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歐盟批準(zhǔn)松下收購三洋需剝離電池業(yè)務(wù)

歐盟委員會29日決定，批準(zhǔn)日本松下電器收購三洋電機(jī)，但前提條件是兩家企業(yè)合并后必須出售在歐洲的部分電池生產(chǎn)業(yè)務(wù)，以消除競爭擔(dān)憂。

2009-10-12

歐盟松下收購三洋

歐盟批準(zhǔn)松下收購三洋需剝離電池業(yè)務(wù)

2009-10-12

歐盟松下收購三洋

臺灣首例氮化鋁投資 LED成本降3成

臺灣國立成功大學(xué)和金鋁公司今天簽約共同投資生產(chǎn)氮化鋁，也是臺灣第一個氮化鋁產(chǎn)業(yè)；金鋁公司表示，臺灣氮化鋁都是從國外進(jìn)口，國內(nèi)產(chǎn)製后，氮化鋁成本預(yù)估降低3成。

2009-10-12

臺灣金鋁氮化鋁國立成功大學(xué)

電源及控制電路是半導(dǎo)體照明的關(guān)鍵

目前發(fā)展半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的問題是：LED燈具用電源和控制電路、LD(半導(dǎo)體激光器)照明和半導(dǎo)體照明配套政策必須引起我們的高度重視。

2009-10-12

LED LD 照明

電子元器件在電路仿真中的建模

計算機(jī)仿真具有效率高、精度高、可靠性高和成本低等特點，已被廣泛應(yīng)用于電力電子電路(或系統(tǒng))的分析和設(shè)計。目前各種仿真工具中都自帶很多常用的元器件模型，但是自帶模型庫永遠(yuǎn)跟不上電子元器件的更新速度。這里針對建模的重要性和必要性，研究當(dāng)前流行的電子電路仿真工具的電子元器件模型，提出...

2009-10-12

計算機(jī)仿真建模的參數(shù)建模法子電路建模法

FSSD06 /FSSD07 :飛兆半導(dǎo)體推出通信功能的存儲器開關(guān)

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和便攜應(yīng)用設(shè)計人員提供兩款存儲器開關(guān)產(chǎn)品 FSSD06 和 FSSD07 ，擴(kuò)展了普通處理器至安全數(shù)字(SD)、安全數(shù)字I/O (SDIO) 和多媒體卡 (MMC)等外設(shè)的通信功能。

2009-10-12

FSSD06 FSSD07 開關(guān) 便攜應(yīng)用手機(jī)

FSSD06 /FSSD07 :飛兆半導(dǎo)體推出通信功能的存儲器開關(guān)

2009-10-12

FSSD06 FSSD07 開關(guān) 便攜應(yīng)用手機(jī)

FDFME3N311ZT：飛兆半導(dǎo)體實現(xiàn)高效率的升壓開關(guān)

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT，有助提高手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費應(yīng)用設(shè)計的升壓轉(zhuǎn)換電路效率。該器件結(jié)合了30V集成式N溝道PowerTrench? MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設(shè)計的效率。

2009-10-12

FDFME3N311ZT MOSFET 飛兆半導(dǎo)體

FDFME3N311ZT：飛兆半導(dǎo)體實現(xiàn)高效率的升壓開關(guān)

2009-10-12

FDFME3N311ZT MOSFET 飛兆半導(dǎo)體

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FDFME3N311ZT：飛兆半導(dǎo)體實現(xiàn)高效率的升壓開關(guān)

FDFME3N311ZT：飛兆半導(dǎo)體實現(xiàn)高效率的升壓開關(guān)

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