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Vishay發(fā)布采用SurfLight表面發(fā)射器技術的850nm紅外發(fā)射器

發(fā)布時間:2011-11-11 來源:Vishay Intertechnology, Inc.

產品特性:

  • 采用SurfLight表面發(fā)射器技術制造
  • 超群的高驅動電流、發(fā)光強度和光功率,低熱阻系數
  • 發(fā)射波長為850nm

應用范圍:

  • CMOS攝像頭、驅動輔助系統(tǒng)、3D電視機和3D成像、紅外照明


日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01,擴大其光電子產品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封裝,占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm,具有超群的高驅動電流、發(fā)光強度和光功率,同時具有低熱阻系數。

VSMY7850X01發(fā)射器包含一個42mil芯片,驅動電流達1A,脈沖電流可達5A,VSMY7852X01包含一個20mil芯片,驅動電流達250mA,脈沖電流達1.5A。由于VSMY7850X01和VSMY7852X01的熱阻系數只有10K/W和15K/W,兩款器件幾乎在-40℃~+100℃的整個工作溫度范圍內都能采用最大電流。

Vishay的SurfLight表面發(fā)射器技術使用一種獨特的硅片結構,在這個結構中所有從半導體內產生的光都從芯片的頂表面發(fā)射出來,從而使VSMY7850X01在1A電流下的發(fā)光強度高達170mW/sr,光功率高達520mW,正向壓降只有2V;SMY7852X01在250mA電流下的發(fā)光強度高達42mW/sr,光功率高達130mW,正向壓降只有1.8V。近日發(fā)布的兩款器件通過了AEC-Q101認證,半強角為±60°。

由于工作電流極高,這些發(fā)射器完全可以替代多個標準SMD器件,這樣設計者就能夠在各種各樣的應用削減元器件數量,并提高性能表現。VSMY7852X01和VSMY7850X01非常適用于CMOS攝像頭、驅動輔助系統(tǒng)、3D電視機和3D成像、夜視設備和紅外閃光燈中的紅外照明。發(fā)射器的開關時間只有15ns,是機器視覺紅外數據傳輸的絕佳選擇。

VSMY7852X01和VSMY7850X01是A850系列SurfLight發(fā)射器的最后兩款產品,該系列包括VSMY3850、VSMY2850G、VSMY2850RG、VSMY1850X01和VSLY5850。所有這些器件均采用表面發(fā)射技術制造,發(fā)射波長為850nm,具有高光強和光功率。

VSMY7852X01和VSMY7850X01現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。

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