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能源電力

“量增價(jià)跌”確立光伏市場(chǎng)加速進(jìn)入中國時(shí)間

光伏產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷著深層次的變革，無論是生產(chǎn)工藝、轉(zhuǎn)換效率和商業(yè)模式都在進(jìn)行著新一輪的創(chuàng)新和變化。估計(jì)隨著國內(nèi)市場(chǎng)的啟動(dòng)，“光伏中國制造”將變?yōu)椤肮夥袊鴳?yīng)用”，無論是依賴進(jìn)口的硅材料、切割鋼絲、銀漿、背板還是占據(jù)主導(dǎo)地位的鋁漿、鋼化玻璃、接線盒，都將成為中國人的天下，進(jìn)而形成一個(gè)...

2011-08-12

量增價(jià)跌光伏市場(chǎng) 多晶硅

MOSFET的選型及應(yīng)用概覽

MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。隨著汽車、通信、能源、消費(fèi)、綠色工業(yè)等大量應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來得到了快速的發(fā)展，功率MOSFET更是備受關(guān)注。本期半月談將會(huì)從基礎(chǔ)開始，探討MOSFET的一些基礎(chǔ)知識(shí)，包括選型、關(guān)鍵參數(shù)的介紹、系統(tǒng)和散熱的考慮等等；最...

2011-08-12

MOSFET 溝道 MOSFET選型 LED燈具驅(qū)動(dòng)

AEM科技喜獲UL目擊實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)

AEM科技（蘇州）股份有限公司于北京時(shí)間7月28日取得UL目擊實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)。這是中國大陸境內(nèi)第一家限流熔斷器生產(chǎn)商獲得本項(xiàng)資質(zhì)，將使AEM熔斷器新產(chǎn)品的UL認(rèn)證周期大大縮短，為加快研發(fā)成果商品化及高效服務(wù)客戶提供了便利。

2011-08-11

AEM UL 實(shí)驗(yàn)室

基于RFID技術(shù)的LED路燈智能控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案

本文應(yīng)用射頻識(shí)別（ Radio FrequencyIdentification ，RFID）技術(shù)，結(jié)合設(shè)置在路面的讀寫裝置、安裝在車輛上的射頻標(biāo)簽，設(shè)計(jì)了一種LED 路燈自動(dòng)控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)LED 路燈的智能開關(guān)，既能夠節(jié)約能源又可以有效減輕工作人員管理路燈系統(tǒng)的工作負(fù)擔(dān)

2011-08-11

RFID LED路燈 LED 射頻識(shí)別

正確選擇鋰電池充電系統(tǒng)

在有些應(yīng)用中，較長(zhǎng)的電池壽命、較多的充電次數(shù)或較安全的電池比電池容量更重要。本文介紹幾種可以極大延長(zhǎng)電池壽命的鋰離子電池充電和放電方法。

2011-08-11

鋰離子電池電池電池壽命

影響絕緣電阻測(cè)量值的主要因素

在電氣設(shè)備檢驗(yàn)中，絕緣電阻是安全性能一項(xiàng)非常重要的檢驗(yàn)項(xiàng)目。對(duì)其測(cè)量通常采用在被測(cè)絕緣體兩端施加恒定的直流電壓，測(cè)量其間流過的直流電流的大小和變化情況，以此判斷絕緣材料的優(yōu)劣。值得我們注意的是：絕緣電阻測(cè)量值不是一個(gè)恒定不變的數(shù)值，它易受外界諸多因素的影響而發(fā)生變化。

2011-08-11

絕緣電阻測(cè)量兆歐表電壓

尺寸縮小對(duì)溝槽MOSFET性能的影響

隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長(zhǎng)，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開關(guān)損耗及較快的開關(guān)速度。

2011-08-11

MOSFET 溝道溝槽式接觸導(dǎo)通電阻

BRIC模塊的電源管理和功耗

Pickering Interfaces公司的BRIC模塊在密度很高的格局內(nèi)安放了很多繼電器。BRIC模塊只用到了PXI底板上左手邊的插槽，而為了給模塊進(jìn)行供電，可以使用在底板上排列比較緊湊的右手邊的其他空余插槽，并且只消耗一個(gè)活動(dòng)插槽的功率。

2011-08-11

BRIC 繼電器電源管理開關(guān)

電容漏泄的測(cè)量

電容器是幾乎所有電氣設(shè)備上都會(huì)用到的主要器件。漏阻是電容器被測(cè)試的眾多電氣特征中的一個(gè)。漏阻通常被稱為“IR”（Insulation Resistance，絕緣電阻），以“兆歐－微法”表示。在其它情況下，漏泄可能被表示為特定電壓（通常為工作電壓）下的漏泄電流

2011-08-11

電容漏阻電阻器二極管

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