【導(dǎo)讀】新型MOSFET輸出電容具有較低的存儲電能(Eoss)，可提高輕負(fù)載條件下的效率，另外所提供的體二極管穩(wěn)定性一流，可提高諧振轉(zhuǎn)換器中系統(tǒng)的可靠性。
服務(wù)器、電信、計(jì)算等高端的AC-DC開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用以及工業(yè)電源應(yīng)用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設(shè)計(jì)人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價比解決方案。
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N溝道SuperFET II MOSFET系列產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員解決這些挑戰(zhàn)。
圖題：600V N溝道SuperFET II MOSFET
SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以兩種產(chǎn)品系列推出，這些MOSFET的輸出電容具有較低的存儲電能(Eoss)，可提高輕負(fù)載條件下的效率，另外所提供的體二極管穩(wěn)定性一流，可提高諧振轉(zhuǎn)換器中系統(tǒng)的可靠性。
這些MOSFET利用先進(jìn)的電荷平衡技術(shù)，導(dǎo)通電阻極低，并且具有較低的柵極電荷(Qg)性能，可實(shí)現(xiàn)較低的品質(zhì)因數(shù)(FOM)。 這些器件集成了某些特性，其中包括可極大降低柵極振蕩并提高系統(tǒng)整體性能的柵極電阻(Rg)，從而在簡化設(shè)計(jì)中減少了元器件數(shù)目，實(shí)現(xiàn)了效率和性價比更高的設(shè)計(jì)。
優(yōu)勢與特點(diǎn)：
SuperFET II MOSFET
開關(guān)速度更快，可最大限度提高系統(tǒng)效率
功率密度更高
SuperFET II MOSFET Easy-Drive
易于設(shè)計(jì)和使用
開關(guān)性能得到優(yōu)化
電磁干擾(EMI)噪聲低
異常情況下能可靠運(yùn)行
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