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金海迪電子攜0.5mm超薄貼片器件亮相深圳電子展 定義新能源磁性元件新標(biāo)桿
2025年4月10日，深圳會(huì)展中心9號(hào)館內(nèi)，濰坊金海迪電子有限公司（展位9C515）以全球首發(fā)姿態(tài)引爆第105屆中國電子展。作為高頻貼片磁性器件領(lǐng)域的隱形冠軍，這家國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)重磅推出厚度僅0.5mm的SMD-8015型超薄貼片電流互感器，其突破性的±0.3%檢測(cè)精度和125℃高溫耐受性能，直擊微型逆變器與儲(chǔ)能設(shè)備微型化痛點(diǎn)。展臺(tái)上，由全自動(dòng)化產(chǎn)線打造的PT-3200系列貼片變壓器同步亮相，以30%的體積壓縮比和醫(yī)療級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)，向全球客商演繹中國精密電子元件的"硬核科技"進(jìn)階之路。
2025-04-10
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無需磁性元件的光伏調(diào)節(jié)器
光伏系統(tǒng)通常包括一種儲(chǔ)能方式——電池或超級(jí)電容器——在沒有陽光或電源瞬變時(shí)為負(fù)載提供電力。然而，在可行的情況下，無儲(chǔ)能系統(tǒng)是一種更環(huán)保的替代方案，具有更高的 MTBF。
2024-09-10
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使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優(yōu)化
額定功率75W以下的適配器可細(xì)分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡化轉(zhuǎn)換器方面已經(jīng)取得了長足的進(jìn)步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級(jí)。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)上，以減小磁性元件的尺寸。然而，輸入大容量電容器占據(jù)與適配器內(nèi)的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
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BMS電池管理系統(tǒng)中的磁性元件：這樣選，就對(duì)了！
在節(jié)能減碳的大背景下，全球能源結(jié)構(gòu)正在發(fā)生深刻的變化，其中一個(gè)重要的標(biāo)志就是，以鋰離子電池（以下簡稱鋰電池）為代表的儲(chǔ)能技術(shù)，將在未來的能源基礎(chǔ)設(shè)施中扮演著重要的角色。
2024-04-21
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科達(dá)嘉CSCF2918H系列大電流電感應(yīng)用于大功率DC-DC電源
電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展驅(qū)動(dòng)電源轉(zhuǎn)換效率的持續(xù)提升。電感作為電源系統(tǒng)中的重要元件，其電氣性能影響著電源的安全可靠和轉(zhuǎn)換效率。通過選用優(yōu)質(zhì)的磁性元件材料，結(jié)合各種先進(jìn)工藝和技術(shù)優(yōu)勢(shì)進(jìn)行電感設(shè)計(jì)創(chuàng)新，可以不斷提升轉(zhuǎn)換效率。在選擇電感時(shí)，需要評(píng)估電感值、溫升和飽和電流等重要參數(shù)，以滿足電源系統(tǒng)高功率密度設(shè)計(jì)、高效率轉(zhuǎn)換需求。
2023-04-17
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Bang－bang 光伏穩(wěn)壓器無需磁性元件
光伏系統(tǒng)通常包括一種儲(chǔ)能方式——電池或超級(jí)電容器——在沒有陽光或電源瞬變期間為負(fù)載提供電力。但是，在可行的情況下，無存儲(chǔ)系統(tǒng)是具有更高 MTBF 的更環(huán)保的替代方案。
2023-03-29
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磁性元件在光伏中的功率轉(zhuǎn)換及應(yīng)用（上）
經(jīng)過長期的技術(shù)發(fā)展——特別是在生態(tài)危機(jī)、化石能源困境等多個(gè)重大關(guān)鍵課題的刺激下，太陽能在以轉(zhuǎn)換效率和成本為核心的技術(shù)和商業(yè)兩方面的關(guān)鍵難點(diǎn)上取得了巨大突破。太陽能是可再生能源和可持續(xù)電力設(shè)施改造的關(guān)鍵形式、實(shí)現(xiàn)碳中和傳播的重要途徑，這不僅是全球共識(shí)，也是美國、歐盟等經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)國家目前所處的實(shí)際情況。同時(shí)，中國也在出臺(tái)相應(yīng)的政策指導(dǎo)方針，大幅增加光伏發(fā)電裝置的數(shù)量。為光伏發(fā)電系統(tǒng)選擇合適的磁性元件對(duì)于太陽能的進(jìn)一步普及具有重要的意義。
2023-02-27
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先進(jìn)碳化硅技術(shù)，有效助力儲(chǔ)能系統(tǒng)
人們普遍認(rèn)識(shí)到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應(yīng)用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應(yīng)用具有更多優(yōu)勢(shì)，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現(xiàn)在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了更小的占用空間。
2022-12-22
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ADI公司陳寶興博士當(dāng)選IEEE會(huì)士
中國，北京—ADI公司技術(shù)院士(Fellow)陳寶興博士憑借其在集成信號(hào)-功率隔離和集成磁性元件領(lǐng)域的突破性貢獻(xiàn)，當(dāng)選為2022年度IEEE會(huì)士(IEEE Fellow)。IEEE會(huì)士是最高等級(jí)的IEEE會(huì)員，業(yè)界將其視為一項(xiàng)榮譽(yù)稱號(hào)，被認(rèn)為是職業(yè)生涯中的重要成就。每一年的當(dāng)選總?cè)藬?shù)不得超過總參與投票人數(shù)的千分之一。
2022-01-14
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利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件的尺寸。
2021-05-12
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送你一款面向高功率應(yīng)用的開關(guān)電容電源
DC/DC 轉(zhuǎn)換器的功率密度通常受到體積龐大的磁性元件的限制，特別是在輸入和輸出電壓相對(duì)較高的應(yīng)用中。通過提高開關(guān)頻率可以減小電感/變壓器的尺寸，但因開關(guān)切換引起的損耗也會(huì)造成轉(zhuǎn)換器效率降低。更好的方法是采用無電感開關(guān)電容電源（電荷泵）拓?fù)渫耆?span id="qmu2ie2" class='red'>磁性元件。與傳統(tǒng)DC/C 電源相比，電荷泵可在不犧牲效率的情況下將功率密度提高 10 倍之多。飛跨電容代替了電感存儲(chǔ)能量并將其從輸入端傳遞到輸出端。盡管電荷泵設(shè)計(jì)具有優(yōu)勢(shì)，但由于啟動(dòng)、保護(hù)、MOS管門極驅(qū)動(dòng)等方面存在挑戰(zhàn)，開關(guān)電容電源歷來局限于低功率應(yīng)用。
2021-04-06
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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置！
在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源時(shí)，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個(gè)FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會(huì)增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復(fù)，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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