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技術(shù)文章

VAR：Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻

日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻，該電阻采取特殊設(shè)計(jì)，可增加信號(hào)清晰度。當(dāng)溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時(shí)，該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時(shí) 5ppm 的出色PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）、0.01% 的絕對(duì)容差且電流噪聲小于 -40dB。

2008-05-07

VAR Z 箔音頻電阻

NBXxxxx：安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充了高性能時(shí)鐘和數(shù)據(jù)管理產(chǎn)品系列，推出九款基于鎖相環(huán)(PLL)的新PureEdge時(shí)鐘模塊，替代晶體振蕩器(XO)。NBXxxxx系列非常適用于高速網(wǎng)絡(luò)、電信和高端計(jì)算應(yīng)用。

2008-05-07

PLL PureEdge NBXxxxx 通信應(yīng)用振蕩器

《電子元件技術(shù)網(wǎng)互動(dòng)精彩回放》有獎(jiǎng)小測(cè)驗(yàn)獲獎(jiǎng)名單

2008-05-06

《電子元件技術(shù)網(wǎng)互動(dòng)精彩回放》有獎(jiǎng)小測(cè)驗(yàn)獲獎(jiǎng)名單

Vishay榮獲EE Times評(píng)選的模擬集成電路類(lèi)年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)

日前，Vishay宣布，該公司的SiP12510 和SiP12511白色LED驅(qū)動(dòng)器榮獲2008年EE Times評(píng)選的年度電子產(chǎn)品創(chuàng)新 (ACE) 獎(jiǎng)項(xiàng)中的模擬集成電路類(lèi)最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)。ACE 獎(jiǎng)褒獎(jiǎng)電子工程業(yè)最具創(chuàng)新的公司及突破性技術(shù)。

2008-05-06

SiP12510 SiP12511 LED驅(qū)動(dòng)器

STW55NM60ND：意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品

意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，用于包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求。新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)還使導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)超過(guò)18%的降幅。

2008-05-06

STW55NM60ND MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管

ASMT-FJ30：安華高數(shù)碼相機(jī)應(yīng)用超薄自動(dòng)對(duì)焦LED產(chǎn)品

Avago宣布推出一款新小型化自動(dòng)對(duì)焦發(fā)光二極管(LED)產(chǎn)品，適合超薄型數(shù)碼相機(jī)和照相手機(jī)設(shè)計(jì)。安華高的ASMT-FJ30可以在幫助數(shù)碼相機(jī)和照相手機(jī)設(shè)計(jì)工程師進(jìn)一步縮減應(yīng)用厚度上扮演關(guān)鍵的角色，ASMT-FJ30非常適合需要長(zhǎng)距離照明以及窄角度發(fā)光模式的相機(jī)應(yīng)用上做為自動(dòng)對(duì)焦輔助閃光燈使用。

2008-05-06

發(fā)光二極管 LED ASMT-FJ30 照相應(yīng)用

電子元件技術(shù)網(wǎng)有獎(jiǎng)小測(cè)驗(yàn)第二期

2008-05-05

電子元件技術(shù)網(wǎng)有獎(jiǎng)小測(cè)驗(yàn)第二期

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Vishay榮獲EE Times評(píng)選的模擬集成電路類(lèi)年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)

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