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技術(shù)文章

TIG058E8：三洋半導(dǎo)體開發(fā)出面積縮小60％的手機(jī)閃光燈用IGBT

三洋半導(dǎo)體開發(fā)出了面積比原產(chǎn)品縮小約60%的氙氣閃光燈（Xenon Flash）用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機(jī)的拍照功能?？赏ㄟ^IGBT的開關(guān)操作瞬間釋放電容器內(nèi)存儲(chǔ)的電力，使氙氣管發(fā)光。

2009-02-02

IGBT TIG058E8 氙氣閃光燈

富士通成立針對(duì)中國供應(yīng)商的電子元器件質(zhì)檢公司

富士通在江蘇省蘇州市成立了針對(duì)中國的電子電氣元件供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量監(jiān)查和環(huán)境監(jiān)查的新公司，預(yù)計(jì)可大幅提高日本企業(yè)進(jìn)行質(zhì)檢和環(huán)境檢查的效率，幫助中國電子元器件廠商提高產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。

2009-02-02

質(zhì)量監(jiān)查環(huán)境監(jiān)查元器件質(zhì)檢

FVXO-PC72：Fox 2.5伏壓控晶體振蕩器

Fox Electronics公司為XpressO振蕩器系列推出了一款2.5伏LVPECL壓控晶體振蕩器FVXO-PC72，該產(chǎn)品采用7x 5毫米封裝，并將頻率范圍從0.75兆赫至1.0千兆赫。

2009-02-02

振蕩器壓控晶體振蕩器 FVXO-PC72

NSMX系列：NIC PPS薄膜片式電容

近日，NIC Components公司推出一系列薄膜片式電容NSMX系列。該系列電容在較寬的工作溫度范圍內(nèi)具有極為穩(wěn)定的性能。

2009-02-02

NSMX SAC 薄膜片式電容電容硫化聚亞苯基

IGBT模塊的并聯(lián)：從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計(jì)方法

IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問題是個(gè)關(guān)鍵的問題，之前采用的方法是最壞情況分析方法，英飛凌公司現(xiàn)在推出蒙特卡羅模擬工具。最差情況分析結(jié)果僅僅表明最高結(jié)溫可能達(dá)到IGBT的溫度限值，蒙特卡羅分析則提供更詳細(xì)的信息。

2009-02-01

IGBT模塊蒙特卡羅模擬工具最差情況分析方法 IGBT

ODC-2/ODC-4：法國雷迪埃新型室外光纖連接器

ODC室外連接器是法國雷迪埃集團(tuán)（RADIALL）最新推出的新型光纖連接器。

2009-02-01

室外光纖連接器 ODC-2/ODC-4 連接器

TMOV34S：Littelfuse新款熱保護(hù)壓敏電阻

Littelfuse推出TMOV34S系列雙接線端版產(chǎn)品。它們是市場(chǎng)領(lǐng)先的TMOV系列熱保護(hù)壓敏電阻的新增產(chǎn)品，其代表了電路保護(hù)領(lǐng)域的新發(fā)展。它由34mm x 34mm壓敏電阻組件（MOV）以及熱感應(yīng)材料組成。當(dāng)出現(xiàn)過電壓而造成的過熱情況時(shí)，熱感應(yīng)材料的設(shè)計(jì)能夠使器件安全地?cái)嚅_。

2009-02-01

熱保護(hù)壓敏電阻 TMOV34S UL 1449 脈沖手機(jī)/通訊基站電源

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