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技術文章

演進中的電力電子設計：安森美先進仿真工具

電力電子設計是現(xiàn)代工程中的關鍵因素，它對眾多應用的效率、可靠性和性能產生深遠影響。在考慮制造工藝差異和最壞情景的同時，開發(fā)出符合嚴格要求的電路，需要精確且精密的工具支持。

2024-04-08

安森美電力電子設計仿真工具

力森諾科（Resonac）對湖南初源、瑞鈦提起感光干膜材料專利侵權訴訟

2023年12月，力森諾科聯(lián)合其子公司力森諾科材料（東莞）有限公司，向深圳市中級人民法院正式提起訴訟，主張湖南初源新材料股份有限公司、湖南瑞鈦新材料科技股份有限公司等涉嫌侵犯其在感光干膜領域的中國專利權。力森諾科要求法院判決被告企業(yè)立即停止生產和銷售涉及侵權的感光干膜產品，并賠償因...

2024-04-07

力森諾科

SEMICON 2024圓滿落幕！快來認識頗爾令人振奮的產品解決方案

2024年3月20-22日，頗爾中國在上海新國際博覽中心N4場館#4471號為期三天的 SEMICON 2024展覽閃耀亮相。這場展會匯聚了1100多家半導體展商，現(xiàn)場人頭攢動，成為業(yè)界的焦點。

2024-04-07

產品解決方案

軟件可配置模擬I／O的設計理念

在快速發(fā)展的工業(yè)電子領域，軟件可配置模擬 I/O 器件的開發(fā)為系統(tǒng)設計和運行帶來了前所未有的多功能性和效率。Analog Devices 的 MAX22000 就是一個很好的實例，它提供了一個多面的模擬信號處理方法，可按需重新配置，以適應各種應用。

2024-04-07

軟件模擬I／O

測試共源共柵氮化鎵 FET

Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發(fā)現(xiàn)該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢...

2024-04-07

測試共源氮化鎵 FET

P溝道功率MOSFETs及其應用

Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120V）和非隔離的負載點更具吸引力。

2024-04-07

功率MOSFETs

CITE2024即將拉開帷幕，搶先一睹電子信息產業(yè)的未來趨勢

伴隨著人工智能、大數據、5G、云計算等數字技術的快速發(fā)展與廣泛應用，數字經濟已成為驅動經濟增長和社會進步的關鍵力量。今年的《政府工作報告》更是明確提出，要深入推進數字經濟創(chuàng)新發(fā)展。制定支持數字經濟高質量發(fā)展政策，積極推進數字產業(yè)化、產業(yè)數字化，促進數字技術和實體經濟深度融合。

2024-04-07

意法半導體電子信息產業(yè) 人工智能大數據 5G 云計算

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