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安防監(jiān)控

連接器上的各種電磁干擾

當(dāng)今，電子系統(tǒng)的時鐘頻率為幾百兆赫，所用脈沖的前后沿在亞納秒范圍。網(wǎng)絡(luò)接口傳輸數(shù)據(jù)速率為１００Ｍbit/s和１５５與６２２Mbit/s（ＡＴＭ－異步傳輸模）。高質(zhì)量視頻電路也用以亞納秒級的象素速率。這些較高的處理速度表示了工程上受到不斷的挑戰(zhàn)。

2011-03-17

連接器電磁頻率干擾源

電源模塊的設(shè)計分析

電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應(yīng)器 (參看圖1)，其特點(diǎn)是可為專用集成電路（ASIC）、數(shù)字信號處理器 (DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。一般來說，這類模塊稱為負(fù)載點(diǎn) (POL) 電源供應(yīng)系統(tǒng)或使用點(diǎn)電源供應(yīng)系統(tǒng) (PUPS)。由于模塊式結(jié)...

2011-03-17

電源模塊噪音測量技術(shù) 可靠性

ERmet ZD系列：ERNI電子新推出高速連接器

ERNI新推出的ZDHD連接器乃傳遞高速差分信號的子卡對背板連接器，也是標(biāo)準(zhǔn)ERmet ZD連接器系列的高密度延伸版。其經(jīng)優(yōu)化的底盤可改善電氣特性，同時提供高達(dá)25 Gbit/s的數(shù)據(jù)傳輸率。

2011-03-16

連接器 ZD ERIN PCB

高功率因數(shù)感應(yīng)加熱電源的設(shè)計與實現(xiàn)

目前，感應(yīng)加熱電源已廣泛用于金屬熔煉、透熱、焊接、彎管、表面淬火等熱加工和熱處理行業(yè)。然而傳統(tǒng)感應(yīng)加熱電源整流變換一般采用晶閘管相控整流或二極管不控整流方式，為獲得較為穩(wěn)定的直流電壓，整流后往往采用大電容儲能兼濾波，導(dǎo)致電網(wǎng)輸入側(cè)功率因數(shù)非常低，電流畸變，對電網(wǎng)造成諧波污染；...

2011-03-15

高功率因數(shù) 感應(yīng)加熱電源

施耐德電氣推出RSL薄片式繼電器用于造紙機(jī)械

全球能效管理專家施耐德電氣日前宣布正式推出RSL薄片式繼電器，作為Zelio Relay系列繼電器的大家族中的一員，RSL薄片式繼電器將致力于為用戶節(jié)省安裝空間與時間，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

2011-03-15

施耐德薄片式繼電器電子元件

靜電防護(hù)與電磁兼容性

靜電作為一種近場自然危害源，給人類社會已經(jīng)造成了重大損失和危害。1969年底在不到一個月的時間里，由于靜電放電(EsD)引發(fā)荷蘭、挪威、英國三艘20萬噸超級油輪洗艙時相繼發(fā)生爆炸；靜電放電曾使國際通訊衛(wèi)星II—F1Iv—F8及美國的阿尼克、歐洲航天局的航海通訊衛(wèi)星等數(shù)十額衛(wèi)星發(fā)生故障，不能正常飛行...

2011-03-11

靜電電磁兼容性普銳馬

優(yōu)化示波器測量的技巧

雖然進(jìn)行精確的高速示波器測量可能具有挑戰(zhàn)性，但是運(yùn)用一些簡單提示和技巧可以顯著改善測量結(jié)果。本文從帶寬、兼容性、校準(zhǔn)、探頭、探頭接地、差分測量等方面出發(fā)，收集了一些容易實施的方法，可以確保您的每次時域測量都能夠快速準(zhǔn)確地得到結(jié)果...

2011-03-11

示波器測量技巧

完美結(jié)合ARM Cortex，富士通如虎添翼

ARM微處理器現(xiàn)已遍及工業(yè)控制、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、通信系統(tǒng)、天線系統(tǒng)等各類產(chǎn)品市場，ARM技術(shù)也正在逐步滲透到我們生活的各個方面。目前在32位MCU市場，有些廠商正在放棄自身架構(gòu)而采用ARM Cortex，那么ARM Cortex是否會成為未來32位MCU市場的唯一選擇？就此問題，電子元件技術(shù)網(wǎng)采訪了富士通半導(dǎo)體...

2011-03-10

ARM Cortex 富士通新8FX MCU系列產(chǎn)品蔡振宇

SiR870DP/Si4190DY：Vishay推出100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET?技術(shù)，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。此外，該器件的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積也是同類產(chǎn)品中最佳的，該...

2011-03-10

SiR870DP Si4190DY Vishay TrenchFET? 功率MOSFET

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