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技術(shù)文章

詳解時域瞬態(tài)分析技術(shù)

當打開或關(guān)閉 LED 時，隨著光線變亮或變暗有一個緩慢的過渡。這種類型的瞬態(tài)行為非常簡單，但這是一個電子系統(tǒng)改變狀態(tài)時的基本反應(yīng)。使用瞬態(tài)分析可以充分理解時域中的信號轉(zhuǎn)換，以及它們與重要系統(tǒng)參數(shù)的關(guān)系。

2022-01-26

時域瞬態(tài)

貿(mào)澤電子授權(quán)分銷超49000種Amphenol產(chǎn)品

2022年1月26日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 分銷全球知名互聯(lián)系統(tǒng)供應(yīng)商Amphenol Corporation的新款產(chǎn)品和解決方案。貿(mào)澤備貨Amphenol及其41個部門的全系列產(chǎn)品，總數(shù)超過49600種。

2022-01-26

貿(mào)澤電子授權(quán)分銷 Amphenol

SRII推出兩款A(yù)LD新品，滿足泛半導(dǎo)體應(yīng)用多功能性和靈活性的需求

原子層沉積（ALD）工藝被認為是邏輯和存儲半導(dǎo)體器件微縮化的重要推動力。過去20年，ALD工藝及設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲器件的大批量制造，不斷推動諸如動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）、先進的鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進與創(chuàng)新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸...

2022-01-26

SRII ALD 泛半導(dǎo)體

工業(yè)和汽車行業(yè)如何從 5G 中受益

5G 不僅僅是局限于對移動通訊技術(shù)的改進，更高的下載速度可能會增強智能手機的瀏覽體驗，但 5G 的真正影響巨大的應(yīng)用更有可能尚未出現(xiàn)。本文中我們討論5G如何會影響工業(yè)和汽車行業(yè)，以及您如何把 5G 構(gòu)建到您的下一個設(shè)計項目。

2022-01-26

工業(yè)行業(yè) 汽車行業(yè) 5G

PMDE封裝的實機評估

本文將使用車載LED驅(qū)動器BD81A44EFV-M及其評估板，對PMDU和PMDE的發(fā)熱和效率進行比較評估，并以車載LED驅(qū)動器BD81A44EFV-M及其評估板確認其結(jié)果。

2022-01-26

PMDE封裝實機評估

大功率二極管晶閘管知識連載——熱特性

功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關(guān)，SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。

2022-01-26

二極管晶閘管熱特性

IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？

半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式半導(dǎo)體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJ...

2022-01-26

IGBT MOSFET

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