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霍爾效應(yīng)技術(shù)提供緊湊型電流測量傳感器

NANALEM K.K公司的HX傳感器很好地克服了傳統(tǒng)測量電流方法中的缺點，并且滿足了在成本很尺寸上的要求。HX傳感器的核心是一個霍爾效應(yīng)發(fā)生器，對關(guān)鍵噪聲具有完美免疫力，在并排安裝在三相應(yīng)用中時，HX電流傳感器引起的相互干擾非常小。

2008-09-29

HX系列霍爾效應(yīng) 噪聲干擾

基于感應(yīng)耦合比率臂的高精度位移測量系統(tǒng)

本文討論了比率測量方法的優(yōu)點，介紹了運用感應(yīng)耦合比率臂和差動式電容位移傳感器設(shè)計的高精度微小位移測量系統(tǒng)。給出了一種實驗系統(tǒng)的設(shè)計例子和主要的測試結(jié)果，說明了該設(shè)計在小位移測量中的有效性。

2008-09-29

位移測量感應(yīng)耦合比率臂電容傳感器納米測量

電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)

在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計中 , 使用場效應(yīng)晶體管當作切換開關(guān)已經(jīng)越來越普遍。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對場效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進而幫助設(shè)計者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點。

2008-09-29

場效應(yīng)晶體 UIS 接合面過壓

電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)

2008-09-29

場效應(yīng)晶體 UIS 接合面過壓

一種智能化電源的設(shè)計

隨著電子技術(shù)和電源技術(shù)的發(fā)展，開關(guān)電源以體積小、重量輕、功率大、集成度高、輸出組合便利等優(yōu)點而成為電子電路電源的首選。在實際的工作環(huán)境中，特別是在一些工業(yè)場所中，電磁環(huán)境十分惡劣，常常有異常情況出現(xiàn)，本文對以微處理機為核心的“透明”電源檢測技術(shù)輔以提高開關(guān)電源抗過電壓、抗干擾性...

2008-09-29

開關(guān)電源過電壓監(jiān)測 MODBUS 通信

基于多傳感器數(shù)據(jù)融合的漏磁信號采集與處理

漏磁檢測以其高信噪比、高靈敏度和高檢測效率，在無損檢測中得到了廣泛應(yīng)用。隨著科學技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的信號處理方法越來越不適應(yīng)現(xiàn)代工業(yè)的需要，提出一種基于多傳感器數(shù)據(jù)融合技術(shù)的漏磁信號處理方法。采用小波去噪的方法，并利用徑向基函數(shù)（RBF）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)融合技術(shù)對缺陷信號進行檢測處理...

2008-09-29

漏磁檢測多傳感器技術(shù) 數(shù)據(jù)融合小波去噪 RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)

基于多傳感器數(shù)據(jù)融合的漏磁信號采集與處理

2008-09-29

漏磁檢測多傳感器技術(shù) 數(shù)據(jù)融合小波去噪 RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)

基于InSb-In薄膜磁阻元件電流傳感器的應(yīng)用

傳感器技術(shù)已成為現(xiàn)代信息技術(shù)的三大支柱之一，本文描述了采用InSb-In共晶體薄膜磁阻元件制成電流傳感器的實現(xiàn)，并介紹了銻化銦電流傳感器的結(jié)構(gòu)和工作原理，以及在工業(yè)現(xiàn)場的應(yīng)用并得出相關(guān)結(jié)論。

2008-09-29

銻化銦電流傳感器信號處理電路馬達監(jiān)控

基于InSb-In薄膜磁阻元件電流傳感器的應(yīng)用

2008-09-29

銻化銦電流傳感器信號處理電路馬達監(jiān)控

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霍爾效應(yīng)技術(shù)提供緊湊型電流測量傳感器

基于感應(yīng)耦合比率臂的高精度位移測量系統(tǒng)

電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)

電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)

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基于多傳感器數(shù)據(jù)融合的漏磁信號采集與處理

基于多傳感器數(shù)據(jù)融合的漏磁信號采集與處理

基于InSb-In薄膜磁阻元件電流傳感器的應(yīng)用

基于InSb-In薄膜磁阻元件電流傳感器的應(yīng)用

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