【導(dǎo)讀】近日，我國芯片產(chǎn)業(yè)傳來重大利好消息——國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會正式對立項的三項光刻膠相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行公示，其中最引人注目的是《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》。這一標(biāo)準(zhǔn)的制定，標(biāo)志著我國在攻克高端芯片制造核心材料瓶頸上邁出了至關(guān)重要的一步，對集成電路產(chǎn)業(yè)自主可控發(fā)展具有深遠(yuǎn)的戰(zhàn)略意義。
光刻膠，被譽為芯片工業(yè)的“血液”，是光刻工藝中不可或缺的關(guān)鍵耗材。它通過精密的光化學(xué)反應(yīng)，將設(shè)計好的電路圖形“轉(zhuǎn)印”到硅片上，其性能直接決定了芯片的制程水平和良率。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷向更小節(jié)點演進(jìn)，極紫外（EUV）光刻技術(shù)已成為突破7nm乃至3nm以下先進(jìn)制程的唯一量產(chǎn)手段。與之配套的EUV光刻膠，自然也成為了決定能否躋身全球芯片制造第一梯隊的核心材料。
光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體，在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。它的作用就像一個臨時保護(hù)膜，通過感光和顯影的過程，將納米級電路圖精準(zhǔn)地“印”到硅片上。
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根據(jù)曝光光源的波長來劃分，光刻膠大致可以分為：
· g線光刻膠（436nm）
· i線光刻膠（365nm）
· KrF光刻膠（248nm）
· ArF光刻膠（193nm）
· EUV光刻膠（13.5nm）
然而，一個嚴(yán)峻的現(xiàn)實是，全球EUV光刻膠市場超過95%的份額被日本JSR、東京應(yīng)化等少數(shù)幾家企業(yè)壟斷，我國在該領(lǐng)域的國產(chǎn)化率目前仍為零。這種高度依賴的格局，使我國高端芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展面臨著巨大的供應(yīng)鏈安全風(fēng)險和“卡脖子”困境。
在EUV光刻膠研發(fā)尚處早期、國產(chǎn)化幾乎空白的背景下，測試標(biāo)準(zhǔn)的建立堪稱一場“及時雨”。此前，國內(nèi)缺乏統(tǒng)一、科學(xué)的測試方法，多依賴國外企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，導(dǎo)致國產(chǎn)材料在晶圓廠的驗證周期漫長，嚴(yán)重遲滯了研發(fā)和應(yīng)用進(jìn)程。
此次立項的《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》，旨在系統(tǒng)性地規(guī)范核心性能指標(biāo)的檢測流程，如靈敏度、線邊緣粗糙度等。它將與另外兩項針對ArF光刻膠及其浸沒式技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)——《ArF光刻膠釋氣測量方法》和《ArF浸沒式光刻膠小分子浸出速率測量方法》——共同構(gòu)成支撐芯片材料國產(chǎn)化的標(biāo)準(zhǔn)體系骨架。
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標(biāo)準(zhǔn)落地后，將有力推動測試數(shù)據(jù)的互認(rèn)，降低晶圓廠導(dǎo)入國產(chǎn)材料的風(fēng)險，促進(jìn)測試設(shè)備的國產(chǎn)化替代，從而顯著壓縮研發(fā)成本，加速整個產(chǎn)業(yè)從“依賴進(jìn)口”到“自主可控”的躍遷。
盡管前路挑戰(zhàn)重重，但我國在光刻膠領(lǐng)域的研發(fā)正呈現(xiàn)出積極的加速態(tài)勢。2025年以來，多項重要研究成果相繼涌現(xiàn)：
清華大學(xué)團(tuán)隊開發(fā)出基于聚碲氧烷的新型EUV光刻膠，為材料設(shè)計提供了創(chuàng)新思路。
華東理工大學(xué)與國外頂尖實驗室合作，在先進(jìn)光刻膠的精確制備和光刻驗證上取得進(jìn)展。
北京大學(xué)團(tuán)隊利用冷凍電鏡技術(shù)，揭示了光刻膠在工藝中的微觀機制，成功提升了晶圓制造的良率。
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在產(chǎn)業(yè)端，無錫建立了全國首個納米級光刻膠中試線，據(jù)稱其單分子粒徑已達(dá)到國際領(lǐng)先水平，并具備支撐國產(chǎn)EUV光刻機研發(fā)的潛力。
這些從高校前沿研究到產(chǎn)業(yè)中試平臺的突破，表明那扇曾經(jīng)緊閉的技術(shù)大門，正在被一點點推開。
