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技術(shù)文章

電氣負(fù)載模擬器

電氣負(fù)載仿真的概念涉及控制電力電子轉(zhuǎn)換器，使其行為類似于實(shí)際電氣負(fù)載。例如，電壓源逆變器 (VSI) 可以仿真感應(yīng)電機(jī)。在不同情況下，負(fù)載仿真器的使用至關(guān)重要。它有助于分析在各種負(fù)載條件和環(huán)境下將多臺(tái)機(jī)器連接到電網(wǎng)的可行性。的部分是，這可以在沒有任何機(jī)電機(jī)械的情況下完成。負(fù)載仿真器可...

2024-09-15

電氣負(fù)載模擬器

在使用快速共模和隔離探頭進(jìn)行浮動(dòng)測(cè)量

在這種情況下，我們使用一個(gè)小型電池振蕩器（基于 LTC6907），它連接到 Mosfet 的漏極，從而提供測(cè)量所需的共模電壓變化。該振蕩器板具有 SMB 輸出，但我們將把電纜直接焊接到板上以進(jìn)行此測(cè)試。差分測(cè)量是振蕩器的輸出，即 2V 電平信號(hào)，它與 Mosfet 的切換不同步。首先，我們使用與之前相同的 4 ...

2024-09-15

共模隔離探頭浮動(dòng)測(cè)量

品質(zhì)引領(lǐng)，創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)：安博電子構(gòu)建電子元器件供應(yīng)鏈新生態(tài)

地緣政治、疫情、以及不斷攀升的市場(chǎng)需求，共同構(gòu)成了一個(gè)充滿挑戰(zhàn)與機(jī)遇的市場(chǎng)環(huán)境。元器件短缺、價(jià)格波動(dòng)、交期延長等問題層出不窮，迫使企業(yè)不得不重新審視其供應(yīng)鏈的韌性。作為全球前沿的專業(yè)電子元器件分銷商，安博電子始終以客戶為中心，致力于為客戶提供穩(wěn)定可靠的電子元器件供應(yīng)鏈解決方案。

2024-09-14

電子元器件供應(yīng)鏈

如何使物聯(lián)網(wǎng)邊緣設(shè)備高效節(jié)能？

電源效率對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)的成功至關(guān)重要。設(shè)備的效率越高，其功能壽命就越長，用戶體驗(yàn)就越好。您是否在組織中實(shí)施了物聯(lián)網(wǎng)解決方案，以提高物聯(lián)網(wǎng)邊緣設(shè)備的能源效率？本文重點(diǎn)介紹了您應(yīng)該考慮的15個(gè)關(guān)鍵因素。

2024-09-13

物聯(lián)網(wǎng) 邊緣設(shè)備電源效率

在邊緣部署單對(duì)以太網(wǎng)

工業(yè)領(lǐng)域的工廠長期以來一直使用數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)來監(jiān)視和控制生產(chǎn)設(shè)施。工廠、數(shù)據(jù)中心和商業(yè)建筑中的大型網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)一直在將其數(shù)字信息網(wǎng)絡(luò)的邊緣越來越近地推向現(xiàn)實(shí)物理世界。溫度、壓力、接近或光等物理測(cè)量值會(huì)被轉(zhuǎn)換為數(shù)字信息以供系統(tǒng)處理，計(jì)算出的結(jié)果隨后會(huì)轉(zhuǎn)化為實(shí)際設(shè)備（如閥門、風(fēng)扇、電源和指...

2024-09-13

Microchip OT網(wǎng)絡(luò) IT網(wǎng)絡(luò) 邊緣以太網(wǎng)

恩智浦結(jié)合超寬帶安全測(cè)距與短程雷達(dá)，賦能自動(dòng)化工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，）近日發(fā)布Trimension? SR250，首款將片上處理能力與短程UWB雷達(dá)和安全測(cè)距集成于一體的單芯片解決方案。該產(chǎn)品可基于位置、存在或運(yùn)動(dòng)檢測(cè)，為消費(fèi)者或工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用帶來了更廣泛的新用戶體驗(yàn)，是恩智浦在推動(dòng)世界實(shí)現(xiàn)可預(yù)測(cè)和自動(dòng)化方面的又一次飛躍。

2024-09-12

恩智浦超寬帶安全測(cè)距短程雷達(dá) UWB雷達(dá) 短程雷達(dá) 自動(dòng)化工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

第5講：SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。

2024-09-12

SiC 晶體缺陷

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