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智能家居

2011 全球手機(jī)市場(chǎng)回顧與分析—市場(chǎng)整體規(guī)模增速放緩

據(jù)IDC 發(fā)布的2011 年第四季度全球手機(jī)市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示:蘋果成為全球第三大手機(jī)廠商（不是智能手機(jī)領(lǐng)域）。同步匯總的2011 年全年手機(jī)市場(chǎng)數(shù)據(jù)中．蘋果同樣強(qiáng)勢(shì)上升，以9320 萬臺(tái)iPhone 銷量佳績(jī)穩(wěn)坐“全球第三大手機(jī)廠商”寶座，其中中國(guó)廠商中興以6610 萬臺(tái)手機(jī)銷量成為全球第五大手機(jī)制造商。

2012-03-29

智能手機(jī) 手機(jī) 蘋果 IDC

存儲(chǔ)技術(shù)變局為中國(guó)制造帶來了什么機(jī)遇？

縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個(gè)別公司的興衰，更是推動(dòng)了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級(jí)的動(dòng)力源，現(xiàn)在，我們又將迎來新一輪的存儲(chǔ)技術(shù)變局——以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)給我們的本土企業(yè)帶來了什么機(jī)遇？這里結(jié)合自己的...

2012-03-29

存儲(chǔ)技術(shù) 中國(guó)制造機(jī)遇

TD-LTE終端產(chǎn)品市場(chǎng)尚未完全打開

目前中國(guó)TD-LTE終端芯片還處于起步階段，整體市場(chǎng)行情還未完全打開，未來還有許多潛力可以去發(fā)掘。國(guó)內(nèi)外芯片廠商市場(chǎng)參與熱情有限，但鑒于中國(guó)龐大的潛在市場(chǎng)，眾多芯片廠商也積極布局TD-LTE終端芯片市場(chǎng)，加緊研發(fā)TD-LTE多模終端芯片技術(shù)，擇機(jī)進(jìn)入終端芯片市場(chǎng)。

2012-03-29

TD-LTE 終端產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品

TD-LTE終端產(chǎn)品市場(chǎng)尚未完全打開

2012-03-29

TD-LTE 終端產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品

智能化升級(jí)帶來國(guó)有電子設(shè)備企業(yè)新危機(jī)

據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局最新數(shù)據(jù)，今年1~2月份，國(guó)有企業(yè)的利潤(rùn)步入下行通道，全國(guó)規(guī)模以上的工業(yè)企業(yè)中，計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)的利潤(rùn)下降了40.8%

2012-03-29

智能手機(jī) 山寨手機(jī) 國(guó)有企業(yè) 計(jì)算機(jī)

家電行業(yè)趨勢(shì)帶來傳感器市場(chǎng)新商機(jī)

隨著人們對(duì)節(jié)能環(huán)保這個(gè)概念的重視程度越來越高，在家用電器方面各大廠家也很注重能效的控制，節(jié)能風(fēng)暴早已在市場(chǎng)中展開，因此傳感器在其中發(fā)揮著舉足輕重的作用。在中國(guó)家電協(xié)會(huì)發(fā)布的《中國(guó)家用電器工業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃的建議》中，將家電工業(yè)節(jié)能減排放在突出地位。首先發(fā)力的是空調(diào)行業(yè)，大家...

2012-03-29

變頻空調(diào) 冰箱家電傳感器物聯(lián)網(wǎng)

慣性感測(cè)器“左右逢源”增長(zhǎng)率將達(dá)18.6%

隨著消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)智慧型手機(jī)產(chǎn)品需求大幅提升，慣性感測(cè)器出貨量在2011~2016年的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)18.6%，但產(chǎn)品價(jià)格卻會(huì)持續(xù)下降，因此同期間的市場(chǎng)產(chǎn)值CAGR將達(dá)16.6%，約28億美元。愈來愈多業(yè)者開始朝整合矽感測(cè)器的功能發(fā)展，市場(chǎng)生態(tài)逐步改變。

2012-03-29

慣性感測(cè)器加速度計(jì)

淺析MOS管擊穿的原因及解決方案

MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施，但仍需小心對(duì)待，在存儲(chǔ)和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化...

2012-03-29

MOS管擊穿原因解決方案

淺析MOS管擊穿的原因及解決方案

2012-03-29

MOS管擊穿原因解決方案

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