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技術(shù)文章

讓電動(dòng)汽車延長(zhǎng)5%里程的SiC主驅(qū)逆變器

本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 將電動(dòng)汽車的續(xù)航里程延長(zhǎng)多達(dá) 5%。另外，文中還討論了為什么一些原始設(shè)備制造商 (OEM) 不愿意從硅基絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 過渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 為緩解 OEM 的擔(dān)憂同時(shí)提升 OEM 對(duì)這種成...

2023-11-12

SiC 逆變器電動(dòng)汽車

能實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊

隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對(duì)效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力，實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。

2023-11-12

IGBT模塊馬達(dá)驅(qū)動(dòng) 應(yīng)用

專為智能汽車車身域打造的直流有刷柵極驅(qū)動(dòng)IC

TMI8721-Q1是一顆驅(qū)動(dòng)外部4個(gè)N溝通MOSFET的單通道全橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片。優(yōu)秀的驅(qū)動(dòng)能力，使其可驅(qū)動(dòng)大部分MOSFET，特別適用于汽車座椅自動(dòng)調(diào)節(jié)，后尾門撐桿，玻璃升降、天窗、遮陽(yáng)簾、門窗、方向盤調(diào)節(jié)、側(cè)滑門、電動(dòng)踏板等電流偏大的場(chǎng)合。

2023-11-12

智能汽車車身域柵極驅(qū)動(dòng)

SiC MOSFET 器件特性知多少？

對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓...

2023-11-12

SiC MOSFET 器件特性

了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻

分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫為 R DS (on)。這個(gè) R DS (on)想法看起來非常簡(jiǎn)單：當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時(shí)，它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”，漏極和源極通過電阻等于 R DS(on)...

2023-11-11

MOSFET 通態(tài)漏源電阻

中國(guó)電信韋樂平：光通信發(fā)展的新趨勢(shì)思考

近日，在“中國(guó)電信戰(zhàn)新共鏈行動(dòng)大會(huì)暨第三屆科技節(jié)”之“面向云網(wǎng)融合的下一代光網(wǎng)絡(luò)新技術(shù)論壇”上，中國(guó)電信集團(tuán)科技委主任韋樂平發(fā)表主題演講。

2023-11-11

中國(guó)電信光通信趨勢(shì)

能為電視和顯示器提供先進(jìn)檢測(cè)功能的60GHz毫米波雷達(dá)

60GHz 雷達(dá)傳感器具有更短的波長(zhǎng)和更多數(shù)量的發(fā)射和接收天線，可以準(zhǔn)確檢測(cè)室內(nèi)人員（四人或更多人數(shù)）的存在、運(yùn)動(dòng)和位置。毫米波雷達(dá)可提供多種功能，例如監(jiān)控多個(gè)區(qū)域以確定每個(gè)區(qū)域是否有人員存在并跟蹤人員的移動(dòng)。

2023-11-11

毫米波雷達(dá) 顯示器檢測(cè)

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