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激光二極管篇之封裝和芯片結(jié)構(gòu)

發(fā)布時(shí)間:2021-05-26 來源:ROHM 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】激光二極管的封裝,主流為業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的φ5.6mm CAN型,也有重視成本類型的沒有玻璃蓋片的產(chǎn)品。
 
LD封裝
 
激光二極管的封裝,主流為業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的φ5.6mm CAN型,也有重視成本類型的沒有玻璃蓋片的產(chǎn)品。
 
激光二極管篇之封裝和芯片結(jié)構(gòu)
 
在Quad beam LD及部分通信類產(chǎn)品中,尺寸大的有φ9.0mm,備有各種封裝。另外,在光盤領(lǐng)域,為了進(jìn)一步降低成本,也有采用樹脂制作的框架封裝等。
 
【框架封裝示例】
 
激光二極管篇之封裝和芯片結(jié)構(gòu)
 
LD芯片結(jié)構(gòu)
 
法布里-珀羅型LD是由n/p包層、夾在包層之間的有源層(發(fā)光層) 和2片鏡片端面構(gòu)成。
 
由于包層材料的禁帶寬度比有源層寬,因此將載體(電子和空穴)能量性的封閉起來。并且,由于包層材料的折射率比有源層小,因此光也封閉在有源層內(nèi)。(與光纖的原理相同)
 
有源層和包層由納米級可控的外延生長生產(chǎn),條形(電極)以微米級可控的光刻法制作。
 
激光二極管篇之封裝和芯片結(jié)構(gòu)
 
法布里-珀羅型LD:
一種最簡單的激光二極管的結(jié)構(gòu)。
 
外延生長:
薄膜結(jié)晶生長技術(shù)的一種,在原有晶片上進(jìn)行生長,使之以電路板結(jié)晶面一致的結(jié)晶排列生長。
 
光刻法:
一種將涂敷了感光性物質(zhì)的表面曝光,利用曝光部分和未曝光部分生成圖案的技術(shù)。
(來源:ROHM,作者:ROHM)
 
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