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松下電器試制出降低導(dǎo)通電阻的GaN二極管

松下電器試制出使用GaN半導(dǎo)體、耐壓為9.4kV，導(dǎo)通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為1000mΩcm2。設(shè)想用于工作電壓從數(shù)百伏消費(fèi)類電器和數(shù)kV產(chǎn)業(yè)電氣設(shè)備等廣泛領(lǐng)域。

2008-12-22

半導(dǎo)體二極管消費(fèi)電子電氣設(shè)備分立器件導(dǎo)通電阻

松下電器試制出降低導(dǎo)通電阻的GaN二極管

2008-12-22

半導(dǎo)體二極管消費(fèi)電子電氣設(shè)備分立器件導(dǎo)通電阻

VLMW84：Vishay超薄SMD LED系列

日前，Vishay推出業(yè)界首個采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍(lán)寶石 InGaN/TAG 技術(shù)的高強(qiáng)度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應(yīng)用的成本，它們具有 25K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率。

2008-12-22

VLMW84 InGaN/TAG SMD LED CCFL 照明光器件 CLCC-2 LED

VLMW84：Vishay超薄SMD LED系列

2008-12-22

VLMW84 InGaN/TAG SMD LED CCFL 照明光器件 CLCC-2 LED

VLMW84：Vishay超薄SMD LED系列

2008-12-22

VLMW84 InGaN/TAG SMD LED CCFL 照明光器件 CLCC-2 LED

電子元器件S參數(shù)的含義和用途

在進(jìn)行射頻、微波等高頻電路設(shè)計時，節(jié)點(diǎn)電路理論已不再適用，需要采用分布參數(shù)電路的分析方法，這時可以采用復(fù)雜的場分析法，但更多地時候則采用微波網(wǎng)絡(luò)法來分析電路，對于微波網(wǎng)絡(luò)而言，最重要的參數(shù)就是S參數(shù)。在個人計算機(jī)平臺邁入 GHz階段之后，從計算機(jī)的中央處理器、顯示界面、存儲器總線到...

2008-12-19

S參數(shù) 射頻微波分散參數(shù) 集總電路

松下敲定收購三洋

據(jù)日本媒體報道，松下與三洋大股東高盛等三家金融企業(yè)已就收購三洋股權(quán)達(dá)成協(xié)議。

2008-12-19

電器消費(fèi)電子可充電電池電池

松下敲定收購三洋

據(jù)日本媒體報道，松下與三洋大股東高盛等三家金融企業(yè)已就收購三洋股權(quán)達(dá)成協(xié)議。

2008-12-19

電器消費(fèi)電子可充電電池電池

松下敲定收購三洋

據(jù)日本媒體報道，松下與三洋大股東高盛等三家金融企業(yè)已就收購三洋股權(quán)達(dá)成協(xié)議。

2008-12-19

電器消費(fèi)電子可充電電池電池

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VLMW84：Vishay超薄SMD LED系列

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松下敲定收購三洋

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