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技術(shù)文章

第4講：SiC的物理特性

SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備...

2024-09-11

SiC

邊界工況推動(dòng)下，汽車圖像傳感器的四大發(fā)展方向

隨著自動(dòng)駕駛等級(jí)進(jìn)階，搭載的攝像頭數(shù)量越來越多性能越來越高。為幫助自動(dòng)駕駛車輛描繪出一幅幅精準(zhǔn)細(xì)膩的“路況圖”，其幕后英雄圖像傳感器正在嶄露頭角，高分辨率、高動(dòng)態(tài)范圍等技術(shù)方向的推進(jìn)迫在眉睫。

2024-09-11

汽車圖像傳感器

氮化鎵在高壓應(yīng)用中提供強(qiáng)大的解決方案

在電子工程領(lǐng)域，向更高工作電壓發(fā)展的趨勢(shì)是由各種應(yīng)用中對(duì)提高效率和功率密度的需求所推動(dòng)的。氮化鎵（GaN）技術(shù)正作為一種強(qiáng)大的解決方案來滿足這些需求。

2024-09-11

氮化鎵高壓應(yīng)用

開關(guān)模式電源問題分析及其糾正措施：檢測(cè)電阻器違規(guī)

本文是系列文章中的第二篇，該系列文章將討論常見的開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的反饋級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注檢測(cè)電阻器(RSENSE)元件。RSENSE對(duì)于確保反饋網(wǎng)絡(luò)（負(fù)責(zé)維持輸出電壓）接收來自電感電流的準(zhǔn)確信號(hào)而言至關(guān)重要。失真的信號(hào)可能會(huì)...

2024-09-10

開關(guān)模式電源電阻器

I2C信號(hào)為什么需要上拉電阻

I2C信號(hào)需要上拉電阻的原因與其工作原理密切相關(guān)。I2C是一種開放漏極（open-drain）或開集電極（open-collector）的通信協(xié)議，這意味著驅(qū)動(dòng)器（主設(shè)備或從設(shè)備）只能將線拉低到低電平（邏輯0），但不能主動(dòng)將線拉高到高電平（邏輯1）。

2024-09-10

I2C信號(hào) 上拉電阻

無需磁性元件的光伏調(diào)節(jié)器

光伏系統(tǒng)通常包括一種儲(chǔ)能方式——電池或超級(jí)電容器——在沒有陽光或電源瞬變時(shí)為負(fù)載提供電力。然而，在可行的情況下，無儲(chǔ)能系統(tǒng)是一種更環(huán)保的替代方案，具有更高的 MTBF。

2024-09-10

磁性元件光伏調(diào)節(jié)器

貿(mào)澤電子對(duì)FIRST創(chuàng)始人兼發(fā)明家Dean Kamen進(jìn)行視頻專訪

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興推出與工程師、發(fā)明家兼FIRST? (For Inspiration and Recognition of Science and Technology) 創(chuàng)始人Dean Kamen的視頻專訪。這家非營(yíng)利機(jī)構(gòu)致力于通過機(jī)器人實(shí)踐項(xiàng)目，推動(dòng)青少年的科學(xué)、技術(shù)、工程與數(shù)學(xué) (STEM) 教育。自2014年以來，貿(mào)澤一直是FIRST的主要...

2024-09-09

貿(mào)澤電子 FIRST 視頻專訪

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