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通信廣電

如何設(shè)計高性能和低功耗的電機控制系統(tǒng)？

數(shù)字電機控制的首次推出旨在克服傳統(tǒng)模擬系統(tǒng)在處理漂移、組件老化和由溫度引起的變化等方面的挑戰(zhàn)。靈活的軟件算法不僅消除了與組件有關(guān)的容差問題，還使開發(fā)者能夠動態(tài)地適應環(huán)境條件隨著時間的變化。

2021-01-26

電機控制系統(tǒng) 模擬系統(tǒng)

如何使用移相電路計算相位？

在電路應用中由于存在電感電容等無源器件，在頻率信號作用下，電容充放電，電感儲能釋放能量的過程，輸入輸出信號就存在相位的變化。對于電容移相的過程，是由于電容器的充放電引起電路的交變電流。

2021-01-25

移相電路相位

偏置電流源電路的對與錯

下面的電流源偏置電路究竟哪個結(jié)構(gòu)是對的？幾乎每個模擬IC課程都會講這個例子，可是始終有人搞不清楚。

2021-01-25

偏置電流源電路

為何時鐘信號比數(shù)據(jù)信號更容易引起輻射超標？

一般這種問題，我們都會說是時鐘線引起的問題。我之前做的產(chǎn)品是攝像頭，時鐘線加十幾根數(shù)據(jù)線。有一次處理完時鐘線后還是超標，因為正好數(shù)據(jù)線上都串有電阻，我就將電阻都改成了磁珠，想消除因為數(shù)據(jù)線引起的輻射，改完之后發(fā)現(xiàn)還是超標，看不到有明顯的改善。

2021-01-25

時鐘信號數(shù)據(jù)信號輻射超標

全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET

FinFET在22nm節(jié)點的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點面臨的難題不斷累積，F(xiàn)inFET的效用已經(jīng)趨于極限。

2021-01-25

全包圍柵極結(jié)構(gòu) FinFET

非蜂窩也有春天：LoRa/WiFi/藍牙的2020年

上周，物聯(lián)傳媒公眾號發(fā)布了一篇《解鎖12億小目標之后，移動物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的增速將如何持續(xù)？》的文章，主要從NB-IoT、Cat.1、5G三方面介紹了過去一年或者更久以來移動物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)所取得的成績。

2021-01-22

非蜂窩 LoRa WiFi 藍牙

DDR5信號完整性基礎(chǔ)

2020年7月，DDR 5新標準誕生，令人興奮的DDR5技術(shù)保證了更高的數(shù)據(jù)速率和更低的功耗。這是接口設(shè)計人員熟悉的承諾。但是，就像生活中的大多數(shù)事情一樣，沒有免費的午餐。降低功耗和提高速度的進步伴隨著設(shè)計復雜性的增加。

2021-01-22

DDR5 信號完整性

模擬電壓比較器的基本要點及使用方法：從電平檢測到振蕩器

電壓比較器是一種用于電壓比較的電子器件，能夠比較輸入電壓與已知參考電壓并根據(jù)輸入是高于還是低于參考值來更改其輸出狀態(tài)。該功能滿足了檢測閾值交叉、零位和信號幅值是否在幅值范圍之內(nèi)或之外的要求。

2021-01-22

模擬電壓比較器電平振蕩器

亥姆霍茲線圈新一代供電電源解決方案

亥姆霍茲線圈(Helmholtz coil)是由一對完全相同的圓形導體線圈組成,產(chǎn)生大體積的均勻磁場,可組合一維、二維與三維標準直流或交流磁場,模擬生物磁場、地磁環(huán)境與電磁干擾試驗等,廣泛應用于醫(yī)療、電子、材料等領(lǐng)域,如醫(yī)療應用中膠囊內(nèi)鏡機器人。

2021-01-22

亥姆霍茲線圈供電電源

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