具身智能落地難題,全鏈路方案助推機(jī)器人產(chǎn)業(yè)化
- AMD 推出 EPYC? 嵌入式 4005 處理器,助力低時(shí)延邊緣應(yīng)用
- 機(jī)電執(zhí)行器需要智能集成驅(qū)動(dòng)器解決方案以增強(qiáng)邊緣智能
- 廣東國(guó)際水處理技術(shù)與設(shè)備展覽會(huì)邀請(qǐng)函
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門(mén)搜索
LTC
LTE
LTE功放
LTE基帶
Marvell
Maxim
MCU
MediaTek
MEMS
MEMS傳感器
MEMS麥克風(fēng)
MEMS振蕩器
MHL
Micrel
Microchip
Micron
Mic連接器
Mi-Fi
MIPS
MLCC
MMC連接器
MOSFET
Mouser
Murata
NAND
NFC
NFC芯片
NOR
ntc熱敏電阻
OGS