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IR擴(kuò)大40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 系列適用于重載應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2010-12-22

產(chǎn)品特性:this is a picture!
  • 可提供低至8 mΩ 的導(dǎo)通電阻
  • 簡化了柵極驅(qū)動(dòng)需求
  • 減少了電路板占用空間和元件數(shù)量
  • 采用 AU Gen 10.2 溝道技術(shù)
應(yīng)用范圍:
  • 傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)的重載應(yīng)用
  • 微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)的重載應(yīng)用



全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
   
經(jīng)過優(yōu)化的新型車用 MOSFET 系列在 55V 電壓下可提供低至8 mΩ 的導(dǎo)通電阻(RDS(on))。此外,邏輯電平 MOSFET 器件簡化了柵極驅(qū)動(dòng)需求,同時(shí)減少了電路板占用空間和元件數(shù)量。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“我們擴(kuò)充后的包括邏輯電平器件在內(nèi)的車用 MOSFET 系列,為客戶在選擇符合其設(shè)計(jì)要求的電壓、封裝和功能方面提供了更好的選擇,而 IR 經(jīng)過驗(yàn)證的硅技術(shù)更為客戶提供了保證。”

新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 溝道技術(shù)開發(fā)。所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念,并經(jīng)過了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動(dòng)晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過1, 000 次溫度循環(huán)測試后,導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過 20%。然而,經(jīng)過延長測試后,IR 的新款A(yù)U 材料在 5,000 次溫度循環(huán)時(shí)的最大導(dǎo)通電阻變化只有 12%,體現(xiàn)了這款材料的高強(qiáng)度和耐用性。

新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
   
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