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技術(shù)文章

開關(guān)穩(wěn)壓器的封裝體積正變得越來越小

開關(guān)穩(wěn)壓器電路已經(jīng)存在多年，用戶可以選擇使用分立式組件來設(shè)計(jì)自己的產(chǎn)品，也可以購買模塊化成品。如今，能夠滿足最新的效率、EMI和功率密度要求的技術(shù)讓模塊化方案獲得更多的青睞。

2022-02-09

開關(guān)穩(wěn)壓器封裝體積

SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）

由于SiC 材料具有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的熱穩(wěn)定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現(xiàn)。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。當(dāng)前碳化硅功率器件主...

2022-02-09

SiC功率器件派恩杰

LDO如何更加功效

隨著物聯(lián)網(wǎng) （IoT）不斷占領(lǐng)于我們的住宅和辦公場(chǎng)所，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)越來越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個(gè)角落訪問這些電器和系統(tǒng)。不過，由于有如此之多的設(shè)備被連接到我們的住宅和辦公室，我們消耗了難以計(jì)數(shù)的待機(jī)電能。

2022-02-08

LDO 物聯(lián)網(wǎng)

可編程輸入倍頻法如何減少整數(shù)邊界雜散

您曾設(shè)計(jì)過具有分?jǐn)?shù)頻率合成器的鎖相環(huán)（PLL）嗎？這種合成器在整數(shù)通道上看起來很棒，但在只稍微偏離這些整數(shù)通道的頻率點(diǎn)上雜散就會(huì)變得高很多，是吧？如果是這樣的話，您就已經(jīng)遇到過整數(shù)邊界雜散現(xiàn)象了 —— 該現(xiàn)象發(fā)生在載波的偏移距離等于到最近整數(shù)通道的距離時(shí)。

2022-02-08

可編程輸入倍頻法整數(shù)邊界雜散

如何利用TI Designs來驗(yàn)證和加快設(shè)計(jì)過程

如果處理器和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列FPGA全部由同樣的電壓供電運(yùn)行，并且不需要排序和控制等特殊功能的話，會(huì)不會(huì)變的很簡(jiǎn)單呢？不幸的是，大多數(shù)處理器和FPGA需要不同的電源電壓，啟動(dòng)/關(guān)斷序列和不同類型的控制。

2022-02-08

TI Designs 處理器現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列FPGA

如何仿真轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸入／輸出

對(duì)于SAR-ADC的仿真比較復(fù)雜。目前來看，還沒有準(zhǔn)確模擬整個(gè)器件的完整轉(zhuǎn)換器模型。現(xiàn)有資源是一個(gè)仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強(qiáng)大工具，使用戶能夠解決其中一個(gè)最關(guān)鍵、最棘手的轉(zhuǎn)換器問題。

2022-02-08

仿真轉(zhuǎn)換器數(shù)字輸入／輸出

關(guān)于相控陣三種波束成型架構(gòu)的那些事兒~

本文對(duì)模擬、數(shù)字和混合波束成型架構(gòu)的能效比進(jìn)行了比較，并針對(duì)接收相控陣開發(fā)了這三種架構(gòu)的功耗的詳細(xì)方程模型。該模型清楚說明了各種器件對(duì)總功耗的貢獻(xiàn)，以及功耗如何隨陣列的各種參數(shù)而變化。對(duì)不同陣列架構(gòu)的功耗/波束帶寬積的比較表明，對(duì)于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優(yōu)勢(shì)。

2022-02-08

相控陣波束成型架構(gòu)

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