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通信廣電

工程師必知的振蕩器動態(tài)相位噪聲優(yōu)化四重奏

在高速通信與精密控制系統(tǒng)中，由機械振動引發(fā)的相位噪聲正成為關鍵性能瓶頸。當石英晶體遭遇外力沖擊時，其內(nèi)部壓電效應產(chǎn)生的寄生電壓會直接劣化時鐘信號——實驗表明，1g加速度可使典型AT切割振蕩器相位噪聲惡化20dBc/Hz（數(shù)據(jù)來源：IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control Vol.68）。本...

2025-06-03

抗振時鐘信號振蕩器相位噪聲

科技照亮銀發(fā)生活創(chuàng)新編織幸福晚年

在老齡化浪潮日益洶涌的今天,如何為銀發(fā)一族構(gòu)筑一個安心、愜意、便利的居住天地,已成為全社會共同矚目的課題。富德生命人壽,以“美好生活”居家養(yǎng)老服務為突破口,憑借產(chǎn)品的科技賦能與創(chuàng)新驅(qū)動,為老年人的世界添上了溫暖的色彩。

2025-06-03

科技賦能

意法半導體攜邊緣人工緣智能方案重磅登陸新加坡半導體展會

全球半導體巨頭意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）于2025年5月20日至22日亮相東南亞國際半導體展會（展位號L1901），圍繞“邊緣人工智能與自動化解決方案”主題，向業(yè)界展示其針對智能工業(yè)、智慧城市等場景的技術創(chuàng)新。作為服務多重電子應用領域的半導體領軍企業(yè)，ST此次參展凸顯其對東南亞市...

2025-05-30

意法半導體攜邊緣人工緣智能方案重磅登陸新加坡半導體展會

振蕩電路不起振怎么辦？專家教你步步排查

振蕩電路作為電子系統(tǒng)的“心跳發(fā)生器”，其停振將直接導致MCU死機、通信中斷等致命故障。2024年某車企因32.768kHz時鐘停振引發(fā)批量車機黑屏，單案損失超200萬美元。本文將系統(tǒng)解析石英晶體/LC/RC振蕩器的12類不起振根源，結(jié)合Keysight示波器實測數(shù)據(jù)，為硬件工程師提供可落地的故障排查指南。

2025-05-30

振蕩電路不起振

介質(zhì)電容選型全攻略：從原理到原廠成本深度解析

介質(zhì)電容作為電子系統(tǒng)的“能量調(diào)節(jié)器”，通過電介質(zhì)極化實現(xiàn)電荷存儲與釋放，其性能直接決定電路效率與可靠性。2024年清華大學突破性高熵設計將MLCC能量密度推至20.8J/cm3，西安交大更實現(xiàn)400℃高溫穩(wěn)定工作。本文將解析介質(zhì)電容技術演進、選型策略及全球產(chǎn)業(yè)競爭格局，為高可靠系統(tǒng)設計提供關鍵參考。

2025-05-30

介質(zhì)電容

秒發(fā)3.5萬現(xiàn)貨！貿(mào)澤和Molex強強聯(lián)手：18萬種連接方案

貿(mào)澤電子作為Molex全球授權代理商，獨家供應超18萬種連接器解決方案，其中35,000庫存產(chǎn)品支持即日發(fā)貨。覆蓋通信、數(shù)據(jù)中心、交通、醫(yī)療和工業(yè)設備等高需求領域，為工程師提供從設計選型到量產(chǎn)交付的一站式連接器資源庫。

2025-05-29

貿(mào)澤 Molex 連接通信數(shù)據(jù)中心交通醫(yī)療工業(yè)

意法半導體拓展新加坡“廠內(nèi)實驗室” 深化壓電MEMS技術合作

全球半導體巨頭意法半導體（ST）宣布擴大新加坡"廠內(nèi)實驗室"（Lab-in-Fab）項目，聯(lián)合科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME)、愛發(fā)科（ULVAC）、新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 及新加坡國立大學（NUS），共同推進壓電MEMS技術開發(fā)。

2025-05-29

意法半導體 Lab-in-Fab 壓電MEMS技術

電解電容技術全景解析：從核心原理到國產(chǎn)替代戰(zhàn)略

電解電容作為電子系統(tǒng)的“能量水庫”，在電源管理、信號耦合和濾波電路中扮演著不可替代的角色。其獨特的高容量體積比和電壓適應性使其成為工業(yè)設備、新能源系統(tǒng)和消費電子的核心元件。隨著固態(tài)化、高頻化技術突破，電解電容正突破壽命與頻率限制，而中美科技競爭加速了國產(chǎn)替代進程。本文將深入解析...

2025-05-29

電解電容

CMOS有源晶振電壓特性與精準測量指南

CMOS有源晶振的供電電壓（Vcc）直接決定其輸出電壓特性。這種“高壓平、低壓差”的設計確保了數(shù)字電路的噪聲容限。例如LVCMOS3V3標準要求Voh≥3.2V（3.3V供電時），以滿足下游芯片的高電平識別閾值（≥2.0V）。供電電壓的兼容性是選型核心——如YXC YSO110TR系列支持1.8~3.3V寬壓輸入，適配低功耗IoT設備...

2025-05-29

CMOS有源晶振電壓特性精準測量

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