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通信廣電

智能邊緣設(shè)備的無(wú)界電源管理革命

在物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動(dòng)的智能家居生態(tài)中，邊緣設(shè)備正突破傳統(tǒng)布線(xiàn)限制向"無(wú)線(xiàn)化"演進(jìn)。作為感知層核心的傳感器、執(zhí)行器及便攜交互終端，普遍采用電池供電方案以適應(yīng)分布式部署需求。這類(lèi)設(shè)備面臨獨(dú)特的電源管理挑戰(zhàn)：微型化封裝限制儲(chǔ)能容量、間歇性工作模式要求超低功耗待機(jī)、環(huán)境適應(yīng)性則需支持寬溫域穩(wěn)定...

2025-04-11

智能邊緣設(shè)備電源管理

學(xué)子專(zhuān)區(qū)論壇 - ADALM2000實(shí)驗(yàn)：Hartley振蕩器

振蕩器有多種形式。本次實(shí)驗(yàn)活動(dòng)將研究Hartley配置，該配置使用帶抽頭的電感分壓器來(lái)提供反饋路徑。

2025-04-11

ADALM2000 Hartley振蕩器

貿(mào)澤電子發(fā)布工業(yè)4.0線(xiàn)上資源預(yù)測(cè)性維護(hù)解決方案

全球業(yè)界知名電子元器件代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）今日正式推出全新工業(yè)4.0線(xiàn)上資源預(yù)測(cè)性維護(hù)解決方案，標(biāo)志著工業(yè)設(shè)備運(yùn)維正式邁入AI驅(qū)動(dòng)時(shí)代。該平臺(tái)深度融合邊緣計(jì)算與機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)，為制造業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型提供端到端技術(shù)賦能方案。新網(wǎng)站探討了預(yù)測(cè)性維護(hù)蘊(yùn)藏的機(jī)遇和優(yōu)勢(shì)，為讀者的設(shè)...

2025-04-11

貿(mào)澤電子工業(yè)4.0 線(xiàn)上資源

晶閘管選型與應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)指南：多維參數(shù)平衡與場(chǎng)景化設(shè)計(jì)深度解析

在電力電子領(lǐng)域，晶閘管猶如一把掌控電能流向的智能鑰匙，憑借其獨(dú)特的單向?qū)ㄌ匦院蛷?qiáng)大的功率處理能力，在工業(yè)控制、能源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域持續(xù)發(fā)揮著重要作用。隨著電力系統(tǒng)復(fù)雜度的提升，如何科學(xué)選型并充分發(fā)揮其性能，已成為工程師必須掌握的核心技能。

2025-04-08

晶閘管電力電子

二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析

在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器(ACFC)突破50%占空比限制之際，一個(gè)被長(zhǎng)期忽視的設(shè)計(jì)陷阱正在浮現(xiàn)——最小占空比(Dmin)的精細(xì)控制已成為決定系統(tǒng)可靠性的生死線(xiàn)。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)Dmin低于15%時(shí)，ACFC的開(kāi)關(guān)損耗會(huì)陡增300%，電磁干擾(EMI)惡化達(dá)18dBμV。

2025-04-08

二次整流電路

碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過(guò)三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開(kāi)篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機(jī)理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器...

2025-04-08

碳化硅共源共柵安森美

賦能AI與能源及數(shù)字化轉(zhuǎn)型，TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展

TDK株式會(huì)社4月7日宣布，將于2025年4月15日至17日慕尼黑上海電子展（展位號(hào)N1.210），圍繞「為可持續(xù)的未來(lái)加速轉(zhuǎn)型」的核心理念，集中展示人工智能技術(shù)應(yīng)用、綠色能源與數(shù)字化轉(zhuǎn)型的前沿創(chuàng)新成果，覆蓋電子應(yīng)用全領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品解決方案，推動(dòng)各行業(yè)向更智能、更高效、更低碳的未來(lái)加速轉(zhuǎn)型。

2025-04-08

AI 能源數(shù)字化轉(zhuǎn)型 TDK

光與波的博弈：紅外vs雷達(dá)人體感應(yīng)器技術(shù)原理與場(chǎng)景適配方案全解析

人體感應(yīng)雷達(dá)模組的工作原理是基于多普勒效應(yīng)和目標(biāo)反射原理，通過(guò)發(fā)射毫米波信號(hào)并接收反射信號(hào)來(lái)檢測(cè)人體的存在、運(yùn)動(dòng)狀態(tài)和位置信息。這些信息可以被用于觸發(fā)智能設(shè)備的啟動(dòng)與停止，實(shí)現(xiàn)智能化的生活場(chǎng)景，常應(yīng)用于人體存在感知、智能家居、智能家電、智慧酒店、智能辦公、節(jié)能、節(jié)電控制器等領(lǐng)域。

2025-04-07

紅外人體感應(yīng)器雷達(dá)人體感應(yīng)器

第18講：SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性

SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET需要對(duì)柵極施加負(fù)偏壓，并仔細(xì)設(shè)計(jì)控制電路布線(xiàn)，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運(yùn)行期間檢查是否有異常。

2025-04-07

SiC MOSFET 閾值電壓

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智能邊緣設(shè)備的無(wú)界電源管理革命

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