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電源管理

半月談：探究光伏發(fā)電深入解析逆變技術(shù)

盡管近年來光伏行業(yè)形勢不容樂觀，但有預(yù)測顯示，到2015年，光伏組件、逆變器營收將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長。因此，光伏發(fā)電逆變技術(shù)前景十分看好。本文將主要針對高壓、大容量逆變器的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行講解，并分析該如何正確地為光伏逆變器應(yīng)用選擇IGBT。

2013-05-22

逆變器逆變技術(shù) 光伏發(fā)電太陽能 IGBT

設(shè)計新思路:高效中頻熔斷電源設(shè)計

廣大工程師都有這樣一個困擾，常規(guī)晶閘管并聯(lián)諧振中頻電源存在的在熔煉期內(nèi)輸出功率達(dá)不到額定功率，針對這一問題，本文設(shè)計了一種對DC/AC逆變器采用調(diào)節(jié)功率角φ的觸發(fā)控制電路，配合原有的AC/DC相控雙閉環(huán)控制電路，可以使中頻熔煉電源實現(xiàn)高效控制。

2013-05-17

中頻電源晶閘管

新型電源柵極驅(qū)動器設(shè)計

高功率電平帶來更高的系統(tǒng)電壓，轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動器，它的高電源/輸出驅(qū)動電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應(yīng)用和IGBT/SiC FET應(yīng)用的理想選擇。

2013-05-17

IGBT MOSFET 電源柵極驅(qū)動器

孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?

工程師常常認(rèn)為當(dāng)應(yīng)用需要更高電壓時，使用氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是，如果只是考慮開關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進(jìn)的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽本文細(xì)細(xì)分解。

2013-05-16

氮化鎵場效應(yīng)晶體管硅功率器件

Vicor零電壓DCDC轉(zhuǎn)換器挑戰(zhàn)環(huán)境嚴(yán)苛、空間受限應(yīng)用

Vicor擴(kuò)展Picor旗下的隔離式Cool-Power ZVS DC-DC轉(zhuǎn)換器，提供高密度 (334 W/in3) 方案。該轉(zhuǎn)換器連接QuietPower有原EMI濾波器, 將進(jìn)一步提升整個的模塊式方案的性能,適合嚴(yán)苛的，空間受限的工業(yè)和航空、國防應(yīng)用。

2013-05-15

轉(zhuǎn)換器電源濾波器 Vicor

硅功率MOSFET前景堪憂？

30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場快速接受開關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進(jìn)入到性能瓶頸期；然而與此同時，增強(qiáng)型GaN HEMT器件在開關(guān)性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？

2013-05-15

MOSFET 電源轉(zhuǎn)換 GaN

實例講解：基于LTM4620的電源穩(wěn)壓器設(shè)計

設(shè)計師都希望能夠找到準(zhǔn)確和能在低電壓提供大的負(fù)載電流同時占用很少系統(tǒng)電路板空間的電源解決方案。本文介紹的一種新的高密度和可擴(kuò)展的 LTM4620 微型模塊穩(wěn)壓器，具備卓越的電氣性能、低功率損耗和獨(dú)特的耐熱增強(qiáng)型封裝設(shè)計，可幫助克服高功率密度挑戰(zhàn)。

2013-05-15

穩(wěn)壓器電源穩(wěn)壓器 LTM4620 Linear

第三講：基于MOSFET的高能效電源設(shè)計

通過結(jié)合改進(jìn)的電源電路拓?fù)浜透拍钆c改進(jìn)的低損耗功率器件，開關(guān)電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應(yīng)用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導(dǎo)通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能...

2013-05-14

MOSFET 高能效電源

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