SiR870DP和Si4190DY的產(chǎn)品特性：
- 采用新型ThunderFET®技術(shù)
- SO-8/PowerPAK® SO-8封裝
- 在4.5V下具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻
SiR870DP和Si4190DY的應(yīng)用范圍：
- 電源
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET®技術(shù)，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。此外，該器件的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積也是同類產(chǎn)品中最佳的，該數(shù)值是衡量DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET性能的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。
SiR870DP在4.5V電壓下的7.8m?導(dǎo)通電阻是業(yè)內(nèi)最低的。這款MOSFET在10V電壓下的導(dǎo)通電阻也非常低，僅有6m?。對于設(shè)計(jì)者來說，更低的器件導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，同時也使節(jié)能的綠色產(chǎn)品減少功耗。
SiR870DP在4.5V電壓下具有低至208 mΩ-nC的FOM，從而能在更高頻率和開關(guān)應(yīng)用中降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。對于采用SO-8封裝器件的設(shè)計(jì)者，Si4190DY在10V和4.5V電壓下的導(dǎo)通電阻為8.8m?和12m?，在10V和4.5V下的FOM分別為340 mΩ-nC和220 mΩ-nC，均達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水準(zhǔn)。
近日發(fā)布的器件針對用于電信的磚式電源和總線轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的隔離式DC/DC電源中初級側(cè)開關(guān)和次級側(cè)同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET能在4.5V電壓下導(dǎo)通，因此各種PWM和柵極驅(qū)動IC 都能進(jìn)入到設(shè)計(jì)者的備選之列。而使用5V額定電壓的IC，不但能夠降低柵極驅(qū)動損耗，而且由于無需使用單獨(dú)的12V電源軌，能夠簡化電源的整體設(shè)計(jì)。
SiR870DP和Si4190DY經(jīng)過了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，并符合RoHS指令2002/95/EC。
器件規(guī)格表
